热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

题目

热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

相似考题

1.管材表面连续出现划痕，以下哪些不是造成其原因的（）A、定型模具内有杂质B、低分子物析出，粘在机头口模处C、机筒温度设定过高D、口模处粘付杂质

2.离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量

3.恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。A、高斯B、余误差C、指数

4.沉淀的表面吸咐杂质的量与杂质离子浓度，沉淀表面积、溶液温度成正比关系。（）

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  • 第1题：

    离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。


    正确答案:平均投影射程；平均投影标准差

  • 第2题：

    蓄电池自放电现象产生原因（）

    • A、杂质的影响
    • B、用户使用
    • C、温度

    正确答案:A

  • 第3题：

    吸附塔杂质超载的主要原因有（）。

    • A、进料温度高
    • B、工艺阀门泄露
    • C、吸附时间短
    • D、杂质规格超标

    正确答案:A,C,D

  • 第4题：

    使用过的标准铂电阻温度计作周期检定前，要先行退火，其主要目的是（）。

    • A、稳定玷污到感温元件上杂质
    • B、减小杂散电势
    • C、稳定自热效应
    • D、消除机械震动或淬火产生的附加应力

    正确答案:D

  • 第5题：

    （）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

    • A、热退火
    • B、激光退火
    • C、连续激光退火
    • D、脉冲激光退火

    正确答案:B

  • 第6题：

    吸附塔杂质超载的主要原因不包括（）。

    • A、进料温度高
    • B、工艺阀门泄露
    • C、吸附时间短
    • D、杂质规格超标

    正确答案:B

  • 第7题：

    滑动轴承造成温度过高的原因有（）。

    • A、缺油
    • B、油中有杂质
    • C、间隙过小

    正确答案:A,B,C

  • 第8题：

    单选题
    蓄电池自放电现象产生原因（）
    A

    杂质的影响

    B

    用户使用

    C

    温度


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

    正确答案： 扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
    （1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
    （2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）
    A

     离子注入

    B

     热扩散


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    离子注入后为什么要进行热退火

    正确答案： 离子注入的过程中，离子与晶格原子碰撞会使原子从晶格的束缚能中释放出来。热退火可以修复单晶结构并激活掺杂物。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    影响电池自放电快与慢的原因主要有（）

    • A、温度
    • B、杂质含量
    • C、电解液密度

    正确答案:A,B,C

  • 第14题：

    造成麻点的原因是（）。

    • A、冷却不均匀
    • B、杂质较多
    • C、加热温度过高
    • D、轧制速度快

    正确答案:C

  • 第15题：

    润滑油的机械杂质不合格原因有（）。

    • A、搅拌效果
    • B、添加剂杂质过高
    • C、基础油带有杂质
    • D、调合温度过高，油品氧化变质

    正确答案:B,C,D

  • 第16题：

    当乙炔发生器停用或乙炔输送管道内温度低于16度时，应用热水冲洗以（）。

    • A、清除杂质
    • B、保持清洁
    • C、消除水合晶体堵塞
    • D、消除静电

    正确答案:C,D

  • 第17题：

    蓄电池的自放电和内部杂质、温度等因素有关，杂质增多，自放电（） ，温度升高，自放电（） 。


    正确答案:增大；增强

  • 第18题：

    下面影响沉淀纯度的叙述不正确的是（）。

    • A、溶液中杂质含量越大，表面吸附杂质的量越大
    • B、温度越高，沉淀吸附杂质的量越大
    • C、后沉淀随陈化时间增长而增加
    • D、温度升高，后沉淀现象增大

    正确答案:B

  • 第19题：

    以下原因中会造成制品溢边的有（）。

    • A、注射压力太小
    • B、锁模力太小
    • C、原料含有杂质
    • D、模具温度太低

    正确答案:B

  • 第20题：

    单选题
    内保温的现浇钢筋混凝土大板结构，在冬季楼板与外墙交接处经常出现返潮或凝结水的现象，造成的原因是（）。
    A

    冷桥现象造成此处的雨雪的渗漏

    B

    冷桥现象造成此处的保温层的厚度不够

    C

    冷桥现象造成此处的温度低于露点温度

    D

    冷桥现象造成此处的温度高于露点温度


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    滑动轴承造成温度过高的原因有（）。
    A

    缺油

    B

    油中有杂质

    C

    间隙过小


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

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