参考答案和解析
正确答案:界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。
更多“热生长SiO2 – Si系统中的电荷有哪些?”相关问题
  • 第1题:

    下面哪些系统消息是在SACCH上发送的()

    A.SI4

    B.SI5ter

    C.SI5bis

    D.SI7

    E.SI8


    参考答案:B, C, D, E

  • 第2题:

    炼钢中,Si+O2=SiO2是吸热反应。


    正确答案:错误

  • 第3题:

    炼钢过程中,硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为()。

    • A、[Si]+2[0]=(SiO2
    • B、[Si]+{O2}=(SiO2
    • C、[Si]+2(FeO)=(SiO2)+2[Fe]

    正确答案:B

  • 第4题:

    炼钢中[Si]+2[O]=(SiO2)是吸热反应。


    正确答案:错误

  • 第5题:

    焦炭中灰份越高,则()

    • A、渣中SiO2越高
    • B、渣中CaO越高
    • C、Si还原率越低
    • D、渣碱度越高

    正确答案:A

  • 第6题:

    1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si,到达风口时[Si]含量达到最大值。


    正确答案:正确

  • 第7题:

    多选题
    下列量中属于SI基本单位的有(   )。
    A

    B

    千克(公斤)

    C

    电荷量

    D

    安[培]


    正确答案: B,C
    解析:

  • 第8题:

    填空题
    由于O2在SiO2中的扩散率远()于Si 在SiO2中的扩散率,所以氧化反应是由O2穿过SiO2层,在()界面与Si原子反应。相同温度下,湿氧氧化速率()于干氧氧化速率,是因为在SiO2中,H2O比O2有更()的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很(),所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用()法沉积Si3N4薄膜。

    正确答案: 高,Si-SiO2,高,高,低,PECVD
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    单选题
    化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。
    A

    1、2

    B

    2、4

    C

    1、4

    D

    1、2、4

    E

    1、2、3、4


    正确答案: E
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    SiO2-Si界面中存在几种电荷?对器件性能有哪些影响?工艺上如何降低它们的密度?

    正确答案: 有5种。Li  RB+  Cs+ K+几乎没有影响  Na+会引起mos晶体管阈值电压的不稳定。
    1、使用含氯的氧化工艺
    2、用氯周期性的清洗管道、炉管和相关的容器。
    3、使用超纯净的化学物质
    4、保证气体及气体传输过程的清洁,保证栅电极材料不受污染。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    列出Si/Si02 界面处的4种氧化物电荷。

    正确答案: 正的电荷。
    负的电荷。
    界面陷阱电荷。
    可移动氧化物电荷。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    湿法腐蚀Si所用溶液有()、()等,腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是(),腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是()。

    正确答案: 硝酸-氢氟酸-醋酸(或水)混合液,KOH溶液,HF溶液,磷酸
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    全天生产75%硅铁50吨,消耗95吨硅石(SiO2=98%),硅微粉回收量10吨、SiO2=95%,炉渣量为铁量的3%,炉渣中SiO2=30%,计算Si的回收率。


    正确答案: 硅石中含Si总量=95×98%×28/60=43.45t;
    硅微粉中含Si总量=10×95%×28/60=4.43t;
    炉渣中含Si总量=50×3%×30%×28/60=0.21t;
    Si回收率=(43.45-4.43-0.21)/43.45×100%=89.3%

  • 第14题:

    RO运行中避免SiO2结垢的措施有哪些?  


    正确答案:降低回收率,提高进水温度,将PH提到8.0以上,或降到7.0以下。

  • 第15题:

    正确表达石灰加入量的表达式为()。

    • A、2.14[%SiO2]/%CaO有效)×R×1000
    • B、2.14[%Si]/(%CaO石灰-R%SiO2石灰)]×R×1000
    • C、2.14[%Si]/%CaO)×R×1000

    正确答案:B

  • 第16题:

    渣中FeO和MnO在高温下以耦合反应的方式,将[Si]氧化成(SiO2)。


    正确答案:正确

  • 第17题:

    铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的。


    正确答案:正确

  • 第18题:

    硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。


    正确答案:正确

  • 第19题:

    问答题
    SiO2中杂质有哪些类型?

    正确答案: 替代式杂质、间隙式杂质
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    问答题
    SiO2按结构特点分为哪些类型?热氧化生长的SiO2属于哪一类?

    正确答案: 二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形,热氧化生长的SiO2为非结晶态。
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    问答题
    在实际的SiO2–Si系统中,存在几种电荷?

    正确答案: ①可动电荷: 指Na+、K+离子,来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。
    ②固定电荷:指位于SiO2–Si界面2nm以内的过剩硅离子,可采用掺氯氧化降低。
    ③界面态:指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键),可以采用氢气退火降低。
    ④陷阱电荷:由辐射产生。
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些?

    正确答案: 界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    填空题
    在SiO2内和Si-SiO2界面存在有()、()、()、()等电荷。

    正确答案: 可动离子电荷,氧化层固定电荷,界面陷阱电荷,氧化层陷阱
    解析: 暂无解析