二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
题目
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
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第1题：
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
正确答案: CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应 存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋于Cg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量：主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg< -
第2题：
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
- A、能量淀积
- B、动量淀积
- C、能量振荡
- D、动量振荡
正确答案:A -
第3题：
淋溶（eluviation）与淀积（illuviation）过程
正确答案: 淋溶：在雨水天然下渗或人工灌溉，上方土层中的某些矿物盐类或有机物质溶解并转移到下方土层中的过程。有时入渗水因呈酸性，可将土壤中的石灰质等可溶盐类溶解转移，而一些较难移动的氧化铁质与黏土等则被冲积在土壤剖面的B层当中。
淀积：指土壤水下渗至剖面下层沉淀其中某些溶解物或悬浮物的过程 -
第4题：
腐殖质淀积层
正确答案: 由腐殖质淀积形成的暗色土层。 -
第5题：
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
正确答案: 常压化学气相淀积（APCVD.，
低压化学气相淀积（LPCVD.，
等离子体辅助CVD。 -
第6题：
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题淀积技术包括哪两种？正确答案： ①根据压强分：常压（AP）和低压（LP）
②根据反应室壁冷热分：热壁和冷壁
CVD系统的两种能量供给源：热辐射和等离子体解析： 暂无解析 -
第8题：
填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。正确答案： 等离子体增强化学气相淀积,低压化学气相淀积,常压化学气相淀积解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？正确答案： ①晶体生长或成膜的质量好；②淀积温度低，便于控制；③可使淀积衬底的表面积扩大，提高淀积效率。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？正确答案： （1）参加反应的气体混合物被输运到沉积区；
（2）反应物由主气流扩散到衬底表面；
（3）反应物分钟吸附在衬底表面上；
（4）吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应，生成原子和化学反应副产物，原子沿衬底表面迁移并形成薄膜；
（5）反应副产物分子从衬底表面解吸。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？正确答案： 溅射是物理气相淀积形式之一，是一种薄膜淀积技术。
工作方式：在溅射过程中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞 击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。
优点：
1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力。
2.能够淀积高温熔化和难溶金属。
3.能够在直径为200毫米或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜。
4.具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？正确答案： PECVD氮化硅薄膜含H、质地疏松，抗KOH水溶液中的腐蚀性能差。可通过高温退火，使H逸出，薄膜致密化，从而提高抗腐蚀性，就能作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜。退火温度约800℃，20min，即LPCVD氮化硅工艺温度。如效果不理想，可升温延长时间。解析： 暂无解析 -
第13题：
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
正确答案: 物理气相淀积：蒸发Evaporation、溅射Sputtering热蒸发法：在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸气流并入射到衬底表面，凝结形成固态薄膜。溅射概念与机理：基本原理，真空腔中有一个平行板等离子体反应器，非常类似于简单的反应离子刻蚀系统。
将靶材放置在具有最大离子电流的电极上，高能离子将所要淀积的材料从靶材中轰击出来。靶与晶圆片相距十分近（小于10cm），出射原子大部分能被晶圆所收集。 -
第14题：
淀积粘化
正确答案: 由上部土层淋洗迁移而来的次生粘土矿物过程，称为淀积粘化。在淋溶作用较强的地区则兼有残积粘化和淀积粘化的双重作用。 -
第15题：
淀积黏粒胶膜
正确答案: 黏粒淋移淀积形成的胶膜。 -
第16题：
低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
正确答案:正确 -
第17题：
名词解释题化学气相淀积正确答案： 一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。解析： 暂无解析 -
第18题：
判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第19题：
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第20题：
名词解释题腐殖质淀积层正确答案： 由腐殖质淀积形成的暗色土层。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述淀积膜的过程的三种不同阶段正确答案： （1）晶核形成，成束的稳定小晶核形成
（2）聚集成束，也称为岛生长
（3）形成连续的膜解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述化学气相淀积的概念？正确答案： 化学气相淀积（CVD）是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺。反应产生的其他副产物为挥发性气体，离开硅片表面并被抽出反应腔。硅片表面及其邻近的区域被加热以向反应系统提供附加的能量。解析： 暂无解析 -
第23题：
名词解释题预淀积正确答案： 与扩散实在较低温度下，采用恒定表面源扩散方式，在硅片表面扩散一层数量一定按余误差函数形式分布的杂质，由于温度较低，且时间较短，杂质的扩散很浅，可认为杂质是均匀分布在一薄层内目的是控制扩散杂质的数量。解析： 暂无解析