为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？

题目

为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？

相似考题

1.场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

2.有关滤线栅的叙述，错误的是（）A、单位距离内，铅条与其间距形成的线对数即栅密度B、栅条呈倾斜排列，半径相同，并聚焦于空间的为聚焦栅C、滤线栅铅条高度与充填物幅度的比值为栅比D、栅铅条纵轴排列的方位是相互平行的，称为线形栅E、栅比值越低消除散射线的作用越好

3.绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。

4.有关滤线栅的叙述，错误的是A.单位距离内，铅条与其间距形成的线对数即栅密度 B.栅条呈倾斜排列，半径相同，并聚焦于空间的为聚焦栅 C.滤线栅铅条高度与充填物幅度的比值为栅比 D.栅铅条纵轴排列的方位是相互平行的，称为线形栅 E.栅比值越低消除散射线的作用越好

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  • 第1题：

    IGBT全称：绝缘栅形双极晶体管


    正确答案:正确

  • 第2题：

    为了测得比栅距W更小的位移量，光栅传感器要采用（）技术。


    正确答案:细分

  • 第3题：

    什么是绝缘栅双极晶体管（IGBT）？它有什么特点？


    正确答案: 绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种由单极性的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。特点是：输入阻抗高；工作频率高；驱动功率小；具有大电流处理能力；饱和压降低、功耗低，是一种很有前途的新型功率电子器件。

  • 第4题：

    绝缘栅双极晶体管的本质是一个（）。


    正确答案:场效应晶体管

  • 第5题：

    绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些特点？


    正确答案: 绝缘栅双极型晶体管〈IGBT〉是一种由单极性的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。其特点是：输入阻抗高，驱动功率小；工作频率高；导通降压较低、功耗较小。IGBT是一种很有发展前途的新型电力半导体器件，在中、小容量电力电子应用方面有取代其它全控型电力半导体器件的趋势。

  • 第6题：

    绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    单选题
    下列描述中，哪项是错误的？（　　）
    A

    按结构分类，滤线栅又分为活动栅和静止栅

    B

    栅密度表示在滤线栅表面上单位距离内，铅条与其间距形成的线对数，常用线/cm表示

    C

    栅密度相同，栅比大的散射线消除效果好

    D

    栅比值相同，栅密度大的散射线消除作用差

    E

    栅比值越高其清除散射线的作用越好


    正确答案： E
    解析：
    栅比表示滤线栅清除散射线的能力，比值越高其清除作用越好。栅比值相同时，栅密度大的散射线消除作用好。

  • 第9题：

    单选题
    场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）
    A

    结型场效应晶体管，简称JFET

    B

    绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET

    C

    结型场效应晶体管JGFET

    D

    绝缘栅型场效应晶体管JGFET


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？

    正确答案： 因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
    随着栅的宽度不断减少，栅结构（源漏间的硅区域）下的沟道长度也不断减少。晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性，并引起了不希望的沟道漏电流。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序？

    正确答案： 氧化层的厚度决定了晶体管的电流驱动能力和可靠性，其精度必须控制在几个百分点以内。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    有关滤线栅的叙述，错误的是（）
    A

    单位距离内，铅条与其间距形成的线对数即栅密度

    B

    栅条呈倾斜排列，半径相同，并聚焦于空间的为聚焦栅

    C

    滤线栅铅条高度与充填物幅度的比值为栅比

    D

    栅铅条纵轴排列的方位是相互平行的，称为线形栅

    E

    栅比值越低消除散射线的作用越好


    正确答案： E
    解析： 栅比表示滤线栅消除散射线的能力，栅密度相同，栅比大的消除效果好。

  • 第13题：

    横向金属栅片又称离子栅，它利用的是长弧灭弧的原理。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    绝缘栅双极性晶体管（IGBT）的特点有哪些？


    正确答案:（1）具有MOSFET（功率场效应管）和BJT（功率晶体管）的优点
    （2）开关频率高
    （3）导通压降低
    （4）驱动简单
    （5）容易并联
    （发展方向：开关时间缩短，通态压降减小，高压、大电流）

  • 第15题：

    IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。

    • A、绝缘栅场效应管
    • B、结型场效应管
    • C、绝缘栅双极晶体管
    • D、双极型功率晶体管

    正确答案:C

  • 第16题：

    绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    绝缘双栅双极晶体管的简称是（）。

    • A、IGT
    • B、PLC
    • C、IBGT
    • D、IGBT

    正确答案:D

  • 第18题：

    绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    下列描述中，哪项是错误的？（　　）
    A

    按运动功能分类，滤线栅又分为活动栅和静止栅

    B

    栅密度表示在滤线栅表面上单位距离内，铅条与其间距形成的线对数，常用线/cm表示

    C

    栅密度相同，栅比大的散射线消除效果好

    D

    栅比值相同，栅密度大的散射线消除作用差

    E

    栅比值越高其清除散射线的作用越好


    正确答案： C
    解析： 滤线栅按结构特点分聚焦式、平行式和交叉式；按运动功能分静止式（固定式）和运动式。栅密度表示在滤线栅表面上单位距离（1cm）内，铅条与其间距形成的线对数，常用线/cm表示。栅比值越高其消除散射线的作用越好。栅密度相同，则栅比大的消除散射线的效果好。D项，栅比值相同，密度大的滤线栅，吸收散射线的能力强。

  • 第22题：

    问答题
    解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？

    正确答案： 目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺的原因是：
    ①采用自对准方式，减小了晶体管的尺寸和栅电极与源、漏电极间的交叠电容，从而提高器件的集成度与工作速度。
    ②多晶硅可以高温氧化，对多层布线非常有利。
    ③阈值电压低（取决于硅与二氧化硅的功函数差）。
    ④有利于采用等比例缩小法则。
    ⑤耐击穿时间长。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    为什么说栅长是MESFET的重要参数？

    正确答案： 对MESFET的控制主要作用于栅极下面的区域
    解析： 暂无解析

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