关于腐蚀倒片的说法,正确的是:()
第1题:
波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随()
第2题:
腐蚀篮的上边缘必须高于腐蚀液面2到3cm,预防少片。
第3题:
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()
第4题:
半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数,它()。
第5题:
腐蚀倒片前作业员必须确认频率标签的烧杯编号与所取烧杯一致,不可随意取烧杯内的晶片进行腐蚀。
第6题:
腐蚀时量测频率的操作方法是:()
第7题:
腐蚀前确认生产任务的内容有:()
第8题:
腐蚀前需确认的生产条件有:()
第9题:
锅炉酸洗的腐蚀程度可通过挂放在清洗系统中的腐蚀指示片的变化来确定。
第10题:
涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是()。
第11题:
随频率增加、晶片尺寸减小而减小
随频率或晶片尺寸减小而增大
随频率或晶片尺寸减小而减小
频率增加、晶片尺寸减小而增大
第12题:
氟化钠单晶片
氟化镧单晶片
氟化硼单晶片
氟化锗单晶片
氟化钾晶体片
第13题:
晶片厚度与晶片的频率密切相关,晶片厚度越厚,频率越低。
第14题:
直探头组成的主要元件有压电晶片;吸收片;保护膜;();外壳等等,其中压电晶片;是主要元件,功能是将电能转换为声能,将声能转换为电能。
第15题:
挂片腐蚀监测法(CC)是将所研究的对象静态挂片放置,用()测得物件的()。同时观察试片上点蚀情况,分析判断腐蚀成因和机理。
第16题:
红外线分析仪测量气室或晶片被污染后,使仪器灵敏度下降,测量误差增大,在清洗气室及窗口晶片时,要选择相应的清洗剂,严禁破坏()的光滑度。
第17题:
腐蚀后待清洗时,每个清洗筐内的晶片上限尺寸3225及以下数量为()
第18题:
将烧杯中清洗好的待腐蚀晶片倒入腐蚀篮中;并将干净的乒乓球放入腐蚀篮(¢120腐蚀篮放入4个乒乓球,¢100腐蚀篮放入3个乒乓球)。
第19题:
腐蚀前必须将热水槽边的开关打开,腐蚀前必须晃动腐蚀篮,将腐蚀篮中晶片散开。
第20题:
腐蚀前的来料检查,正确的说法是:()
第21题:
探头的频率取决于()。
第22题:
波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数,并且()。
第23题:
频率或晶片直径减少时增大
频率或晶片直径减少时减少
频率增加而晶片直径减少时减少
频率或晶片直径增大时增大