参考答案和解析
正确答案: 一种是由热回滞而引起的“鼓泡”现象;另一种是电流集中导致hFE下降引起的“绞线”现象。
更多“用晶体管图示仪观察晶体三极管二次击穿前所出现的主要征兆有哪两种?”相关问题
  • 第1题:

    为什么图示仪测量晶体管击穿特性时,一般不会损坏管子?


    正确答案: ① 由于EC为正弦半波,测试击穿特性时,可用旋钮控制UCE的峰值大小,使击穿发生在正弦半波电压的最高点。
    ② 这样加到管子上的电压、电流只是瞬间的,一般不会损坏管子。

  • 第2题:

    用晶体管图示仪观察晶体三极管二次击穿前所出现的主要征兆有哪两种?


    正确答案: 一种是由热回滞而引起的“鼓泡”现象;另一种是电流集中导致hFE下降引起的“绞线”现象。

  • 第3题:

    用JT一1型晶体管特性图示仪测试小功率晶体三极管时,功耗电阻应选得()。

    • A、小一些
    • B、大一些
    • C、相等
    • D、O位

    正确答案:B

  • 第4题:

    晶体管特性图示仪可观测半导体管子特性曲线,还可测试管子的()特性参数。

    • A、极限、击穿
    • B、正向
    • C、反向
    • D、击穿

    正确答案:A

  • 第5题:

    电力晶体管在使用时要防止二次击穿。


    正确答案:正确

  • 第6题:

    晶体管特性图示仪有哪些用途?


    正确答案: 晶体管特性图示仪是用于测量晶体管的各参数和各种特性曲线的专用设备,它不仅可以测晶体管,也可用于测试电阻、各种二极管、场效应管、可控硅、双基极管和数字集成电路等。

  • 第7题:

    关于二次击穿,以下说法正确的是()。

    • A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿
    • B、功率MOSFET不会发生二次击穿
    • C、二次击穿可能使器件永久性损坏
    • D、二次击穿的过程很短暂

    正确答案:B,C,D

  • 第8题:

    晶体管特性图示仪是一种能在()上直接观察各种晶体管()的专用仪器。

    • A、荧光屏
    • B、质量
    • C、特性曲线
    • D、性能

    正确答案:A,C

  • 第9题:

    晶体管特性图示仪不能测量晶体三极管的()。

    • A、输入特性
    • B、反向电流
    • C、击穿电压
    • D、频率特性

    正确答案:D

  • 第10题:

    用万用表R3100Ω的欧姆挡,测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻,若都呈现出最小的阻值,则这只晶体管()。

    • A、两个PN结都被击穿
    • B、两个PN结都被烧掉
    • C、只是发射结被击穿
    • D、只是基集被击穿

    正确答案:A

  • 第11题:

    单选题
    电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。
    A

    有二次击穿

    B

    无二次击穿

    C

    防止二次击穿

    D

    无静电击穿


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    什么是PN结的击穿现象,击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了?为什么?

    正确答案: 当PN结加反向电压(P极接电源负极,N极接电源正极)超过一定的时候,反向电流突然急剧增加,这种现象叫做PN结的反向击穿。击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种,齐纳击穿是由于PN结中的掺杂浓度过高引起的,而雪崩击穿则是由于强电场引起的。PN结的击穿并不意味着PN结坏了,只要能够控制流过PN结的电流在PN结的允许范围内,不会使PN结过热而烧坏,则PN结的性能是可以恢复正常的,稳压二极管正式利用了二极管的反向特性,才能保证输出电压的稳定。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    JT-1型晶体管特性图示仪能可靠地观察被测器件的极限特性和击穿特性,但要防止因过载而损坏器件。


    正确答案:错误

  • 第14题:

    晶体管特性图示仪是用来在示波管上直接观察晶体管各种()的仪器。


    正确答案:特性曲线簇

  • 第15题:

    JT一1型晶体管特性图示仪可对晶体三极管的参数定性、定量测量。


    正确答案:正确

  • 第16题:

    晶体管特性图示仪零电流开关的作用是测试管子的()

    • A、击穿电压、导通电流
    • B、击穿电压、穿透电流
    • C、反偏电压、穿透电流
    • D、反偏电流、导通电流

    正确答案:B

  • 第17题:

    在晶体管特性图示仪上观察晶体三极管特性曲线时,应把零电流、零电压开关放在()位置。

    • A、零电流
    • B、零电压
    • C、中间
    • D、关闭

    正确答案:C

  • 第18题:

    晶体管特性图示仪的示波显示电路有何作用?


    正确答案: 其示波显示电路的作用是将基极阶梯电压和集电极扫描电压经被测管加至X轴、Y轴放大器,在屏幕上显示出被测管的U-I特性曲线。

  • 第19题:

    电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。

    • A、有二次击穿
    • B、无二次击穿
    • C、防止二次击穿
    • D、无静电击穿

    正确答案:B

  • 第20题:

    晶体管图示仪在使用时,应合理选择峰值电压范围开关档位。测量时,应先将峰值电压调节旋钮调到(),测量时逐渐调大,直至调到曲线出现击穿为止。

    • A、零位
    • B、中间位置
    • C、最大
    • D、任意位置

    正确答案:A

  • 第21题:

    晶体管特性图示仪是一种能在()撒谎那个直接观察各种晶体管()的专用仪器,通过仪器上的()可直接读得被测晶体管的各项参数。


    正确答案:示波管荧光屏;特性曲线;标尺度

  • 第22题:

    在晶体管特性图示仪上观察晶体三极管的特性曲线时,应把零电流、零电压开关放在()位置。

    • A、零电流
    • B、零电压
    • C、中间
    • D、关闭

    正确答案:C

  • 第23题:

    问答题
    简述化学击穿有哪两种机理?

    正确答案: 一种是在在直流和低频交变电压下,由于离子式电导引起电解过程,材料中发生电还原作用,使材料的电导损耗急剧上升,最后由于强烈发热成为热化学击穿;
    另一种化学击穿是当材料中存在封闭气孔时,由于气体的游离放出的热量使器件温度迅速上升,变价金属在高温下氧化物还原,使材料电子式电导大大增加,电导的增加反过来又使器件强烈发热,导致最终击穿。
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    问答题
    化学击穿有哪两种机理?

    正确答案: 一种是在在直流和低频交变电压下,由于离子式电导引起电解过程,材料中发生电还原作用,使材料的电导损耗急剧上升,最后由于强烈发热成为热化学击穿;
    另一种化学击穿是当材料中存在封闭气孔时,由于气体的游离放出的热量使器件温度迅速上升,变价金属在高温下氧化物还原,使材料电子式电导大大增加,电导的增加反过来又使器件强烈发热,导致最终击穿。
    解析: 暂无解析