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第1题：
ZnO压敏电阻元件的过冲效应指的是：当峰值电流一定时，（）。
- A、残压随波头时间减少而升高
- B、残压随半值时间减少而升高
- C、残压随波头时间增加而升高
- D、残压随半值时间增加而升高
正确答案:A -
第2题：
硅元件的过压吸收常利用压敏电阻。
正确答案:错误 -
第3题：
硅元件的电流保护电流是利用熔断器。
正确答案:正确 -
第4题：
限压型电涌保护器通常采用以下哪个组件（）。
- A、放电间隙
- B、充气放电管
- C、压敏电阻
- D、可控硅元件
正确答案:C -
第5题：
压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成，采用（）为弹性元件
- A、应变片
- B、压电片
- C、弹性元件
- D、单晶硅片
正确答案:D -
第6题：
（）是过压保护元器件。
- A、热线圈
- B、压敏电阻器
- C、熔断丝
- D、热敏管
正确答案:B -
第7题：
遥测电压回路可以使用压敏电阻防止过压损坏测控装置。
正确答案:错误 -
第8题：
最常见的过压保护措施是。（）
- A、快速开关；
- B、阻容保护；
- C、压敏电阻；
- D、快速熔断器。
正确答案:B -
第9题：
不在1FC5356发电机的背包中的元件是（）.
- A、静止压敏电阻
- B、静止整流模块
- C、谐振电容C1
- D、可控硅限流电阻R
正确答案:A -
第10题：
单选题ZnO压敏电阻元件的过冲效应指的是：当峰值电流一定时，（）。A残压随波头时间减少而升高
B残压随半值时间减少而升高
C残压随波头时间增加而升高
D残压随半值时间增加而升高
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题由压敏电阻元件组成的电源避雷器属于（）避雷器。A开关型
B箝压型
C复合型
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第12题：
多选题限压型电源电涌保护器核心元件是（），信号线路电涌保护器核心元件是（）A压敏电阻；
B电容；
C电感 ；
D放电间隙。
正确答案： B,A解析： 暂无解析 -
第13题：
硅机组的均压系数是指串联元件的平均反向电压与串联元件中的（）之比。
正确答案:最高反向电压 -
第14题：
硅元件的电流保护过流是利用熔断器。
正确答案:正确 -
第15题：
晶闸管两端并联压敏电阻的目的是实现（）。
- A、防止冲击电流
- B、防止冲击电压
- C、过流保护
- D、过压保护
正确答案:D -
第16题：
压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效果而构成，采用（）为弹性元件。
- A、应变片
- B、压电片
- C、弹性元件
- D、单晶硅片
正确答案:D -
第17题：
压敏电阻是一种（）的保护器件。
- A、过流
- B、过负荷
- C、过电压
- D、欠压
正确答案:C -
第18题：
压敏电阻和气体放电管是两种常用的防雷元件，前者属限压型，后者属开关型。
正确答案:正确 -
第19题：
硅整流装置选择整流元件时，应尽量（）。
- A、选用正向压降小，反向泄漏电流小的硅整流元件
- B、尽量减少串联元件的数量，以减少由于正向压降造成的损耗
- C、尽量选用大电流的元件，以减少元件的并联
- D、尽量选用小电流的元件，以增加元件的并联
正确答案:A,B,C -
第20题：
晶闸管两端（）的目的是实现过压保护。
- A、串联快速熔断器
- B、并联快速熔断器
- C、并联压敏电阻
- D、串联压敏电阻
正确答案:C -
第21题：
单选题限压型电涌保护器通常采用以下哪个组件（）。A放电间隙
B充气放电管
C压敏电阻
D可控硅元件
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第22题：
判断题遥测电压回路可以使用压敏电阻防止过压损坏测控装置。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题半导体压敏电阻式进气压力传感器的压力转换元件是利用半导体的（）制成的硅膜片。A压阻效应
B光电效应
C压电效应
D磁阻效应
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第24题：
单选题不在1FC5356发电机的背包中的元件是（）.A静止压敏电阻
B静止整流模块
C谐振电容C1
D可控硅限流电阻R
正确答案： A解析： 暂无解析