IGBT的驱动方法和（）基本相同，故具有高输入阻抗特性。A、MOSFETB、GTOC、SCRD、GTR

题目

IGBT的驱动方法和（）基本相同，故具有高输入阻抗特性。

  • A、MOSFET
  • B、GTO
  • C、SCR
  • D、GTR
相似考题

1.SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

2.以下器件属于通过门极信号既能控制其导通又能控制其关断的器件的是：()A、BJTB、GTOC、SCRD、IGBT

3.IGBT是一个复合型的器件,它是( )A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTR&"160;C.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

4.IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR

更多“IGBT的驱动方法和（）基本相同，故具有高输入阻抗特性。A、MOSFETB、GTOC、SCRD、GTR”相关问题

  • 第1题：

    试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。


    参考答案：GTR的容量中等，工作频率一般在10kHz以下，电流控制型器件，所需驱动功率较大。MOSFET器件容量较小，工作频率最高，可达100kHz以上，电压控制型器件，所需驱动功率最小，但其通态压降大，开通损耗相应较大。IGBT的容量和GTR的容量属同一等级，但为电压控制型器件，驱动功率小，工作频率高，有取代GTR之势。

  • 第2题：

    IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();

    A.输出饱和压降低；

    B.输入阻抗高；

    C.开关速度高；

    D.通态度损耗小；


    参考答案：A, B, C, D

  • 第3题：

    绝缘栅双极晶体管指的是（）。

    • A、MOSFET
    • B、GT0
    • C、IGBT
    • D、GTR

    正确答案:C

  • 第4题：

    IGBT的驱动特性原则上与（）的几乎相同。


    正确答案:MOSFET

  • 第5题：

    IGBT功率器件同时具有（）和较低的饱和压降从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。

    • A、较高的输入阻抗
    • B、较低的输入阻抗
    • C、较高的工作频率
    • D、较低的工作频率

    正确答案:A,C

  • 第6题：

    说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。


    正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
    （1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
    （2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
    电力晶体管GTR：
    （1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
    门极可关断晶闸管GTO：
    （1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
    电力场效应管MOSFET：
    （1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
    （2）缺点：电流容量小、耐压低。

  • 第7题：

    功率最大的器件是（）。

    • A、MOSFET
    • B、IGBT
    • C、SCR
    • D、电力三极管

    正确答案:C

  • 第8题：

    IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第9题：

    单选题
    采用交-直-交技术的变频器，整流环节通常使用哪些电力电子器件？（）
    A

    二极管、三极管、MOSFET

    B

    运算放大器、二极管、GTO

    C

    电力二极管、晶闸管、IGBT

    D

    三极管、场效应管、GTR


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    多选题
    IGBT是绝缘栅型双极性晶体管，它的特性是（）；
    A

    输出饱和压降低；

    B

    输入阻抗高；

    C

    开关速度高；

    D

    通态度损耗小；


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

    正确答案： IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
    GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
    GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    IGBT的驱动特性原则上与（）的几乎相同。

    正确答案： MOSFET
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

    A、GTR驱动的MOSFET

    B、MOSFET驱动的GTR

    C、MOSFET驱动的晶闸管

    D、MOSFET驱动的GT0


    参考答案：B

  • 第14题：

    采用交-直-交技术的变频器，整流环节通常使用哪些电力电子器件？（）

    • A、二极管、三极管、MOSFET
    • B、运算放大器、二极管、GTO
    • C、电力二极管、晶闸管、IGBT
    • D、三极管、场效应管、GTR

    正确答案:C

  • 第15题：

    电力场效应管指的是（）。

    • A、MOSFET
    • B、GTO
    • C、IGBT
    • D、GTR

    正确答案:A

  • 第16题：

    IGBT是绝缘栅型双极性晶体管，它的特性是（）；

    • A、输出饱和压降低；
    • B、输入阻抗高；
    • C、开关速度高；
    • D、通态度损耗小；

    正确答案:A,B,C,D

  • 第17题：

    IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？


    正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
    GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
    GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

  • 第18题：

    现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有（）。

    • A、MOSFET
    • B、IGBT
    • C、晶闸管
    • D、GTR

    正确答案:A,B,C,D

  • 第19题：

    下列属于单极型电压驱动型器件的是（）。

    • A、GTR
    • B、GTO
    • C、MOSFET
    • D、IGBT

    正确答案:C

  • 第20题：

    下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是（）

    • A、GTO和SCR
    • B、GTR和电力二极管
    • C、GTR和SCR
    • D、GTO和GTR

    正确答案:D

  • 第21题：

    多选题
    IGBT功率器件同时具有（）和较低的饱和压降，从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。
    A

    较高的输入阻抗

    B

    较低的输入阻抗

    C

    较高的工作频率

    D

    较低的工作频率


    正确答案： C,A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

    正确答案： GTO
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。
    A

    GTO和GTR；

    B

    TRIAC和IGBT；

    C

    MOSFET和IGBT；

    D

    SCR和MOSFET；


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

相关内容