NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子

题目

NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子

相似考题

1.在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴

2.在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。此题为判断题(对，错)。

3.NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。

4.三极管的反向电流ICBO是由()组成的。A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子

更多“NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子”相关问题

  • 第1题：

    P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。


    正确答案:正确

  • 第2题：

    PNP三极管工作特点是（）.

    • A、发射区发射电子，集电区收集电子
    • B、发射区发射空穴，集电区收集电子
    • C、发射区发射电子，集电区收集空穴
    • D、发射区发射空穴，集电区收集空穴

    正确答案:D

  • 第3题：

    N型半导体中多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    对NPN三极管来说，外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    NPN型三极管的基区中多数载流子是电子


    正确答案:错误

  • 第6题：

    N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。

    • A、正离子
    • B、自由电子
    • C、空穴
    • D、负离子
    • E、质子
    • F、中子

    正确答案:B,C

  • 第7题：

    N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。


    正确答案:空穴

  • 第9题：

    P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。


    正确答案:自由电子；空穴

  • 第11题：

    在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。


    正确答案:错误

  • 第12题：

    单选题
    在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
    A

    空穴／自由电子

    B

    自由电子／空穴

    C

    空穴／共价键电子

    D

    负离子／正离子


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

    • A、自由电子，空穴；扩散，飘移 
    • B、空穴，自由电子；漂移，扩散 
    • C、空穴，自由电子；扩散，漂移 
    • D、自由电子，空穴；漂移，扩散 
    • E、自由电子，空穴；扩散，扩散

    正确答案:C

  • 第14题：

    三极管的发射区是发射载流子，（）区是输送和控制载流子，（）收集载子。


    正确答案:基区；集电区

  • 第15题：

    N型半导体中自由电子是多数载流子。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    对NPN三极管来说，下列说法正确的是（）。

    • A、当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；
    • B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；
    • C、外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；
    • D、以上说法都错。

    正确答案:C

  • 第17题：

    在N型半导体中，（）是多数载流子。

    • A、空穴
    • B、硅
    • C、电子
    • D、锗

    正确答案:C

  • 第18题：

    叙述晶体三极管电流的传输过程（）。

    • A、发射区向基区注入载流子过程
    • B、少数载流子，在基区扩散与复合过程
    • C、集电区收集载流子的过程
    • D、基区向发射区注入载流子过程

    正确答案:A,B,C

  • 第19题：

    P型半导体中的多数载流子是（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、正离子

    正确答案:B

  • 第20题：

    半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。


    正确答案:电子；空穴；空穴；电子；电子；空穴

  • 第21题：

    三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。


    正确答案:发射；收集

  • 第22题：

    P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）


    正确答案:正确

  • 第23题：

    判断题
    在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

相关内容