（）可导致生成硫酸氨沉积在催化剂和空预器上，造成催化剂中毒和空预器的腐蚀。A、氨逃逸B、氨温度C、氨流量D、氨流速
题目
（）可导致生成硫酸氨沉积在催化剂和空预器上，造成催化剂中毒和空预器的腐蚀。
- A、氨逃逸
- B、氨温度
- C、氨流量
- D、氨流速
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参考答案和解析
正确答案:A
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第1题：
催化剂钝化时，（）开始注水
- A、开始注氨时
- B、开始进油时
- C、高分有氨生成时
- D、注氨两小时后
正确答案:D -
第2题：
在氨预过滤器与过滤器之间的设备是（）。
- A、氨过热器
- B、氨蒸发器
- C、辅助蒸发器
- D、蒸氨罐
正确答案:A -
第3题：
合成系统保压、保温状态下的停车操作要点是什么，正确的是（）
- A、关闭补气阀、各放空阀、取样阀。稍开补气放空阀
- B、通知变换工段本岗位已不能正常供蒸汽
- C、开电加热器，大流量循环，使催化剂床层温度快速下降
- D、关闭氨分离器和冷交换器放氨及氨冷器加氨阀
正确答案:A,B,D -
第4题：
氨会造成裂化催化剂永久性中毒。
正确答案:错误 -
第5题：
原料液氨中水含量偏高将会导致（）等。
- A、氨蒸发器排污量增大
- B、催化剂中毒
- C、催化剂积碳
- D、氨耗偏高
正确答案:A,D -
第6题：
合成催化剂还原期间会产生大量水，为了防止水分在氨冷器冻结需要（）。
- A、加入甲醇
- B、停用氨冷器
- C、使用分离器
- D、加入氨
正确答案:D -
第7题：
反应系统注氨钝化催化剂时应注在（）
- A、加热炉入口
- B、加氢裂化反应器出口
- C、空冷前
正确答案:A -
第8题：
氨过热器的出口温度突然降低可能导致的原因是（）。
- A、气氨带液
- B、氨过热器低压蒸汽中断
- C、氨蒸发器液位过高
- D、氨蒸发器液位过低
正确答案:A,B,C -
第9题：
氨空比的正确计算是（）。
- A、V空/（V一次空+V气氨）
- B、V气氨/（V一次空+V气氨）
- C、V气氨/V空
- D、V空/V气氨
正确答案:B -
第10题：
在稀硝工艺流程中氨气和空气在（）中混合的。
- A、蒸氨器
- B、氨过滤器
- C、氨空混合器
- D、氧化炉
正确答案:C -
第11题：
冷交、氨分液位过高，造成循环机带氨，入口温度降低，合成塔入口温度降低，催化剂层温度下降，系统压力升高。
正确答案:正确 -
第12题：
单选题（）可导致生成硫酸氨沉积在催化剂和空预器上，造成催化剂中毒和空预器的腐蚀。A氨逃逸
B氨温度
C氨流量
D氨流速
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第13题：
氨经尾气处理系统蒸氨罐蒸发后去（）。
- A、氨预过滤器
- B、氨过热器
- C、氨还原反应器
- D、氧化炉
正确答案:C -
第14题：
催化剂钝化时，（）进行注水。
- A、开始注氨时
- B、开始进低氮油时
- C、高压分离器有氨生成时
- D、注氨2h后
正确答案:D -
第15题：
氧和氧化物会使氨合成催化剂中毒这种中毒属于（）。
正确答案:暂时性中毒 -
第16题：
原料液氨中重组分含量偏高将会导致（）。
- A、氨蒸发器残液过多
- B、催化剂烧结
- C、氨烯比（氨比）偏低
- D、氨烯比（氨比）偏高
正确答案:A -
第17题：
氨合成塔催化剂暂时中毒后会导致催化剂温度（）。
- A、上升
- B、不变
- C、下降
- D、无法判断
正确答案:C -
第18题：
氨合成塔入口氨含量过高将会造成合成催化剂温度（）。
- A、上升
- B、下降
- C、不变化
- D、无法判断
正确答案:B -
第19题：
氨压缩浅冷装置工艺中，压缩后的气氨先进入（），用循环水冷却，气氨冷凝成液氨，进入储氨罐。
- A、过冷器
- B、冷凝器
- C、空冷器
- D、蒸发器
正确答案:B -
第20题：
属于氨蒸发系统的设备是（）。
- A、氨蒸发器
- B、氨预过滤器
- C、氨过热器
- D、蒸氨罐
正确答案:A,B,C,D -
第21题：
稀硝酸装置的连锁有（）。
- A、氨过热器出口温度超低
- B、氨过热器出口压力超高
- C、氨空比超高
- D、氧化氮分离器出口稀硝温度超高
正确答案:A,B,C,D -
第22题：
氨过热器在（）之前。
- A、氨蒸发器
- B、蒸氨罐
- C、氨预过滤器
- D、氨过滤器
正确答案:D -
第23题：
通过调节暖风器进汽阀的开度来控制进入暖风器的蒸汽流量，从而达到控制空预器热端温度的目的，以防止空预器结露腐蚀。（）
正确答案:错误