金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子

题目

金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。

  • A、空穴载流子
  • B、正负离子
  • C、自由电子
  • D、载流子
相似考题

1.自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。()此题为判断题(对，错)。

2.本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移 B、空穴，自由电子；漂移，扩散 C、空穴，自由电子；扩散，漂移 D、自由电子，空穴；漂移，扩散 E、自由电子，空穴；扩散，扩散

3.N型杂质半导体中，多数载流子是（）A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子

4.下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子

更多“金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子”相关问题

  • 第1题：

    关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）

    • A、自由电子和空穴总是成对出现
    • B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动
    • C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加
    • D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和

    正确答案:D

  • 第2题：

    存在于材料表面的带电粒子在电场作用下做定向运动，形成电流，通常称它们为载流子。（）


    正确答案:正确

  • 第3题：

    半导体内的载流子是（）。

    • A、正离子
    • B、负离子
    • C、自由电子
    • D、自由电子与空穴

    正确答案:D

  • 第4题：

    P型半导体中的多数载流子是（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、正离子

    正确答案:B

  • 第5题：

    PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    半导体中的载流子为（）。

    • A、正离子
    • B、负离子
    • C、电子
    • D、自由电子和空穴

    正确答案:D

  • 第7题：

    金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。

    • A、自由电子
    • B、正、负离子
    • C、空穴载流子
    • D、自由电子和空穴

    正确答案:A

  • 第8题：

    P型半导体中的多数载流子是指（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、自由电子—空穴对
    • D、等离子

    正确答案:B

  • 第9题：

    PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    单选题
    半导体内的载流子是（）。
    A

    正离子

    B

    负离子

    C

    自由电子

    D

    自由电子与空穴


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。
    A

    正离子数

    B

    负离子数

    C

    质子

    D

    原子


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    P型半导体的少数载流子是（）。

    • A、质子
    • B、自由电子
    • C、空穴
    • D、负离子

    正确答案:B

  • 第14题：

    载流子—电荷的自由粒子；金属：（）；无机材料：离子（正负离子、空位）、电子（负电子、空穴）


    正确答案:自由电子

  • 第15题：

    N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。

    • A、正离子
    • B、自由电子
    • C、空穴
    • D、负离子
    • E、质子
    • F、中子

    正确答案:B,C

  • 第16题：

    下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）

    • A、仅自由电子是载流子
    • B、仅空穴是载流子
    • C、自由电子和空穴都是载流子
    • D、三价杂质离子也是载流子

    正确答案:C

  • 第17题：

    漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    P型半导体的多数载流子是（）。

    • A、空穴
    • B、自由电子
    • C、正离子
    • D、负离子

    正确答案:A

  • 第19题：

    P型半导体中多数载流子是（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、负离子
    • D、正离子

    正确答案:B

  • 第20题：

    半导体中的载流子是指（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、离子
    • D、自由电子和空穴

    正确答案:D

  • 第21题：

    在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。

    • A、正离子数
    • B、负离子数
    • C、质子
    • D、原子

    正确答案:B

  • 第22题：

    单选题
    金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。
    A

    自由电子

    B

    正、负离子

    C

    空穴载流子

    D

    自由电子和空穴


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
    A

    空穴／自由电子

    B

    自由电子／空穴

    C

    空穴／共价键电子

    D

    负离子／正离子


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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