用QS-1型西林电桥反接线测量时，试验电压不能超过（）KV，而正接线测量时却（）限制。

第1题：

第2题：

西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。

A对

B错

错
略

第3题：

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

正确答案:错误

第4题：

在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

正确答案:错误

第5题：

用直流电桥测量电阻时，其测量结果中，（）。

• A、单臂电桥应考虑接线电阻，而双臂电桥不必考虑；
• B、双臂电桥应考虑接线电阻，而单臂电桥不必考虑；
• C、单、双臂电桥均应考虑接线电阻；
• D、单、双臂电桥均不必考虑接线电阻。

正确答案:A

第6题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）

• A、提高试验电压
• B、采用正接线方法
• C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰
• D、在被试设备上加装屏蔽罩

正确答案:A,B,C,D

第7题：

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？

正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

第8题：

用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。

• A、10kV
• B、1.1倍相电压
• C、2.2倍相电压
• D、线电压

正确答案:B

第9题：

用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？

正确答案: QS1型西林电桥分流器位置由被试品电容量决定：分流器位置在0.01档时，Cx一般在3000pF以下；分流器位置在0.025档时，Cx一般在8000pF以下；分流器位置在0.06档时，Cx一般在19400pF以下，分流器在0.15档时，Cx一般在48000pF以下；分流器位置在1.25档时，Cx一般在400000pF以下。
此被试品电容量为4000pF，则一般应选择在0.025档。

第10题：

用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。

• A、10Kv
• B、1.1倍相电压
• C、线电压

正确答案:B

第11题：

第12题：

第13题：

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

A对

B错

错
略

第14题：

计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg&时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）

正确答案: 由已知条件；CN=50pF，R3=345Ω，再由电桥计算公式CX=CNR4/R3=50×3184/345=461.4（pF）答：CX值为461.4pF"

第15题：

西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。

正确答案:错误

第16题：

QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。

正确答案:正确

第17题：

西林电桥采用正接线时，电桥处于低电压，操作比较安全，电桥内部不受（）影响，但被试品对地必须绝缘。

• A、大电流
• B、高电压
• C、强电场
• D、磁场

正确答案:C

第18题：

西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

• A、正接线
• B、反接线
• C、交叉接线

正确答案:B

第19题：

在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

正确答案:错误

第20题：

测量绝缘介损的仪器按原理可以分为（）。

• A、西林电桥
• B、电流比较型电桥
• C、M型电桥
• D、直流电流电压法电桥

正确答案:A,B,C

第21题：

用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）

正确答案: 由已知条件：CN=50pF，R3=345Ω，再由电桥计算公式解得Cx值为461.4pF。

第22题：

第23题：

第24题：