利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。

题目

利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。

相似考题

1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极

3.功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

4.场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

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  • 第1题：

    增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

    A、不能形成导电沟道

    B、漏极电压为零

    C、能够形成导电沟道

    D、漏极电流不为零


    参考答案：A

  • 第2题：

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案：B

  • 第3题：

    绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。

    • A、漏极
    • B、正极
    • C、负极
    • D、源极

    正确答案:A

  • 第4题：

    结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。

    • A、反偏电压
    • B、反向电流
    • C、正偏电压
    • D、正向电流

    正确答案:A

  • 第5题：

    当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。


    正确答案:耗尽；增强

  • 第6题：

    场效应管是通过（）改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第7题：

    结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。


    正确答案:反向

  • 第8题：

    场效应管共漏极放大电路的信号是从（）

    • A、栅极输入，漏极输出
    • B、源极输入，漏极输出
    • C、栅极输入，源极输出
    • D、漏极输入，源极输出

    正确答案:C

  • 第9题：

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道；感生电荷

  • 第10题：

    （）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。

    • A、半导体二极管；
    • B、晶体三极管；
    • C、场效应晶体管；
    • D、双向晶闸管。

    正确答案:C

  • 第11题：

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是（）。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第14题：

    描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

    • A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
    • B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
    • C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
    • D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

    正确答案:B

  • 第15题：

    场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。


    正确答案:0

  • 第16题：

    耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。


    正确答案:无；最小

  • 第18题：

    根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。


    正确答案:增强型

  • 第19题：

    场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。


    正确答案:平方

  • 第20题：

    结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。


    正确答案:反向

  • 第21题：

    EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。


    正确答案:错误

  • 第22题：

    单选题
    结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。
    A

    反偏电压

    B

    反向电流

    C

    正偏电压

    D

    正向电流


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    （）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。
    A

    半导体二极管；

    B

    晶体三极管；

    C

    场效应晶体管；

    D

    双向晶闸管。


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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