霍尔效应的原因是()
第1题:
霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于().
第2题:
霍尔式曲轴位置传感器利用触发叶片改变通过霍尔元件的磁场强度,从而使霍尔元件产生脉冲的霍尔()信号,即为曲轴位置传感器的输出信号。
第3题:
霍尔元件产生的霍尔电动势极性与()有关。
第4题:
霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受()作用产生()的结果。
第5题:
霍尔元件灵敏度SH=1.2mV/(mA*kGs),放在梯度为5kGs/mm的磁场中,如果额定控制电流为20mA,设霍尔元件在平衡点附近做±0.01mm摆动,问霍尔电压可达多少?
第6题:
霍尔效应是导体中的()在磁场中受()作用产生()的结果。
第7题:
霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。
第8题:
对
错
第9题:
第10题:
第11题:
霍尔元件的材质
元件的尺寸
控制电流i
元件所在磁场的磁感应强度
电流i与磁场方向的夹角
第12题:
电压
磁场
频率
温度
第13题:
霍尔式曲轴位置传感器是利用触发叶片或齿轮改变通过霍尔元件的磁场强度,使霍尔元件产生脉冲的霍尔电压信号,经放大整形而输出信号的。()
第14题:
当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时,在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压,这个电压叫做霍尔电压。
第15题:
如果没有磁场,能否便用霍尔元件,为什么?
第16题:
半导体薄片置于磁场中,当有电流流过是,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种现象称为()。
第17题:
霍尔效应的产生是由于运动电荷受到磁场中洛伦兹力的作用结果。
第18题:
在霍尔式传感器中,霍尔电势反比于磁场强度。
第19题:
霍尔元件所产生的霍尔电势与元件所在磁场的磁感应强度有关。
第20题:
对
错
第21题:
对
错
第22题:
霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱,由材料的物理性质决定
霍尔系数越大,霍尔电势越小
霍尔元件的厚度越大,霍尔电势越大
磁场的磁感应强度越大,霍尔电势越小
第23题:
光敏
电阻
电压