为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路

题目

为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。

  • A、du/dt抑制电路
  • B、抗饱和电路
  • C、di/dt抑制电路
  • D、吸收电路
相似考题

1.下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管

2.步进电动机功率驱动电路有（）等类型。A、单电压功率驱动B、双电压功率驱动C、斩波恒流功率驱动D、高低压功率驱动E、三电压功率驱动

3.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？

4.驱动轮输出功率检测应该采用（）。A、恒车速控制B、恒力控制C、恒流控制

更多“为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（”相关问题

  • 第1题：

    桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。

    • A、加快功率晶体管的开通
    • B、延缓功率晶体管的关断
    • C、加深功率晶体管的饱和深度
    • D、保护器件

    正确答案:A

  • 第2题：

    恒流驱动电路中接上反偏驱动电路的主要作用是（）。

    • A、加速功率管关断
    • B、加速功率晶体管开通
    • C、过电流保护
    • D、减小延迟时间

    正确答案:A

  • 第3题：

    恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是（）。


    正确答案:减小存储时间

  • 第4题：

    功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（）。

    • A、变流驱动
    • B、变压驱动
    • C、比例驱动
    • D、补偿驱动

    正确答案:C

  • 第5题：

    为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。

    • A、抑制电路
    • B、抗饱和电路
    • C、吸收电路

    正确答案:B

  • 第6题：

    交流晶体管调压器整形放大电路改善波形的措施有（）

    • A、提高晶体管的饱和深度或采用正反馈
    • B、采用正反馈和负反馈
    • C、提高晶体管的饱和深度和放大系数
    • D、提高晶体管的放大倍数或采用负反馈

    正确答案:A

  • 第7题：

    功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和（）驱动电种型。

    • A、微分
    • B、积分
    • C、比例
    • D、PID

    正确答案:C

  • 第8题：

    单选题
    驱动轮输出功率检测应该采用（）。
    A

    恒车速控制

    B

    恒力控制

    C

    恒流控制


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（）。
    A

    变流驱动

    B

    变压驱动

    C

    比例驱动

    D

    补偿驱动


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。
    A

    加快功率晶体管的开通

    B

    延缓功率晶体管的关断

    C

    加深功率晶体管的饱和深度

    D

    保护器件


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是（）。

    正确答案： 减小存储时间
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。
    A

    du/dt抑制电路

    B

    抗饱和电路

    C

    di/dt抑制电路

    D

    吸收电路


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。

    • A、加快功率晶体管开通
    • B、延缓功率晶体管关断
    • C、加深功率晶体管的饱和深度
    • D、保护器件

    正确答案:A

  • 第14题：

    对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。

    • A、导通
    • B、寿命
    • C、关断
    • D、饱和

    正确答案:C

  • 第15题：

    为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。

    • A、du/dt抑制电路
    • B、抗饱和电路
    • C、di/dt抑制电路
    • D、吸收电路

    正确答案:B

  • 第16题：

    试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。


    正确答案:不同：
    1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。
    2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。
    相同：
    1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。
    2.基极驱动电路应有一定的保护功能

  • 第17题：

    在晶闸管的恒流驱动电路中加入加速电容，主要是为了（）。

    • A、减小基极电流
    • B、增大集电极电流
    • C、减小储存时间
    • D、加快晶闸管的导通过程

    正确答案:D

  • 第18题：

    恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。

    • A、加快功率晶体管开通
    • B、延缓功率晶体管关断
    • C、加深功率晶体管的饱和深度
    • D、保护器件

    正确答案:A

  • 第19题：

    恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是（）。

    • A、加速功率管关断
    • B、加速功率晶体管开通
    • C、过电流保护
    • D、减小延迟时间

    正确答案:A

  • 第20题：

    问答题
    试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。

    正确答案： 不同：
    1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。
    2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。
    相同：
    1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。
    2.基极驱动电路应有一定的保护功能
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。
    A

    导通

    B

    寿命

    C

    关断

    D

    饱和


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。
    A

    抑制电路

    B

    抗饱和电路

    C

    吸收电路


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    在晶闸管的恒流驱动电路中加入加速电容，主要是为了（）。
    A

    减小基极电流

    B

    增大集电极电流

    C

    减小储存时间

    D

    加快晶闸管的导通过程


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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