绝缘试验时,tgδ随温度的增加而()。
第1题:
绝缘试验时,tgδ随温度增加而()。
第2题:
介质的绝缘电阻随温度升高而减少,金属材料的电阻随温度升高而增加。
第3题:
介质的绝缘电阻随温度升高而减少,金属材料的电阻随温度升高增加。
第4题:
绝缘体有缺陷时,其介损tgδ将随试验()升高而变()。
第5题:
温度对绝缘介质的绝缘电阻影响很大。一般随温度的升高而增大,随温度的降低而减小。
第6题:
一般情况下,tgδ随温度变化的增加而()
第7题:
绝缘试验时,tgδ随温度的增加而减小。
第8题:
一般情况下,变压器绝缘的吸收比随温度的增加而减小。
第9题:
高压电气设备绝缘的泄漏电流随温度的增加而()。
第10题:
绝缘体的绝缘电阻随温度的增加而()。
第11题:
关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是()。
第12题:
对
错
第13题:
绝缘良好的电气设备,其tgδ值随电压的升高而()。
第14题:
电介质的tgδ值()。
第15题:
高压下,气体的粘度具有的性质()。
第16题:
绝缘良好的电气设备,其tgδ值随电压的升高而()。
第17题:
一般情况下,绝缘的吸收比随温度的增加而()
第18题:
变压器的绝缘电阻随温度增加而()。
第19题:
一般情况下,变压器绝缘的吸收比随温度的增加而()。
第20题:
绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷,则其tgδ将随电压的升高而明显增加。
第21题:
当tgδ随温度增加明显增大或试验电压从10kV升到Um/√3,tgδ增量超过±0.3%时,不应继续运行。
第22题:
绝缘试验时,介质损耗因数虽温度的增加而()。
第23题:
随温度升高而下降
随频率增高而增加
随电压升高而下降
随湿度增加而增加