在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

题目

在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

相似考题

1.在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )

2.现场用QSI型西林电桥测量设备绝缘的tgδ，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tgδ值大。

3.在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？

4.用QSl型西林电桥进行实际测量时，消除磁场干扰的办法有：将电桥移到磁场干扰以外;在检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的试品tgδ值和电容值，然后再求取两次的平均值，以消除磁场干扰的影响。( )

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  • 第1题：

    采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。


    正确答案:错误

  • 第2题：

    分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？


    正确答案: 应特别注意的外界影响因素有：
    ①电力设备绝缘表面脏污。
    ②电场干扰和磁场干扰。
    ③试验引线的设置位置、长度。
    ④温度与湿度。
    ⑤周围环境杂物等。

  • 第3题：

    现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    用西林电桥测量tgδ时，若有磁场干扰，试述其消除方法？


    正确答案: ①为消除磁场对检流计的影响，②可移动电桥位置使之远离干扰源，③或将桥体就地转动改变角度，④找到干扰最小的方位，⑤再取检流计开关在两种极性下所测结果的平均值。

  • 第6题：

    现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。

    • A、试品电容量较大，影响较小
    • B、试品电容量较大，影响较大
    • C、与试品电容量无关

    正确答案:A

  • 第8题：

    用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。

    • A、大
    • B、相等
    • C、小
    • D、以上均不是

    正确答案:A

  • 第9题：

    在QSI型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥R3的调节值需趋向最高限值，电桥才能趋抽平衡。


    正确答案:正确

  • 第10题：

    用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？


    正确答案: 用QS1型西林电桥测tgδ的操作要点如下：
    （1）接线经检查无误后，将各旋钮置于零位，确定分流器档位；
    （2）接通光源，加试验电压，并将“＋tgδ”转至“接通I”位置；
    （3）增加检流计灵敏度，旋转调谐钮，找到谐振点，再调R3、C4使光带缩小；
    （4）提高灵敏度，再按顺序反复调节R3、C4及P，使灵敏度达最大时光带最小，直至电桥平衡；
    （5）读取电桥测量读数，将检流计灵敏度降至零位，降下试验电压，切断电源，将高压接地放电。

  • 第11题：

    单选题
    试品电容量约为15000pF，当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在（）档
    A

    0.01

    B

    0.025

    C

    0.06

    D

    0.15


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？


    正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
    由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

  • 第16题：

    试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。

    • A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大
    • B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小
    • C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响
    • D、以上均不是

    正确答案:B

  • 第17题：

    试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）

    • A、试品电容量越大，影响越大
    • B、试品电容量越小，影响越小
    • C、试品电容量越小，影响越大
    • D、与试品电容量的大小无关

    正确答案:C

  • 第18题：

    用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？


    正确答案: QS1型西林电桥分流器位置由被试品电容量决定：分流器位置在0.01档时，Cx一般在3000pF以下；分流器位置在0.025档时，Cx一般在8000pF以下；分流器位置在0.06档时，Cx一般在19400pF以下，分流器在0.15档时，Cx一般在48000pF以下；分流器位置在1.25档时，Cx一般在400000pF以下。
    此被试品电容量为4000pF，则一般应选择在0.025档。

  • 第19题：

    用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些？


    正确答案: 用QS1型西林电桥测tgδ的操作要点如下：
    （1）接线经检查无误后，将各旋钮置于零位，确定分流器档位；
    （2）接通光源，加试验电压，并将“＋tgδ”转至“接通I”位置；
    （3）增加检流计灵敏度，旋转调谐钮，找到谐振点，再调R3、C4使光带缩小；
    （4）提高灵敏度，再按顺序反复调节R3、C4及P，使灵敏度达最大时光带最小，直至电桥平衡；
    （5）读取电桥测量读数，将检流计灵敏度降至零位，降下试验电压，切断电源，将高压接地放电。

  • 第20题：

    在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。


    正确答案:错误

  • 第22题：

    判断题
    适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置
    A

    0.01

    B

    0.025

    C

    0.06

    D

    0.15


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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