为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？

第1题：

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。

第2题：

在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

第3题：

QS1电桥测量介质损耗角的反接法适用于试品一端接地的情况。

第4题：

QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。

第5题：

采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。

• A、低
• B、高
• C、相等

第6题：

试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置

• A、0.01
• B、0.025
• C、0.06
• D、0.15

第7题：

测试介质损失角正切时，QS₁型西林电桥有（）种接线方式。

• A、二
• B、三
• C、四
• D、五

第8题：

小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

第14题：

QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。

第15题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）

• A、提高试验电压
• B、采用正接线方法
• C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰
• D、在被试设备上加装屏蔽罩

第16题：

采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。

第17题：

西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

• A、正接线
• B、反接线
• C、交叉接线

第18题：

在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

第19题：

用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？

第20题：

现场用电桥测量介质损耗因数，出现负数的可能原因是（）。

• A、标准电容器有损耗
• B、外部电场干扰
• C、试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响
• D、空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响

第21题：

第22题：

第23题：