产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R

第1题：

产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。

A对

B错

第2题：

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

A对

B错

第3题：

产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。

第4题：

产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。

第5题：

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。

第6题：

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

第7题：

在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。

• A、2.83倍；
• B、2倍；
• C、1倍；
• D、1.414倍。

第8题：

单相半波整流电路的电路简单，但直流输出电压低、脉动大、整流效率低。

第9题：

在直流耐压试验的半波整流线路中，高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅值的倍数为（）。

• A、2倍
• B、1倍
• C、1/2倍

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。

A对

B错

第14题：

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。

A对

B错

第15题：

产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。

第16题：

在单相整流电路中，单相半波整流电路输出的直流脉动最大。

第17题：

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。

第18题：

50HZ交流电路半波整流后，其输出为（）。

• A、直流
• B、交流
• C、50HZ脉动直流
• D、100HZ脉动直流

第19题：

正弦交流信号经半波整流电路后，输出的是（）.

• A、正弦交流
• B、平滑的直流
• C、脉动直流
• D、方波

第20题：

工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。

第21题：

第22题：

第23题：