测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的介损和电容时，相同电压等级的（），将非测量的其他电压等级的绕组三相短路接地，否则会造成较大的误差。A、其他非测试相绕组及中性点悬空B、绕组中性点接地C、其他非测试相绕组及中性点短路D、三相绕组及中性点必须短接加压

第1题：

测量变压器电容型套管的tanδ和电容值用正接法测量（）

第2题：

当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

第3题：

变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。

• A、10
• B、15
• C、20
• D、25

第4题：

油浸电容式套管的试验项目有（）。

• A、绝缘电阻
• B、交流耐压
• C、电容值和介损
• D、油色谱分析

第5题：

在运行中的变压器发生异常时，通过进行（）可以发现变压器铁心磁路中的局部和整体缺陷。

• A、绕组介损试验
• B、空载试验
• C、套管电容量测试
• D、绕组绝缘电阻

第6题：

用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。

• A、大
• B、相等
• C、小
• D、以上均不是

第7题：

测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tgδ和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出者）必须短接一起加压，其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差。

第8题：

在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

第9题：

小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。

第10题：

进行绝缘介损测量时，当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。（）

第11题：

下列哪项试验是电容式电压互感器的诊断性试验项目（）。

• A、红外热成像检测
• B、电容分压器电容量测试
• C、电容分压器介损测量
• D、局部放电测量

第12题：

第13题：

测量装在三相变压器的任一相电容型套管的tg∮和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出者）必须短接一起加压，其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差。

第14题：

110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。

• A、18
• B、20
• C、22
• D、25

第15题：

电容型变压器套管在安装前必须做两项实验：tgδ及电容量的测量。

第16题：

变压器套管介质损耗因数介损超过标准要求（）。

• A、结合套管电容量、绝缘电阻、油色谱等诊断性试验结果进行综合分析
• B、开展B类检修更换套管
• C、结合套管电容量、绝缘电阻等诊断性试验结果进行综合分析，开展C类检修更换套管
• D、结合套管电容量、绝缘电阻、油色谱等诊断性试验结果进行综合分析，开展A类检修更换套管

第17题：

进行电容型试品末屏介损测量时，期试验电压一般不应超过（2）kV。

第18题：

测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。

第19题：

测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。

• A、10000V
• B、5000V
• C、2500V
• D、1000V

第20题：

用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量，操作不正确的是（）。

• A、拆除高压引线
• B、将中间变压器高压绕组接地端断开
• C、电桥输出电压10000V
• D、电桥输出电压不能过高

第21题：

用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。

第22题：

当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器C1和C2的电容量和介损时，必须严格按照试验规程规定。（）

第23题：

当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。