在现场测量介损tgδ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。

题目

在现场测量介损tgδ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。


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  • 第1题:

    关于交联聚乙烯电力电缆的介质损耗因数测量,说法正确的是()。

    • A、介质损耗因数测量是其例行试验项目
    • B、可以在工频电压下测量,也可以在0.1Hz低频电压下测量
    • C、介损值大于0.002时,应进一步试验
    • D、试验电压不应超过2500V

    正确答案:B,C

  • 第2题:

    在绝缘预防性试验中,tgδ是基本测试项目,当绝缘受潮或劣化时,tgδ急剧上升。绝缘内部是否普遍局部放电,也可以通过测介损与电压的关系曲线加以判断。


    正确答案:正确

  • 第3题:

    绝缘体有缺陷时,其介损tgδ将随试验()升高而变()。


    正确答案:电压;增大

  • 第4题:

    受电源波形影响较大的继电器,试验时应使用()供电。

    • A、线电压
    • B、相电压
    • C、交流稳压电源

    正确答案:A

  • 第5题:

    测量变压器整体对地介损tgδ,可采用介损仪正接线及反接线。


    正确答案:错误

  • 第6题:

    用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)


    正确答案: 由已知条件:CN=50pF,R3=345Ω,再由电桥计算公式解得Cx值为461.4pF。

  • 第7题:

    用反接线测量电磁式电流互感器的介损,一次加压,二次开路,对其测量介损tgδ值影响不大。


    正确答案:错误

  • 第8题:

    在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。


    正确答案:错误

  • 第9题:

    测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法,有哪几种?


    正确答案: 主要有以下几种方法:
    ①常规法-测量一次绕组对二次及剩余绕组及对的介损;
    ②末端加压法-高压端A接地,末端X加压,二次及剩余绕组的一端接入电桥CX,正接线;
    ③自激法-由二次励磁,末端X接QS1电桥的E,用电桥的侧接线测量;
    ④末端屏蔽法-由高压端A加压,X端和底座接地,二次及剩余绕组各一端(X,XA.引入电桥CX,正接线测量,这种方法也是测量支架介损的方法之一。

  • 第10题:

    用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。

    • A、10Kv
    • B、1.1倍相电压
    • C、线电压

    正确答案:B

  • 第11题:

    关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是()。

    • A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加
    • B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tgδ值就较大,随着电压的升高tgδ值增大
    • C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tgδ急剧增高
    • D、绝缘中含有离子型杂质的设备,tgδ随电压上升而下降

    正确答案:A,B,C,D

  • 第12题:

    填空题
    在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。

    正确答案: 谐放,平衡
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。


    正确答案:错误

  • 第14题:

    当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。


    正确答案:正确

  • 第15题:

    在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。


    正确答案:谐放;平衡

  • 第16题:

    用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。

    • A、10kV
    • B、1.1倍相电压
    • C、2.2倍相电压
    • D、线电压

    正确答案:B

  • 第17题:

    进行电容型试品末屏介损测量时,期试验电压一般不应超过(2)kV。


    正确答案:正确

  • 第18题:

    采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压,X端和底座接地,二、三次短路后,引入介损仪,采用正接线。


    正确答案:错误

  • 第19题:

    在现场相同条件下(好天气),用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。


    正确答案:错误

  • 第20题:

    用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。


    正确答案:错误

  • 第21题:

    进行绝缘介损测量时,当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。()


    正确答案:正确

  • 第22题:

    变电所高压电气设备试验项目包括()

    • A、绝缘电阻的测量
    • B、直流高压试验
    • C、介损tgδ的测定
    • D、交流耐压试验

    正确答案:A,B,C,D

  • 第23题:

    判断题
    现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析