可控硅导通后,管压降一般约为()V左右
第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。
第3题:
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。
第4题:
可控硅导通后,其压降()左右。
第5题:
一般硅二极管导通电压为()V。
第6题:
晶闸管导通后,其正向压降约等于()。
第7题:
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。
第8题:
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
第9题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第10题:
晶闸管导通时的管压降约()V。
第11题:
0.2V
0.5V
1V
第12题:
1V
0.2V
0.6V
第13题:
A.0.1
B.0.3
C.0.5
D.0.7
第14题:
硅材料PN结的结压降为()V。
第15题:
晶闸管导通后,本身的压降约为()V左右,称为通态平均电压。
第16题:
二极管的伏安特性可大概理解为()、()。导通的硅管的压降约为()V。
第17题:
二极管真正导通后,锗管的电压约为()V。
第18题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第19题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第20题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第21题:
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
第22题:
PNP管大多为锗管,其发射结的正向压降一般为()V。
第23题: