锗二极管正向电压超过0.2伏左右,硅管超过0.5伏左右,正向电流很快上升。
第1题:
区分硅管和锗管是通过测量BE结的()。
第2题:
在判断被测二极管是硅管还是锗管,一般情况下是通过测量()来判断的。
第3题:
当硅二极管正向施加超过1V以上的电压时,则()。
第4题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第5题:
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
第6题:
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
第7题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第8题:
晶体管的PN结的正向压降为()。
第9题:
为什么二极管具有单向导电性?硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏?
第10题:
硅二极管的正向电阻()锗二极管的正向电阻。
第11题:
锗管为0.3V左右
锗管为0.7V左右
硅管为0.3V左右
硅管为0.7V左右
第12题:
第13题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第14题:
锗二极管的正向压降通常为()。
第15题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第16题:
硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。
第17题:
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
第18题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
第19题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第20题:
硅二极管上外加正向电压很低时,正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约()时,正向电流才明显增加,这个电压称为硅二极管的门坎电压。
第21题:
锗二极管的正向导通电压为()。
第22题:
正向电阻
正向电流
反向电阻
正向导通电压
第23题: