当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()。
第1题:
ARM处理器将R0中一个字的数据,存入由R1指示的内存区域,则使用的指令是()。
A.STR R0,[R1]
B.LDR R0,[R1]
C.STRH R0,[R1]
D.STRB R0,[R1]
第2题:
已知ARM处理器的R1=0x12345678, R2=0xFF00FF00,则执行指令ORR R0,R1,R2后,寄存器R0=___【11】____,R1=___【12】____。
第3题:
已经R0=8000,R1=8800,执行指令MOV R0,R1, LSR2后,R0=___【13】____,R1=___【14】____。
第4题:
如果条件为负数,将R1指向的内存单元中8位数据加载到R0寄存器中,正确的ARM指令为:()。
A.LDRPL R0,[R1]
B.LDRMI R0,[R0]
C.LDRHMI R1,[R0]
D.LDRBMI R0,[R1]
第5题:
当电源内阻为 R0 时,负载 R1 获得最大输出功率的条件是()。
A.R1 >R0
B.R1 <R0
C.R1=2R0
D.R1 =R0
第6题:
执行ARM指令STR R0,[R1,#4]!之后,以下说法正确的是()。
第7题:
ARM指令LDR R0,[R1,#4]!执行后,以下说法正确的是()。
第8题:
ARM处理器将R0中一个字的数据,存入由R1指示的内存区域,则使用的指令是()。
第9题:
已知R1=8,R0=9,执行指令MOV R0,R1,LSR#3后,R0的值为()。
第10题:
当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()。
第11题:
当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()
第12题:
AND R0, R1, R2
SUB R0, R1, R2
ADD R0, R1, R2
AND R1, R2, R0
第13题:
已知ARM处理器进位标志C=1, R1=1000, R2=99, 执行指令ADDC R0,R1,R2之后,R0=___【13】____, R1=___【14】____。
第14题:
以下ARM指令中属于寄存器间接寻址的指令是()。
A.TST R1,0xFE
B.LDRB R1,[R2]
C.MOV R1,R0,LSL3
D.BIC R0,R0,0x0B
第15题:
已知R0=0,R1=10000,R2=20000,指令ADD R0,R1,R2执行后,R0=___【13】____,R1=___【14】____。
第16题:
已知R0=0x10,R1=0x20,R2=0x08,R3=0xFFFFFFF3,则指令LSL R0,R0,R2执行后,R0=___【13】___,指令MVN R1,R3执行后R1=___【14】___。
第17题:
初始值R1=23H,R2=0FH执行指令BIC R0, R1,R2,LSL #1后,寄存器R0,R1的值分别是多少?
第18题:
下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中.()
第19题:
执行ARM指令MOV R0,R1,LSL#3后,R0的值为()。
第20题:
在指令LDR R0,[R1,#4]!执行后,R1中的值为()。
第21题:
阅读下列程序,回答问题: LDR R0, 0x22 LDR R1, 0x11 SUB R0, R0, R1 CMP R0, R1 执行上述程序后,CPSR的下列哪个标志位将发生变化()
第22题:
金属导电环式结冰信号器的受感器中装有热敏电阻R0和加温电阻R1,当受感器感受的温度在0°以下时,在()
第23题:
0x22
0x33
0x11
0
第24题:
LDRPL R0,[R1]
LDRMI R0,[R0]
LDRHMI R1,[R0]
LDRBMI R0,[R1]