IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）A、Na+B、Ca2+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+E、Na+、K+、Cl-，尤其是K+

题目

IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）

A、Na⁺
B、Ca²⁺
C、K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
D、Na⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Na⁺
E、Na⁺、K⁺、Cl^-，尤其是K⁺

相似考题

1.抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+

2.IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的()A、K+、Na+，尤其是K+B、K+、Na+，尤其是Na+C、Ca2+、K+、Cl-，尤其是K+D、K+、Cl-，尤其是Cl-E、Ca2+、Cl-，尤其是Ca2+

3.EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的()A、K+、Na+，尤其是K+B、K+、Na+，尤其是Na+C、K+、Na+、Cl-，尤其是Cl-D、Ca2+，K+、Cl-，尤其是K+E、K+、Cl-，尤其是Cl-

4.兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+

更多“IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）A、Na+B、Ca2+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+E、Na+、K+、Cl-，尤其是K+”相关问题

第1题：

IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加
A.Na+
B.Ca2+
C.K+、Cl-，尤其是Cl-
D.Na-、K+、Cl-，尤其是Na+
E.Na+、K+、Cl-，尤其是K+

正确答案：C
第2题：

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
A．Na+，Cl-，K+，尤其是K+
B．Ca2+，K+，Cl-，尤其是Ca2+
C．Na+，K+，尤其是Na+
D．K+，Cl-，尤其是Cl-
E．K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+

正确答案：D
第3题：

IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性

A. K+、Cl-，尤其是Cl-
B. K+、Cl-，尤其是K+
C. Na+、K+、Cl-，尤其是Na+
D. Na+、K+、Ca2+，尤其是Na2+
E. Na+、K+、Ca2+，尤其是Ca2+

答案：A
解析：
第4题：

EPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加

A. Na+、K+、Cl-,尤其是K+
B. Na+、K+、Cl-，尤其是Na+
C. K+、Cl-，尤其是Cl-
D. K+、Cl-，尤其是 K+

答案：B
解析：
第5题：

抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括

A:Na⁺,K⁺，尤其是K⁺
B:Ca²⁺,Cl^-，尤其是Ca²⁺
C:Na⁺,Cl^-，尤其是Na⁺
D:K⁺,Cl^-，尤其是Cl^-
E:K⁺,Ca²⁺,Na⁺，尤其是Ca²⁺

答案：D
解析：
抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl^-（为主）和K⁺的通透性升高，引起Cl^-的内流和K⁺的外流，使膜内负电位更负，引进突触后神经元产生抑制。
第6题：

IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）
- A、Na⁺
- B、Ca²⁺
- C、K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
- D、Na⁺、K⁺、Cl^-，尤其是K⁺
- E、Na⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Na⁺
正确答案:C
第7题：

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。
- A、Na+、Cl-、K+，尤其是K+
- B、Ca2+K+、Cl-，尤其是Ca2+
- C、Na+、K+，尤其是Na+
- D、K+、Cl-，尤其是C1-
- E、K+、Cl-、Na+，尤其是Cl-
正确答案:D
第8题：

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）
- A、Ca²⁺、K⁺，尤其是Ca²⁺
- B、Cl^-、K⁺，尤其是K⁺
- C、K、Na、Cl^-
- D、Na⁺、Cl^-，尤其是Na⁺
- E、Na⁺、K⁺，尤其是Na⁺
正确答案:E
第9题：

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）
- A、Na⁺、Cl^- 、K⁺，尤其是K⁺
- B、Ca²⁺、K⁺ 、Cl^- ，尤其是Ca²⁺
- C、Na⁺ 、K⁺ ，尤其是Na⁺
- D、K⁺、Cl^- ，尤其是Cl^-
- E、K⁺、Ca²⁺、Na⁺，尤其是Ca²⁺
正确答案:D
第10题：

IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）
- A、Na⁺
- B、Ca²⁺
- C、K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
- D、Na⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Na⁺
- E、Na⁺、K⁺、Cl^-，尤其是K⁺
正确答案:C
第11题：

单选题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）
A
Na⁺、Cl^-、K⁺，尤其是K⁺
B
Ca²⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Ca²⁺
C
Na⁺、K⁺，尤其是Na⁺
D
K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
E
K⁺、Ca²⁺、Na⁺，尤其是Ca²⁺

正确答案： D
解析：暂无解析
第12题：

单选题
IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加？（　　）
A
Na^＋、K^＋、Cl^-，尤其是K^＋
B
Na^＋
C
K^＋、Cl^-，尤其是Cl^-
D
Ca²^＋
E
Na^＋、K^＋、Cl^-，尤其是Na^＋、

正确答案： C
解析：由于突触后膜提高了对K^＋、Cl^-，尤其是Cl^-离子的通透性，使得较多量Na^＋通道无法开放，增加了极化作用，造成了较大的去极化，形成IPSP。
第13题：

抑制性突触后电位的产生，是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?
A．K+、Cl-，尤其是Cl-
B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
C．Na+、K+，尤其是Na+
D．Na+、Cl-、K+，尤其是K+

正确答案：A
第14题：

EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性

A. K+、Cl-，尤其是Cl-
B. K+、Cl-，尤其是K+
C. Na+、K+、Cl-，尤其是Na+
D. Na+、K+、Ca2+，尤其是Na2+
E. Na+、K+、Ca2+，尤其是Ca2+

答案：C
解析：
第15题：

IPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加

A. Na+、K+、Cl-,尤其是K+
B. Na+、K+、Cl-，尤其是Na+
C. K+、Cl-，尤其是Cl-
D.K+、Cl-，尤其是K+

答案：C
解析：
第16题：

抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加

A:Na⁺,K⁺，尤其是K⁺
B:Ca²⁺,Cl^-，尤其是Ca²⁺
C:Na⁺,Cl^-，尤其是Na⁺
D:K⁺,Cl^-，尤其是Cl^-
E:K⁺,Ca²⁺,Na⁺，尤其是Ca²⁺

答案：D
解析：
抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl^-（为主）和K⁺的通透性升高，引起Cl^-的内流和K⁺的外流，使膜内负电位更负，引进突触后神经元产生抑制。
第17题：

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位

A:Na⁺、Cl^-、K⁺，尤其是K⁺
B:Ca²⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Ca²⁺
C:K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
D:Na⁺、Cl^-、K⁺尤其是Na⁺
E:K⁺、Ca²⁺、Na⁺，尤其是Ca²⁺

答案：D
解析：
第18题：

EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）
- A、Na⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Na
- B、Ca⁺和K⁺
- C、Nal⁺、K⁺、Cl^-，尤其是K⁺
- D、Na⁺、K⁺、Cl^-尤其是Cl^-
- E、Na⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Ca⁺
正确答案:A
第19题：

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）
- A、K⁺、Cl^-，尤其是K⁺
- B、Na⁺、Cl^-，尤优其是Na⁺
- C、K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
- D、Ca²⁺、CI^-，尤其是Ca²⁺
- E、Na⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
正确答案:C
第20题：

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）
- A、Ca²⁺、K⁺，尤其是Ca²⁺
- B、Cl^-、K⁺，尤其是K⁺
- C、K⁺、Na⁺、Cl^-
- D、Na⁺、Cl^-，尤其是Na⁺
- E、Na⁺、K⁺，尤其是Na⁺
正确答案:E
第21题：

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）
- A、Na+，K+，Cl-尤其是K+
- B、Ca2+，K+，Cl-尤其上是Ca2+
- C、Na+，K+，尤其是Na+
- D、K+，Cl-尤其是Cl-
- E、Ca2+，Na+尤其是Ca2+
正确答案:C
第22题：

单选题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对____的通透性增加所致（　　）。
A
Na⁺、Cl^-、K⁺，尤其是K⁺
B
Ca²⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Ca²⁺
C
Na⁺、K⁺，尤其是Na⁺
D
K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
E
K⁺、Cl^-、Na⁺，尤其是Cl^-

正确答案： B
解析：
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-的通透性增加所致，其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控Cl^-通道开放。这种配体门控通道的开放引起Cl^-内流，结果突触后膜发生超极化。此外，抑制性突触后电位的形成还可能与突触后膜K⁺通道的开放或Na⁺通道和Ca²⁺通道的关闭有关。
第23题：

单选题
兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）
A
Ca⁺、K⁺，尤其是Ca²⁺
B
Cl^-、K⁺，尤其是K⁺
C
K⁺、Na⁺、Cl^-
D
Na⁺、Cl^-，尤其是Na⁺
E
Na⁺、K⁺，尤其是Na⁺

正确答案： C
解析：暂无解析
第24题：

单选题
兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性？（　　）
A
Na⁺、K⁺、Cl^-，尤其是对K⁺
B
Ca²⁺、K⁺、Cl^-，尤其是对Ca²⁺
C
Na⁺、K⁺，尤其是对Na⁺
D
K⁺、Cl^-，尤其是对Cl^-
E
K⁺、Ca²⁺、Na⁺，尤其是对Ca²⁺

正确答案： D
解析：暂无解析

IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）A、Na+B、Ca2+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+E、Na+、K+、Cl-，尤其是K+

题目

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