若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

题目

若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）

  • A、低于体瓷烧结温度5℃
  • B、低于体瓷烧结温度10℃
  • C、高于体瓷烧结温度5℃
  • D、高于体瓷烧结温度10℃
  • E、以上均不正确
相似考题

1.上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

2.若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃

3.用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

4.若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

更多“若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）”相关问题

  • 第1题：

    自身釉烧结的温度是

    A.低于体瓷烧结温度6～8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案：B

  • 第2题：

    上釉的烧结温度是

    A．低于体瓷温度5℃

    B．低于体瓷温度10℃

    C．低于体瓷温度20℃

    D．高于体瓷温度5℃

    E．高于体瓷温度10℃


    正确答案：B
    B

  • 第3题：

    在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是

    A．31～40℃

    B．21～30℃

    C．10℃以内

    D．11～20℃

    E．5℃


    正确答案：C

  • 第4题：

    上釉的烧结温度是（）。

    • A、低于体瓷烧结温度5℃
    • B、低于体瓷烧结温度10℃
    • C、高于体瓷烧结温度5℃
    • D、高于体瓷烧结温度10℃
    • E、以上均不正确

    正确答案:B

  • 第5题：

    单选题
    若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（　　）。
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    单选题
    若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。
    A

    低于体瓷烧结温度5℃

    B

    低于体瓷烧结温度10℃

    C

    高于体瓷烧结温度5℃

    D

    高于体瓷烧结温度10℃

    E

    以上均不正确


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    以下关于金瓷冠的描述，错误的是（）
    A

    瓷层越厚越好

    B

    镍铬合金基底冠较金合金强度好

    C

    避免多次烧结

    D

    体瓷要在真空中烧结

    E

    上釉在空气中完成


    正确答案： E
    解析： 瓷层厚度有一定要求，太薄导致不够美观，太厚则会影响修复体强度。

  • 第8题：

    PFM冠上釉时的炉温是

    A、与体瓷的烧结温度相同

    B、低于体瓷烧结温度6～8℃

    C、低于体瓷烧结温度10～20℃

    D、高于体瓷烧结温度6～8℃

    E、高于体瓷烧结温度10～20℃


    参考答案：B

  • 第9题：

    以下关于金瓷冠的描述，错误的是

    A、瓷层越厚越好

    B、镍铬合金基底冠较金合金强度好

    C、避免多次烧结

    D、体瓷要在真空中烧结

    E、上釉在空气中完成


    参考答案：A

  • 第10题：

    若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。

    • A、低于体瓷烧结温度5℃
    • B、低于体瓷烧结温度10℃
    • C、高于体瓷烧结温度5℃
    • D、高于体瓷烧结温度10℃
    • E、以上均不正确

    正确答案:D

  • 第11题：

    单选题
    瓷粉堆筑的基本顺序是（　　）。
    A

    体瓷—切瓷—遮色瓷—透明瓷—上釉

    B

    切瓷—体瓷一透明瓷一遮色瓷—上釉

    C

    遮色瓷—切瓷—透明瓷—体瓷—上釉

    D

    遮色瓷—体瓷—切瓷一透明瓷—上釉

    E

    透明瓷—遮色瓷—体瓷—切瓷—上釉


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（　　）。
    A

    高20～30℃

    B

    高10～20℃

    C

    高10℃以内

    D

    低10℃以内

    E

    低10～20℃


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    单选题
    在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（　　）。
    A

    31～40℃

    B

    21～30℃

    C

    10℃以内

    D

    11～20℃

    E

    5℃


    正确答案： B
    解析：
    一般以低于体瓷烧结温度6～8℃进行烧结，以保证体瓷不变形。采用体瓷、透明瓷自身上釉，需将炉温升至高于体瓷烧结温度10℃以内。

  • 第14题：

    单选题
    PFM冠上釉时的炉温是（　　）。
    A

    与体瓷的烧结温度相同

    B

    低于体瓷烧结温度6～8℃

    C

    低于体瓷烧结温度10～20°C

    D

    高于体瓷烧结温度6～8℃

    E

    高于体瓷烧结温度10～20℃


    正确答案： A
    解析：
    低于体瓷烧结温度6～8℃，以保证体瓷不变形。

相关内容