发光二极管正常工作时的正向压降大约为()
第1题:
二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。
第2题:
发光二极管LED工作时,其正向导通电压约为()
第3题:
发光二极管工作时,应加()。
第4题:
硅整流器在正常工作时,每个整流元件的正向电压降不大于()。
第5题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第6题:
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第7题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第8题:
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
第9题:
红色发光二极管导通时的正向压降约为()。
第10题:
0.2~0.3V
0.6~0.7V
1.5~3V
0.1~1V
第11题:
均加正向电压
均加反向电压
前者加反向电压,后者加正向电压
前者加正向电压,后者加反向电压
第12题:
第13题:
正常工作时,发光二极管与光电二极管应外加()
第14题:
管压降是指二级管导通时的()
第15题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第16题:
硅二极管的正向导通压降约为()
第17题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第18题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第19题:
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
第20题:
LED数码管的使用与发光二极管相同,根据其材料不同正向压降一般为()V,额定电流为()mA,最大电流为()mA。
第21题:
1V
0.2V
0.6V
第22题:
0.7V
3V
4V
5V
第23题:
0.2~0.3V
0.6~0.7V
0.7~1.2V
1.4~2.8V