影响晶体生长形态的外因？

第1题：

水热法的不足之处在于（）。

A、装置费用高
B、操作时无法观察晶体生长情况
C、晶体生长速度太慢
D、A、B、C都是

正确答案:D

第2题：

铸铁的组织中，柱状区形成的外因是（）。

A、晶体生长的各向异性
B、晶体生长的各向同性
C、传热的方向性
D、晶体长大的速度

正确答案:C

第3题：

分析晶体生长形态与温度梯度的关系？

正确答案:晶体生长的形态取决于固-液界面的微观结构和界面前沿液相中的温度分布情况。
（1）在正温度梯度条件下生长的界面形态一般为平面状界面
对于光滑界面，界面向前推移时，以二维或缺陷长大方式向液体中平行推进，长大台阶平面多为晶体学晶面，若无其它因素干扰，多成长为以密排晶面为表面的具有规则外形的晶体。
对于粗糙界面，晶体成长时界面只能随着液体的冷却而均匀一致地向液相推移，与散热方向垂直的每一个垂直长大的界面一旦局部偶有突出，便进入低于临界过冷度甚至熔点mT以上的温度区域，生长即刻停止。所以，液固界面也近似保持平行平面，使其具有平面状长大形态。
（2）在负温度梯度条件下生长的界面形态一般为枝晶界面
这种温度梯度条件下，由于界面前沿液体中的过冷度不断增大，成长时如果界面的某一局部发展较快而偶有突出，则其将伸入到过冷度更大的液体中，从而使生长速度加快。这样，晶体在生长时界面形态像树枝一样，先长出主晶轴（一次晶轴），再长出分枝晶轴（二次晶轴、三次晶轴）。每一个枝晶随着结晶和液体的补充最终长成一个晶粒，结晶完成后晶体一般不表现规则外形。
具有光滑界面的晶体物质在负温度梯度下的生长方式，也有树枝状结晶倾向，并与杰克逊因子有关：值不太大时，以枝晶为主，有时带有小平面特征；值较大时，则形成规则形状晶体的可能性大。

第4题：

在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。

A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度
B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度
C、晶体生长速度等于晶核生成速度
D、以上都不对

正确答案:A

第5题：

晶体生长

正确答案: 在过饱和溶液中已有晶核形成或加入晶种后，以过饱和度为推动力，晶核或晶种将长大，这种现象。

第6题：

影响嫁接成活的内、外因素是什么？

正确答案:内因是砧木和接穗亲和力大小，内部组织结构和生理机能的差异以及两者生活力的强弱。外因是嫁接季节、方法、嫁接技术熟练程度等。

第7题：

问答题

分析晶体生长形态与温度梯度的关系？

正确答案：晶体生长的形态取决于固-液界面的微观结构和界面前沿液相中的温度分布情况。
（1）在正温度梯度条件下生长的界面形态一般为平面状界面
对于光滑界面，界面向前推移时，以二维或缺陷长大方式向液体中平行推进，长大台阶平面多为晶体学晶面，若无其它因素干扰，多成长为以密排晶面为表面的具有规则外形的晶体。
对于粗糙界面，晶体成长时界面只能随着液体的冷却而均匀一致地向液相推移，与散热方向垂直的每一个垂直长大的界面一旦局部偶有突出，便进入低于临界过冷度甚至熔点mT以上的温度区域，生长即刻停止。所以，液固界面也近似保持平行平面，使其具有平面状长大形态。
（2）在负温度梯度条件下生长的界面形态一般为枝晶界面
这种温度梯度条件下，由于界面前沿液体中的过冷度不断增大，成长时如果界面的某一局部发展较快而偶有突出，则其将伸入到过冷度更大的液体中，从而使生长速度加快。这样，晶体在生长时界面形态像树枝一样，先长出主晶轴（一次晶轴），再长出分枝晶轴（二次晶轴、三次晶轴）。每一个枝晶随着结晶和液体的补充最终长成一个晶粒，结晶完成后晶体一般不表现规则外形。
具有光滑界面的晶体物质在负温度梯度下的生长方式，也有树枝状结晶倾向，并与杰克逊因子有关：值不太大时，以枝晶为主，有时带有小平面特征；值较大时，则形成规则形状晶体的可能性大。

解析：暂无解析

第8题：

问答题

什么是晶体生长理论？

正确答案：从微观角度看，晶体生长过程可以看做一个基元过程。基元过程包括以下主要步骤：
（1）基元的形成。
（2）基元在生长界面的吸附。
（3）基元在界面的运动。
（4）基元在界面上的结晶或脱附。

解析：暂无解析

第9题：

单选题

在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。

A

晶体生长速度大大超过晶核生成速度

B

晶体生长速度大大低于过晶核生成速度

C

晶体生长速度等于晶核生成速度

D

以上都不对

正确答案： B

解析：暂无解析

第10题：

问答题

试述杂质对晶体生长速率的影响途径。

正确答案： ⑴通过改变溶液的组成或平衡饱和浓度，改变晶体与溶液之间界面上液层的特性，影响溶质长入晶面。
⑵杂质本身在晶面上吸附，产生阻挡作用。
⑶如结构与晶格有相似之处，杂质有可能长入晶体内；晶体生长过快产生晶体缺陷和位错时，晶格不同也可能产生吸藏现象。