更多“在金属间化合物的制备方法中,单晶化合物的制备方法与定向凝固法有何”相关问题
  • 第1题:

    常用定向凝固方法有()

    • A、发热剂法
    • B、功率降低法
    • C、快速凝固法
    • D、液态金属冷却法

    正确答案:A,B,C,D

  • 第2题:

    如何利用CVD制备金属间化合物薄膜?


    正确答案:一般认为CVD成膜有几个主要阶段:反应气体向衬底表面的输送扩散;反应气体在衬底表面的吸附;衬底表面气体间的化学反应,生成固态和气态产物,固态生成物粒子经表面扩散成膜;气态生成物由内向外的扩散和表面解吸;衬底表面有足够的反应气体供应。

  • 第3题:

    用延缓药物释放的方法来增加药物作用时间制备口服长效制剂的主要方法有()、与高分子化合物生成难溶性盐、控制粒子大小。


    正确答案:制成溶解度小的盐或酯

  • 第4题:

    工业中单晶硅的制备方法主要有()和区熔法(FZ法)


    正确答案:直拉单晶法(CZ法或切克劳斯基法)

  • 第5题:

    下面哪种不是单晶硅的制备方法()。

    • A、硅带法
    • B、区熔法
    • C、直拉单晶法
    • D、磁拉法

    正确答案:A

  • 第6题:

    问答题
    列出从熔体制备单晶、非晶的常用方法有哪些?

    正确答案: 从熔体中制备单晶的方法主要有焰熔法、提拉法和区域熔炼法。
    非晶的制备方法包括:快速凝固、铜模铸造法、熔体水淬法、抑制形核法、粉末冶金技术、自蔓延反应合成法、定向凝固铸造法等。
    解析: 暂无解析

  • 第7题:

    问答题
    简述砷化镓单晶的主要制备方法。

    正确答案: 一种是在石英管密封系统中装有砷源,通过调节砷源温度来控制系统中的砷压。这种方法包括水平舟区熔法、定向结晶法、温度梯度法、磁拉法和浮区熔炼法等。另一种是将熔体用某种液体覆盖,并在压力大于砷化镓离解压的气氛中合成拉晶,称为液体封闭直拉法。
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    问答题
    利用可逆平衡反应制备有机化合物,提高产物的收率有哪些方法?乙酸正丁酯制备实验采用什么方法?

    正确答案: 在反应过程中分出产物之一或全部;使一种反应物过量,本实验采用等物质的量反应物,分出产物之一水,使平衡移动。
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    多选题
    原位MMC()
    A

    可以通过压铸工艺制备。

    B

    可以通过定向凝固工艺制备。

    C

    可以通过扩散结合或粉末法制备。

    D

    可以通过直接金属氧化法(DIMOXTM)制备。


    正确答案: D,A
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    填空题
    用延缓药物释放的方法来增加药物作用时间制备口服长效制剂的主要方法有()、与高分子化合物生成难溶性盐、控制粒子大小。

    正确答案: 制成溶解度小的盐或酯
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    集成电路用单晶硅的主要制备方法是()

    正确答案: 提拉法和区熔法
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    多选题
    常用定向凝固方法有()
    A

    发热剂法

    B

    功率降低法

    C

    快速凝固法

    D

    液态金属冷却法


    正确答案: A,D
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    简述单晶材料制备中定向凝固法原理。


    正确答案: (1)本质上,定向凝固法是借助在一个温度梯度内进行结晶,从而在单一的固-液界面上成核。
    (2)要结晶的材料通常放在一个圆柱形的坩埚内,使该坩埚下降通过一个温度梯度,或者使加热器坩埚上升。通常把坩埚固定在一个设计得能产生近似一线性梯度的温度的炉子内,然后冷炉子

  • 第14题:

    如何选择单晶体的制备方法?


    正确答案:采用什么方法生长晶体是由结晶物质的性质决定的。例如结晶物质只有分解温度而无熔点,就不能采用熔体法,而应选择水溶液或高温溶液法生长其晶体,这样可以大大降低其生长温度,又如水中难溶物的晶体就不能用常温溶液法,而需要采用其他溶剂或高温溶液法生长其晶体。有些晶体可用不同方法生长,这就要根据需要和实验条件加以选择。一般来说,如果能够用熔体法生长晶体,就不用溶液法生长,如果能够用常温溶液或水溶液法,就不用高温溶液法。

  • 第15题:

    薄层色谱的主要用途为()

    • A、分离化合物
    • B、鉴定化合物
    • C、分离和化合物的鉴定
    • D、制备化合物
    • E、制备衍生物

    正确答案:B

  • 第16题:

    单晶硅锭的制备方法很多,目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。


    正确答案:错误

  • 第17题:

    问答题
    如何选择单晶体的制备方法?

    正确答案: 采用什么方法生长晶体是由结晶物质的性质决定的。例如结晶物质只有分解温度而无熔点,就不能采用熔体法,而应选择水溶液或高温溶液法生长其晶体,这样可以大大降低其生长温度,又如水中难溶物的晶体就不能用常温溶液法,而需要采用其他溶剂或高温溶液法生长其晶体。有些晶体可用不同方法生长,这就要根据需要和实验条件加以选择。一般来说,如果能够用熔体法生长晶体,就不用溶液法生长,如果能够用常温溶液或水溶液法,就不用高温溶液法。
    解析: 暂无解析

  • 第18题:

    填空题
    用自蔓延高温合成技术可制备许多新型材料,如()、()、单晶体超导材料、各向异性材料、金属间化合物及金属陶瓷等复合材料。

    正确答案: 功能倾斜材料,蜂窝状陶瓷材料
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  • 第19题:

    问答题
    简述熔体制备单晶的方法,坩埚法和直拉法的过程细节。

    正确答案: 坩埚法特点是所生长的晶体的质量高,速度快。熔体置于坩埚中,一块小单晶,称为籽晶,与拉杆相连,并被置于熔体的液面处。加热器使单晶炉内的温场保证坩埚以及熔体的温度保持在材料的熔点以上,籽晶的温度在熔点以下,而液体和籽晶的固液界面处的温度恰好是材料的熔点。随着拉杆的缓缓拉伸(典型速率约为每分钟几毫米),熔体不断在固液界面处结晶,并保持了籽晶的结晶学取向。为了保持熔体的均匀和固液界面处温度的稳定,籽晶和坩埚通常沿相反的方向旋转(转速约为每分钟数十转).
    高压惰性气体(如Ar)常被通入单晶炉中防止污染并抑制易挥发元素的逃逸.
    坩埚下降法基本原理使装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场。开始时整个物料都处于熔融状态,当坩埚下降通过熔点时,熔体结晶,随着坩埚的移动,固液界面不断沿着坩埚平移,直至熔体全部结晶。使用此方法,首先成核的是几个微晶,可使用籽晶控制晶体的生长。
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  • 第20题:

    问答题
    如何利用CVD制备金属间化合物薄膜?

    正确答案: 一般认为CVD成膜有几个主要阶段:反应气体向衬底表面的输送扩散;反应气体在衬底表面的吸附;衬底表面气体间的化学反应,生成固态和气态产物,固态生成物粒子经表面扩散成膜;气态生成物由内向外的扩散和表面解吸;衬底表面有足够的反应气体供应。
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  • 第21题:

    问答题
    简述单晶材料制备中定向凝固法原理。

    正确答案: (1)本质上,定向凝固法是借助在一个温度梯度内进行结晶,从而在单一的固-液界面上成核。
    (2)要结晶的材料通常放在一个圆柱形的坩埚内,使该坩埚下降通过一个温度梯度,或者使加热器坩埚上升。通常把坩埚固定在一个设计得能产生近似一线性梯度的温度的炉子内,然后冷炉子
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  • 第22题:

    判断题
    专利申请要求保护一种化合物X,如果对比文件公开了与本申请化合物X的相同制备方法,则推定化合物X不具备新颖性。
    A

    B


    正确答案:
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  • 第23题:

    问答题
    在金属间化合物的制备方法中,单晶化合物的制备方法与定向凝固法有何异同?

    正确答案: (1)金属间化合物单晶的制备
    ① 利用金属凝固时,固液相界面上有着较大的温度梯度,而且凝固是从一端开始恒速而缓慢地进行的方法。
    ② 金属蒸气凝聚在基材上时, 按照晶体的取向通常择优生长,并由此而制得单晶。
    ③ 加工变形的材料, 在某一温度以上加热会产生再结晶, 利用晶粒的长大而制备单晶。
    (2)定向凝固
    当二元或三元共晶合金沿某一方向连续凝固时,所形成的共晶相按照一定取向呈层状或纤维状排列。
    定向凝固法和单晶制备法在本质上是相同的,区别在于:前者制得的是共晶合金,后者制得的是单相材料。 定向凝固的制品一般多为镍基或钴基高温合金。
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