半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A、越高B、不确定C、越低D、不变

题目

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）

  • A、越高
  • B、不确定
  • C、越低
  • D、不变
相似考题

1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

2.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

3.在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

4.N型半导体多数载流子浓度取决于()。

参考答案和解析
正确答案:C
更多“半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移”相关问题

  • 第1题：

    在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

    A.温度

    B.掺杂工艺

    C.杂质浓度

    D.晶体缺陷

    E.空穴

    F.自由电子


    参考答案：AC

  • 第2题：

    在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷

    正确答案:A

  • 第3题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。


    正确答案:温度

  • 第4题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷
    • E、空穴
    • F、自由电子

    正确答案:A,C

  • 第5题：

    杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、掺杂浓度
    • D、晶格缺陷

    正确答案:C

  • 第6题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。


    正确答案:掺杂浓度；温度

  • 第7题：

    半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的


    正确答案:正确

  • 第8题：

    杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。


    正确答案:本征激发

  • 第9题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂元素
    • C、掺杂浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:A

  • 第10题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

    • A、晶体缺陷
    • B、温度
    • C、杂质浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:C

  • 第11题：

    填空题
    （）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。

    正确答案： 电子,空穴,电子,空穴,空穴,本证
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。

    正确答案： 载流子的浓度
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）


    正确答案:错误

  • 第14题：

    迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）


    正确答案:正确

  • 第15题：

    掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关


    正确答案:杂质的含量；温度；本征激励；温度

  • 第16题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系


    正确答案:掺杂浓度；温度

  • 第17题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第18题：

    杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？


    正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

  • 第19题：

    温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）


    正确答案:增加；增加；基本不变

  • 第20题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第21题：

    对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

    • A、非平衡载流子浓度成正比；
    • B、平衡载流子浓度成正比；
    • C、非平衡载流子浓度成反比；
    • D、平衡载流子浓度成反比。

    正确答案:C

  • 第22题：

    单选题
    杂质半导体中少数载流子浓度（）
    A

    与掺杂浓度和温度无关

    B

    只与掺杂浓度有关

    C

    只与温度有关

    D

    与掺杂浓度和温度有关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
    A

    越高

    B

    不确定

    C

    越低

    D

    不变


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

相关内容