更多“简述S3C2410A NAND Flash控制器的基本特性。”相关问题
  • 第1题:

    简述NAND_FLASH和NOR_FLASH的异同点?


    正确答案:
    答案:Nor-flash的读速度比Nand-Flash快Nor-flash的写速度比Nand-Flash慢Nor-flash的擦除速度比Nand-Flash慢大多数写入操作需要先进行擦除操作Nand-flash的擦除单元更小,相应的擦除电路更少Norflash待用SRAM接口,有足够多的地址引脚,容易进行电路设计Nand-flash使用复杂的I/O口串行传输数。单位面积内Nand-flash存储容量更大Nand-flash占据大容量存储市场(8-128M)可靠性和耐用性nandFlash更优秀(可擦写次数100万:10万)易用性Nor-flash不需要软件支持,片上执行Nandflash需要驱动程序支持

  • 第2题:

    在嵌入式系统设计中,一般包含多种类型的存储资源,比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。下面关于这些资源的描述中,正确的是______。

    A.EEPROM是电不可擦除的ROM
    B.Nand Flash上面的代码不能直接运行,需要通过加载的过程
    C.NOR Flash上面的代码不能直接运行,需要通过加载的过程
    D.ROM是用来存储数据的,其上面的数据可以随意更新,任意读取

    答案:B
    解析:
    本题考查嵌入式系统存储器方面的基础知识。在嵌入式系统设计中,一般包含多种类型的存储资源,比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。ROM是只读内存(Read-Only Memory)的简称,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,并且资料不会因为电源关闭而消失。EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash和NAND Flash),性能同ROM,EEPROM被称为电擦除的ROM。NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;NAND闪存是连续存储介质,适合存放量大的数据。由于NOR地址线和数据线分开,所以NOR芯片可以像SRAM—样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片,它的传输效率很高,可执行程序可以在芯片内执行(XI P,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点,嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。但是NAND上面的代码不能直接运行。从使用角度来看,NOR闪存与NAND闪存是各有特点的:(1)NOR的存储密度低,所以存储一个字节的成本也较高,而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高;(2)NAND闪存在擦、写文件(特别是连续的大文件)时速度非常快,非常适用于顺序读取的场合,而NOR的读取速度很快,在随机存取的应用中有良好的表现。RAM(random access memory,随机存储器)的内容可按需随意取出或存入,且存取速度与存储单元的位置无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序和数据。按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。所谓“随机存取”,指的是当存储器中的数据被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对地,读取或写入顺序访问(Sequential Access)存储设备中的信息时,其所需要的时间与位置就会有关系(如磁带)。如果需要保存数据,就必须把它们写入一个长期的存储设备中(例如硬盘)。RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM不会。

  • 第3题:

    固态硬盘SSD的存储介质包括()

    • A、磁介质盘片
    • B、磁带介质
    • C、DRAM
    • D、NAND型Flash颗粒

    正确答案:C,D

  • 第4题:

    简述S3C2410A时钟电路的特点。


    正确答案:特点:产生CPU所需的FCLK时钟信号。AHB总线外围设备所需的HCLK时钟信号,以及APB总线外围设备所需的PCLK时钟信号。微处理器的主时钟可以由外部时钟源提供,也可以由外部振荡器提供。
    OM[3:2]=00时,MPLL和UPLL的时钟均选择外部晶体振荡器;
    OM[3:2]=0l时,MPLL的时钟选择外部晶体振荡器;UPLL选择外部时钟源;
    OM[3:2]=10时,MPLL的时钟选择外部时钟源;UPLL选择外部晶体振荡器;
    OM[3:2]=11时,MPLL和UPLL的时钟均选择外部时钟源。

  • 第5题:

    说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别,使用时应如何选用?


    正确答案:NOR Flash具有以下特点:
    (1)程序和数据可存放在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行,而无需先将代码下载至RAM中再执行;
    (2)可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
    但是NOR Flash的擦除和编程速度较慢,块尺寸又较大,因此擦除和编程操作所花费的时间很长,在纯数据存储和文件存储的应用中,NOR技术显得力不从心。
    NAND Flash具有以下特点:
    (1)以页为单位进行读和编程操作,1页为256或512B(字节);以块为单位进行擦除操作,1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。
    (2)数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。
    (3)芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器,将很快突破每兆字节1美元的价格限制。
    (4)芯片包含有失效块,其数目最大可达到3~35块(取决于存储器密度)。失效块不会影响有效块的性能,但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。
    NOR Flash具有可靠性高、随机读取速度快的优势,在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合,尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
    NAND Flash结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储,主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质,并正成为闪速磁盘技术的核心。

  • 第6题:

    简述S3C2410A存储器控制器的特性。


    正确答案:特性:
    支持小/大端(通过软件选择)。
    地址空间:每个bank有128MB(总共有8个bank,共1GB)。
    除bank0只能是16/32位宽之外,其他bank都具有可编程的访问位宽(8/16/32位)。
    总共有8个存储器bank(bank0~bank7):
    一其中6个用于ROM,SRAM等;
    一剩下2个用于ROM,SRAM,SDRAM等。
    7个固定的存储器bank(bank0~bank6)起始地址。
    最后一个bank(bank7)的起始地址是可调整的。
    最后两个bank(bank6和bank7)的大小是可编程的。
    所有存储器bank的访问周期都是可编程的。
    总线访问周期可以通过插入外部等待来扩展。
    支持SDRAM的自刷新和掉电模式。

  • 第7题:

    简述NOR Flash与NAND Flash的区别。


    正确答案:1、NOR Flash把整个存储区分成若干个扇区(Sector),而NAND Flash把整个存储区分成若干个块(Block),可以对以块或扇区为单位的内存单元进行擦写和再编程。
    2、NAND Flash执行擦除操作是十分简单的,而NOR型内存则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
    3、由于擦除NOR Flash时是以64~128KB为单位的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND Flash是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
    4、NOR Flash的读速度比NAND Flash稍快一些,NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多。NAND Flash的随机读取能力差,适合大量数据的连续读取。
    5、除了NOR Flash的读,Flash Memory的其他操作不能像RAM那样,直接对目标地址进行总线操作。
    6、NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线/16位总线,每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据,8位总线/16位总线用来传送控制、地址和资料信息。
    7、NAND Flash读和写操作采用512B的块,基于NAND的闪存可以取代硬盘或其他块设备。
    8、NOR Flash容量通常在1MB~8MB之间。而NAND Flash用在8MB以上的产品当中。NOR Flash主要应用在代码存储介质中,NAND Flash适用于资料存储。
    9、所有Flash Memory器件存在位交换现象,使用NAND Flash的时候,同时使用EDC/ECC(错误探测/错误纠正)算法,以确保可靠性。
    10、NAND Flash中的坏块是随机分布的,NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。
    11、应用程序可以直接在NOR Flash内运行,NOR Flash的传输效率很高,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND Flash结构可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快,应用NAND Flash的困难在于需要特殊的系统接口。
    12、在NOR Flash上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND Flash上进行同样操作时,通常需要驱动程序(MTD),NAND Flash和NOR Flash在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

  • 第8题:

    简述S3C2410A的UART的操作模式与功能。


    正确答案:(1)数据发送(Data Transmission)发送的数据帧是可编程的。它包括1个起始位、5~8个数据位、1个可选的奇偶校验位和1~2个停止位,具体设置由行控制寄存器(ULCONn)确定。
    (2)数据接收(Data Reception)与数据发送类似,接收的数据帧也是可编程的。它包括1个起始位,5~8个数据位、1个可选的奇偶校验位和1~2个停止位,具体设置由行控制寄存器(ULCONn)确定。
    (3)自动流控制(Auro Flow Control,AFC)S3C2410A的UART0和UART1使用nRTS和nCTS信号支持自动流控制。
    (4)RS-232接口(RS-232C interface)如果用户希望将UART连接到Modem接口,则需要使用nRTS、nCTS、nDSR、nDTR、DCD和nRI信号。RS-232C接口。
    (5)中断DMA请求产生(Interrupt/DMA Request Generation)S3C2410A的每个UART有5个状态(Tx/Rx/Error)信号:溢出错误、帧错误、接收缓冲数据准备好、发送缓冲空和发送移位器空。这些状态通过相关的状态寄存器(UTRSTATn/UERSTATn)指示。
    (6)波特率的产生(Baud-Rate Generation)每个UART的波特率发生器为发送器和接收器提供连续的时钟。波特率发生器的时钟源可以选择使用S3C2410A的内部系统时钟或UEXTCLK。换句话说,通过设置UCONn的时钟选择位可以选择不同的分频值。
    (7)回送模式(Loopback Mode)S3C2410ADART提供一种测试模式,即回送模式,用于发现通信连接中的孤立错误。
    (8)红外模式(Infra-Red(IR)Mode)S3C2410A的UART模块支持红外发送和接收,该模式可以通过设置UART行控制寄存器(ULCONn)中的红外模式位来选择。

  • 第9题:

    问答题
    说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别,使用时应如何选用?

    正确答案: NOR Flash具有以下特点:
    (1)程序和数据可存放在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行,而无需先将代码下载至RAM中再执行;
    (2)可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
    但是NOR Flash的擦除和编程速度较慢,块尺寸又较大,因此擦除和编程操作所花费的时间很长,在纯数据存储和文件存储的应用中,NOR技术显得力不从心。
    NAND Flash具有以下特点:
    (1)以页为单位进行读和编程操作,1页为256或512B(字节);以块为单位进行擦除操作,1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。
    (2)数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。
    (3)芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器,将很快突破每兆字节1美元的价格限制。
    (4)芯片包含有失效块,其数目最大可达到3~35块(取决于存储器密度)。失效块不会影响有效块的性能,但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。
    NOR Flash具有可靠性高、随机读取速度快的优势,在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合,尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
    NAND Flash结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储,主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质,并正成为闪速磁盘技术的核心。
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是()。
    A

    NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术

    B

    NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势

    C

    NOR Flash写入和擦除速度较慢

    D

    数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash


    正确答案: D
    解析: NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的闪存技术;NOR Flash ROM的特点是以字节为单位随机存取,但NOR Flash ROM写入和擦除速度较慢,影响了它的性能。NAND Flash ROM以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命和成本方面有较大优势。但是它的读出速度稍慢,编程较为复杂,因此大多作为数据存储器使用。数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NAND Flash,故D选项错误。

  • 第11题:

    问答题
    简述NAND技术的特点

    正确答案: NAND技术Flash Memory具有以下特点:
    (1)以页为单位进行读和编程操作,具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms;
    (2)数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程;
    (3)芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器,将很快突破每兆字节1美元的价格限制
    (4)芯片包含有失效块,其数目最大可达到3~35块,失效块不会影响有效块的性能。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    与S3C2410A的LCD控制器相关的寄存器有哪些?各自的功能?

    正确答案: (1)LCDCON1(LCD控制寄存器1)LCDCON1(LCD控制寄存器1)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D 000000,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (2)LCDCON2(LCD控制寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0004,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (3)LCDCON3。LCDCON3(LCD控制寄存器3)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0008,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (4)LCDCON4(LCD控制寄存器4)LCDCON4(LCD控制寄存器4)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 000C,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (5)LCDCON5。LCDCON5(LCD控制寄存器5)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0010,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (6)LCDSADDR1。LCDSADDR1(STN型LCD/TFT型LCD帧缓冲起始地址寄存器1)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0014,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (7)LCDSADDR2。LCDSADDR2(STN型LCD/TFT型LCD帧缓冲起始地址寄存器2)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0018,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (8)LCDSADDR3。LCDSADDR3(STN型LCD/TFT型LCD帧缓冲起始地址寄存器3)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 00lC,复位后的初始值为0x0000 0000,用于设置虚拟屏地址。
    (9)RGB查找表寄存器:①REDLUT(STN型LCD红色查找表寄存器)是一个可读写的寄存器,地址为0x4D00 0020,复位后的初始值为0x0000 0000。②GREENLUT(STN型LCD绿色查找表寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0024,复位后的初始值为0x0000 0000。③BLUELUT(STN型LCD蓝色查找表寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为Ox4D00 0028,复位后的初始值为0x0000。
    (10)DITHMODE(STN型LCD抖动模式寄存器)DITHMODE(STN型LCD抖动模式寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 004C,复位后的初始值为0x0 0000,建议用户将其值设置为0x12210。
    (11)TPAL。TPAL(TFT型LCD临时调色板寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0050,复位后的初始值为0x0000 0000,寄存器的数据是下一帧的图象数据。
    (12)LCD中断寄存器:①LCDINTPND(LCD中断判断寄存器)是一个可读/写寄存器,地址为0X4D000054,复位后的初始值为0x0。②LCDSRCPND(LCD中断源判断寄存器)是一个可读/写寄存器,地址为0X4D000058,复位后的初始值为0x0。③LCDINTMSK(LCD中断屏蔽寄存器)是一个可读/写寄存器,地址为0X4D00005C,复位后的初始值为0x3。
    (13)LPCSEL(LPC3600模式控制寄存器)是一个可读/写寄存器,地址是0X4D000060,初始化值是0x4。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    嵌入式存储器系统设计中,一般使用.三种存储器接口电路:NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路,以下叙述中错误的是(27) 。

    A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中

    B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行

    C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行

    D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器


    正确答案:C
    本题考查嵌入式系统存储硬件设计的基础知识。在嵌入式系统的存储硬件设计中,一般采用三种存储器接口即NORFlash存储器、NandFlash存储器和SDRAM存储器。NORFlash带有通用的SRAM接口,可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上,对CPU的接口要求低。NORFlash的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。如uboot中的只读段可以直接在NORFlash上运行。NANDFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂,所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NANDFlash没有挂接在地址总线上,所以如果想用NANDFlash作为系统的启动盘,就需要CPU具备特殊的功能,如s3c2410在被选择为NANDFlash启动方式时会在上电时自动读取NANDFlash的4kb数据到地址0得SRAM中。如果CPU不具备这种特殊功能,用户不能直接运行NANDFlash上的代冯,那可以采取其他方式,比如好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlaslI以外,还用一块小的NORFlash来运行启动代码。任何Flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。SDRAM是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。相对于NORFlash和NandFlash,SDRAM的访问读写速度要快得多。

  • 第14题:

    NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()

    • A、NOR的读速度比NAND稍慢一些
    • B、NAND的写入速度比NOR慢很多
    • C、NAND的擦除速度远比NOR的慢
    • D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

    正确答案:D

  • 第15题:

    简述S3C2410A的DMA控制器功能。


    正确答案:S3C2410A有4个DMA控制器。每个DMA控制器可以处理以下4种情况:
    (1)源和目的都在系统总线上;
    (2)源在系统总线上,目的在外围总线上;
    (3)源在外围总线上,目的在系统总线上;
    (4)源和目的都在外围总线上。
    S3C2410A每个DMA通道有9个控制寄存器,4个通道共有36个寄存器。每个DMA通道的9个控制寄存器中有6个用于控制DMA传输,另外3个用于监控DMA控制器的状态。

  • 第16题:

    与S3C2410A的LCD控制器相关的寄存器有哪些?各自的功能?


    正确答案:(1)LCDCON1(LCD控制寄存器1)LCDCON1(LCD控制寄存器1)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D 000000,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (2)LCDCON2(LCD控制寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0004,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (3)LCDCON3。LCDCON3(LCD控制寄存器3)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0008,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (4)LCDCON4(LCD控制寄存器4)LCDCON4(LCD控制寄存器4)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 000C,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (5)LCDCON5。LCDCON5(LCD控制寄存器5)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0010,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (6)LCDSADDR1。LCDSADDR1(STN型LCD/TFT型LCD帧缓冲起始地址寄存器1)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0014,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (7)LCDSADDR2。LCDSADDR2(STN型LCD/TFT型LCD帧缓冲起始地址寄存器2)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0018,复位后的初始值为0x0000 0000。
    (8)LCDSADDR3。LCDSADDR3(STN型LCD/TFT型LCD帧缓冲起始地址寄存器3)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 00lC,复位后的初始值为0x0000 0000,用于设置虚拟屏地址。
    (9)RGB查找表寄存器:①REDLUT(STN型LCD红色查找表寄存器)是一个可读写的寄存器,地址为0x4D00 0020,复位后的初始值为0x0000 0000。②GREENLUT(STN型LCD绿色查找表寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0024,复位后的初始值为0x0000 0000。③BLUELUT(STN型LCD蓝色查找表寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为Ox4D00 0028,复位后的初始值为0x0000。
    (10)DITHMODE(STN型LCD抖动模式寄存器)DITHMODE(STN型LCD抖动模式寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 004C,复位后的初始值为0x0 0000,建议用户将其值设置为0x12210。
    (11)TPAL。TPAL(TFT型LCD临时调色板寄存器)是一个可读/写的寄存器,地址为0x4D00 0050,复位后的初始值为0x0000 0000,寄存器的数据是下一帧的图象数据。
    (12)LCD中断寄存器:①LCDINTPND(LCD中断判断寄存器)是一个可读/写寄存器,地址为0X4D000054,复位后的初始值为0x0。②LCDSRCPND(LCD中断源判断寄存器)是一个可读/写寄存器,地址为0X4D000058,复位后的初始值为0x0。③LCDINTMSK(LCD中断屏蔽寄存器)是一个可读/写寄存器,地址为0X4D00005C,复位后的初始值为0x3。
    (13)LPCSEL(LPC3600模式控制寄存器)是一个可读/写寄存器,地址是0X4D000060,初始化值是0x4。

  • 第17题:

    Nand Flash比Nor Flash成本高,可靠性差。


    正确答案:错误

  • 第18题:

    简述NAND技术的特点


    正确答案:NAND技术Flash Memory具有以下特点:
    (1)以页为单位进行读和编程操作,具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms;
    (2)数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程;
    (3)芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器,将很快突破每兆字节1美元的价格限制
    (4)芯片包含有失效块,其数目最大可达到3~35块,失效块不会影响有效块的性能。

  • 第19题:

    下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是()。

    • A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术
    • B、NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势
    • C、NOR Flash写入和擦除速度较慢
    • D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

    正确答案:D

  • 第20题:

    在Flash中,对未定义值进行toString()转换的结果是()。

    • A、空字符串
    • B、undefined
    • C、NaN
    • D、null

    正确答案:B

  • 第21题:

    单选题
    NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()
    A

    NOR的读速度比NAND稍慢一些

    B

    NAND的写入速度比NOR慢很多

    C

    NAND的擦除速度远比NOR的慢

    D

    大多数写入操作需要先进行擦除操作


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    简述S3C2410A时钟电路的特点。

    正确答案: 特点:产生CPU所需的FCLK时钟信号。AHB总线外围设备所需的HCLK时钟信号,以及APB总线外围设备所需的PCLK时钟信号。微处理器的主时钟可以由外部时钟源提供,也可以由外部振荡器提供。
    OM[3:2]=00时,MPLL和UPLL的时钟均选择外部晶体振荡器;
    OM[3:2]=0l时,MPLL的时钟选择外部晶体振荡器;UPLL选择外部时钟源;
    OM[3:2]=10时,MPLL的时钟选择外部时钟源;UPLL选择外部晶体振荡器;
    OM[3:2]=11时,MPLL和UPLL的时钟均选择外部时钟源。
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    判断题
    Nand Flash比Nor Flash成本高,可靠性差。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析