DRAM芯片怎么有行地址又有列地址？

题目

DRAM芯片怎么有行地址又有列地址？

相似考题

1.μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息

2.动态存储器芯片的正常访问周期为60us，其中，输入行地址和列地址分别需要20ns。如果行地址不变，只改变列地址，则可以节省输入行地址的时间。对于一个容量为64MB的芯片，全部存储单元都访问一遍至少需要(3)s。A．1.34B．2.68C．5.36D．3.16

3.动态存储器刷新时只需要提供（）地址。A、行地址B、列地址C、行、列地址D、以上都不对

4.DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是A．29个B．(29+29)个C．(29×29)个D．(9×9)个

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  • 第1题：

    采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯片的地址线条数为（）。

    • A、14
    • B、7
    • C、9
    • D、10

    正确答案:B

  • 第2题：

    64K*1位的DRAM芯片通常有（）条地址线引脚。

    • A、16
    • B、8
    • C、1
    • D、4

    正确答案:B

  • 第3题：

    存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    写出下列存储器芯片（非DRAM）基本地址范围。这些芯片各需要几位地址线实现片内寻址？若要组成64KB的存储器需要几片？ 1）4416芯片 2）6116芯片 3）27128芯片 4）62256芯片


    正确答案:1）4416芯片（16*4）：16K=2^14，地址线14条，所以需要14条地址线实现片内寻址，基本地址范围为00000H到03FFFH（0000 0011 1111 1111），组成64KB的存储器所需要片数=64/16=4片，此时还需位扩充至8位，所以一共需要4*2=8片4416芯片。
    2）6116芯片（2K*8）：2K=2^11，地址线为11条，基本地址范围为00000H到007FFH。组成64K存储器所需要片数为64/2=32片。
    3）27128（16K*8）：16K=2^14地址线数为14条，基本地址范围00000H到03FFFH，组成64K存储器需要片数为64/16=4片。
    4）62256（32K*8）：32K=2^15地址线数为15条，基本地址范围00000H到07FFF，组成64K存储器需要片数为64/32=2片。

  • 第5题：

    Intel 2164A芯片地址线仅有A7～A0共8条线、分别为行和列地址，共同构成16位地址。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。


    正确答案:若芯片内部采用128×128矩阵排列，设芯片的最大刷新间隔时间为2ms ，则相邻两行之间的刷新间隔为：刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs可取刷新间隔15.5μs。

  • 第7题：

    问答题
    32M×8b的DRAM芯片，其外部数据线和地址线为多少条？

    正确答案： 根据存储芯片地址线数量计算公式
    K.log2（1024*1024*32）= log2（225）=25，即需要25根地址线。但是，由于DRAM芯片的地址采用分时输入的方法，所以实际需要的地址线只有理论值的一半，此处为13根。数据线8根。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    某容量为256M的存储器，由若干4M*8位的DRAM芯片构成，该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是：（）
    A

    19

    B

    22

    C

    30

    D

    36


    正确答案： A
    解析：

  • 第9题：

    问答题
    DRAM芯片怎么有行地址又有列地址？

    正确答案： DRAM芯片容量大、芯片小，高集成度，引脚数量少。故DRAM芯片将地址引脚分时复用，即用一组地址引脚传送两批地址。第一批地址称行地址，第二批地址称列地址。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：需要芯片的总数是多少？

    正确答案： 需要的芯片数＝128片。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    CPU可以直接从内存芯片中获取存储单元的行地址和列地址。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    关于RAS#Precharge描述正确的是（）

    • A、列地址至行地址的延迟时间，简称RCD
    • B、行地址控制器延迟时间
    • C、列动态时间，也称tRAS，表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟
    • D、列地址控制器预充电时间，简称tRP

    正确答案:D

  • 第14题：

    存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    “4K×4位”DRAM芯片有几根地址线？有几根数据线（不考虑输入/输出分别缓冲）？


    正确答案:片内寻址应使用 12位地址，因采用行、列地址分时传送技术，故地址线只需6根。该芯片数据线为4根。

  • 第16题：

    Intel 2164A芯片的地址分为行和列地址线。分时使用，所以有（）条。

    • A、14
    • B、16
    • C、8
    • D、10

    正确答案:C

  • 第17题：

    在Excel 2010中，单元格地址包括所在位置的（）。

    • A、行地址
    • B、列地址
    • C、列和行的地址
    • D、区域地址

    正确答案:D

  • 第18题：

    CPU可以直接从内存芯片中获取存储单元的行地址和列地址。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    单选题
    Intel 2164A芯片的地址分为行和列地址线。分时使用，所以有（）条。
    A

    14

    B

    16

    C

    8

    D

    10


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    Intel 2164A芯片地址线仅有A7～A0共8条线、分别为行和列地址，共同构成16位地址。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    在Excel 2010中，单元格地址包括所在位置的（）。
    A

    行地址

    B

    列地址

    C

    列和行的地址

    D

    区域地址


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

    正确答案： 若芯片内部采用128×128矩阵排列，设芯片的最大刷新间隔时间为2ms ，则相邻两行之间的刷新间隔为：刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs可取刷新间隔15.5μs。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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