请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

题目

请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

相似考题

1.下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是A．RAM分静态RAM(SRAM．和动态RAM(DRAM．两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新

2.下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失

3.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④

4.● 下列关于静态存储器 （SRAM） 和动态存储器 （DRAM） 的叙述中， 不正确的是 （9） 。（9）A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高B. DRAM 就是通常说的内存C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低D. SRAM 只要不断电，数据就能永久保存

更多“请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。”相关问题

  • 第1题：

    下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

    Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中正确的叙述是

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

  • 第2题：

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第3题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第4题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D
    解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

  • 第5题：

    下面关二随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是

    A．静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新

    B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用

    C．DRAM的存取速度比SRAM快

    D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失


    正确答案：A
    解析：SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会丢失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)，集成度较高，功耗也较低，但缺点是一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用DRAM的计算机必须配簧动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。

  • 第6题：

    下列关于DRAM的叙述，正确的是

    A.DRAM是一种随机存储器

    B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息

    C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失

    D.DRAM是一种半导体存储器

    E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配


    正确答案：ABCD

  • 第7题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。

    A.Ⅰ和Ⅱ
    B.Ⅱ和Ⅲ
    C.Ⅲ和Ⅳ
    D.Ⅰ和Ⅳ

    答案：B
    解析：
    DRAM的集成度高于SRAM，SRAM的速度高于DRAM，可以推出DRAM的成本低于SRAM，SRAM芯片工作时不需要刷新，DRAM芯片工作时需要刷新。

  • 第8题：

    下面关于随机存取存储器（RAM）的叙述中，正确的是（）。

    • A、存储在SRAM或DRAM中的数据在断电后将全部丢失且无法恢复
    • B、SRAM的集成度比DRAM高
    • C、DRAM的存取速度比SRAM快
    • D、DRAM常用来做Cache用

    正确答案:A

  • 第9题：

    与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。

    • A、速度快
    • B、集成度高
    • C、功耗大

    正确答案:B

  • 第10题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第11题：

    填空题
    动态随机存储器DRAM利用电容器的（）来存储信息，这种过程叫（）；而静态存储器SRAM则无须动态刷新，速度快，但其集成度低、成本高、功耗大。

    正确答案： 充放电,刷新
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    下面关于随机存储器（RAM）的叙述中，正确的是（　　）。
    A

    RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类

    B

    SRAM的集成度比DRAM高

    C

    DRAM的存取速度比SRAM快

    D

    DRAM中存储的数据无须“刷新”


    正确答案： A
    解析：
    RAM又可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）两种，DRAM集成度比SRAM高，SRAM比DRAM存储速度快，DRAM数据要经常刷新。

  • 第13题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新;其中正确的是()。

    A、①和②

    B、②和③

    C、③和④

    D、①和④


    参考答案：B

  • 第14题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高

    Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高

    Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快

    Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新

    通常情况下，哪两个叙述是正确的?( )

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D
    解析：DRAM(DynamicRAM)，动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，静态随机存取存储器(staticRAM)，且工作时需要刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度快，集成度也较低。

  • 第15题：

    下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM存储密度高

    Ⅱ．相同存储容量的SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快

    Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中错误的叙述是______。

    A) Ⅰ和Ⅱ

    B) Ⅱ和Ⅲ

    C) Ⅲ和Ⅳ

    D) Ⅰ和Ⅳ

    A．

    B．

    C．

    D．


    正确答案：D

  • 第16题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D

  • 第17题：

    下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是______。

    A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类

    B．SRAM的集成度比DRAM高

    C．DRAM的存取速度比SRAM快

    D．DRAM中存储的数据无须“刷新”


    正确答案：A
    解析：相比较而言，RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类，SRAM存取速度快，常用来做Cache，而DRAM具有较高的集成度。

  • 第18题：

    以下说法中错误的是()。

    A.与DRAM相比，SRAM的集成度低，存取速度快
    B.PC机的主存储器常由DRAM构成
    C.RAM需要刷新，且断电后信息会丢失
    D.ROM是一种非易失性存储器，断电后仍可保持记忆

    答案：C
    解析：
    RAM又可分为SRAM和DRAM，其中，DRAM需要刷新，而SRAM不用。

  • 第19题：

    用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种，其中DRAM以电容来存储信息，需要定期进行（）


    正确答案:刷新

  • 第20题：

    需要刷新的存储器是_____。

    • A、EPROM；
    • B、EEPROM；
    • C、静态RAM；
    • D、动态RAM。

    正确答案:D

  • 第21题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:A

  • 第22题：

    动态随机存储器DRAM利用电容器的（）来存储信息，这种过程叫（）；而静态存储器SRAM则无须动态刷新，速度快，但其集成度低、成本高、功耗大。


    正确答案:充放电；刷新

  • 第23题：

    单选题
    与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。
    A

    速度快

    B

    集成度高

    C

    功耗大


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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