一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息A、16B、32C、64D、128

题目

一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息

  • A、16
  • B、32
  • C、64
  • D、128
相似考题

1.()属于MIMD系统结构A.各处理单元同时受同一个控制单元的管理B.各处理单元同时接受同一个控制单元送来的指令C.松耦合多处理机和多计算机D.阵列处理机

2.在报表系统中,下列有关区域的说法正确的是()A.区域是由多个单元组成的一个长方形单元阵列B.最小的区域是一个单元，最大的区域可以包括整张报表的所有单元C.区域的范围是从起点单元到终点单元D.区域是二维的

3.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

4.SRAM每个单元的规模大于DRAM的规模。()此题为判断题(对，错)。

更多“一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都”相关问题

  • 第1题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

    Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

  • 第2题：

    每个单元都可用一个名字来标识，称为单元名。


    正确答案：√
    每个单元都可用一个名字来标识，称为单元名或单元地址。

  • 第3题：

    DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是

    A．29个

    B．(29+29)个

    C．(29×29)个

    D．(9×9)个


    正确答案：C

  • 第4题：

    以下关于货币单元抽样的说法中，正确的有（　　）。

    A.货币单元即是逻辑单元
    B.货币单元为抽样单元
    C.每个货币单元被选中的机会相等
    D.货币单元起到一个类似钩子的作用，从而带出与之相关联的一个逻辑单元

    答案：B,C,D
    解析：
    货币单元是金额，而逻辑单元是注册会计师检查的账户余额或交易，选项A错误。

  • 第5题：

    安排2764芯片内第一个单元的地址是1000H，则该芯片的最末单元的地址是（）。

    • A、1FFFH
    • B、17FFH
    • C、27FFH
    • D、2FFFH

    正确答案:D

  • 第6题：

    存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    对一个存储器芯片进行片选译码时，有一个高位系统地址信号没有参加译码，则该芯片的每个存储单元占有（）个存储器地址。


    正确答案:2

  • 第8题：

    一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息

    • A、16
    • B、32
    • C、64
    • D、128

    正确答案:D

  • 第9题：

    信号单元中的（）字段是一个八位组，码型为01111110，它既表示前一个单元的结束，也表示后一个单元的开始。


    正确答案:F（Flag）

  • 第10题：

    单选题
    一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息
    A

    16

    B

    32

    C

    64

    D

    128


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    每个存储单元被赋予一个唯一的编号，称为（），一个存储单元可以存储（）位二进制信息。

    正确答案： 内存地址,1
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    安排 2764 芯片内第一个单元的地址是 1000H,则该芯片的最末单元的地址是() 。

    A.1FFFH

    B.17FFH

    C.27FFH

    D.2FFFH


    正确答案:D

  • 第14题：

    μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。

    A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚

    B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新

    C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的

    D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息


    正确答案：D

  • 第15题：

    8086系统中，每个存储单元都只对应一个唯一的物理地址和一个唯一的逻辑地址。（）


    答案：错
    解析：

  • 第16题：

    汽车上每个控制单元都有编码，并且每个控制单元只有一个编码。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？


    正确答案: （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs

  • 第18题：

    每个存储单元被赋予一个唯一的编号，称为（），一个存储单元可以存储（）位二进制信息。


    正确答案:内存地址；1

  • 第19题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第20题：

    以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）

    • A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类
    • B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下
    • C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里
    • D、DRAM需要不断刷新

    正确答案:C

  • 第21题：

    对于风扇控制单元以下说法错误的有（）。

    • A、每个子框中都提供了一个风扇单元（FU）
    • B、每个风扇单元中只有一个风扇
    • C、FU不可以调整风扇速度
    • D、FU使用了冗余配置

    正确答案:A,D

  • 第22题：

    问答题
    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

    正确答案： （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    一个PV8单元下带一个RSP单元，两个单元的收敛比都为1：1，请回答PV8单元的用户板组数；RSP单元的用户板组数；PV8单元每个用户板组包含的HW的数量；RSP单元每个用户板组包含的HW的数量。请在以下答案中按顺序选择（）。
    A

    8，4，1，2

    B

    4，4，2，2

    C

    8，8，1，1

    D

    4，8，2，1


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    对一个存储器芯片进行片选译码时，有一个高位系统地址信号没有参加译码，则该芯片的每个存储单元占有（）个存储器地址。

    正确答案： 2
    解析： 暂无解析

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