下面哪个不是对传统的DRAM单元进行了优化，改进了访问基本DRAM单元的速度？（）A、快页模式DRAMB、音频RAMC、扩展数据输出DRAMD、同步DRAM

题目

下面哪个不是对传统的DRAM单元进行了优化，改进了访问基本DRAM单元的速度？（）

  • A、快页模式DRAM
  • B、音频RAM
  • C、扩展数据输出DRAM
  • D、同步DRAM
相似考题

1.下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

2.下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失

3.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④

4.下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是A．RAM分静态RAM(SRAM．和动态RAM(DRAM．两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新

更多“下面哪个不是对传统的DRAM单元进行了优化，改进了访问基本DRAM单元的速度？（）A、快页模式DRAMB、音频RAMC、扩展数据输出DRAMD、同步DRAM”相关问题

  • 第1题：

    为了提高DRAM的读写速度，通常采用一些特殊的技术开发多种不同类型的DRAM。下面四种DRAM中速度最快的是

    A．EDO DRAM

    B．FPMDRAM

    C．PR100 SDRAM

    D．PC133 SDRAM


    正确答案：D
    解析：DRAM的速度和存储器总线的时钟频率密切相关。FPM DRAM和EDO DRAM都是早期采用的内存存储技术，它们的工作频率都是66MHz以下。SDRAM 是新型的内存存储技术，它可以与系统时钟同步工作。PCI00 SDRAM 中的100是指 存储器总线的时钟为100MHz,PC133 SDRAM中的133是指存储器总线的时钟为 133MHz,由此可见PC133速度最快。

  • 第2题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

    Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

  • 第3题：

    PC机中，DRAM内存条的速度与类型有关，若按存取速度从低到高的顺序排列，正确的是

    A．SDRAM、RDRAM、EDO DRAM

    B．EDO DRAM、SDRAM、RDRAM

    C．EDO DRAM、RDRAM、SDRAM

    D．RDRAM、EDO DRAM、SDRAM


    正确答案：B
    解析：本题考查对DRAM工作速度的掌握。RDRAM，EDODRAM，SDRAM都是 提高DRAM读写速度的技术，其中RDRAM速度最快，EDODRAM存取速度最慢。

  • 第4题：

    DRAM与SRAM比较:()

    A、DRAM比SRAM速度快

    B、DRAM比SRAM价格低

    C、DRAM比SRAM较容易使用


    参考答案：B

  • 第5题：

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第6题：

    下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM存储密度高

    Ⅱ．相同存储容量的SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快

    Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中错误的叙述是______。

    A) Ⅰ和Ⅱ

    B) Ⅱ和Ⅲ

    C) Ⅲ和Ⅳ

    D) Ⅰ和Ⅳ

    A．

    B．

    C．

    D．


    正确答案：D

  • 第7题：

    SRAM和DRAM的区别?()

    A.SRAM比DRAM功耗高

    B.SRAM比DRAM成本高

    C.SRAM比DRAM速度快

    D.SRAM比DRAM散热大


    参考答案：ABCD

  • 第8题：

    下面哪个不是对传统的DRAM单元进行了优化，改进了访问基本DRAM单元的速度？（）

    • A、快页模式DRAM
    • B、音频RAM
    • C、扩展数据输出DRAM
    • D、同步DRAM

    正确答案:B

  • 第9题：

    一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息

    • A、16
    • B、32
    • C、64
    • D、128

    正确答案:D

  • 第10题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第11题：

    SRAM和DRAM的区别？（）

    • A、SRAM比DRAM功耗高
    • B、SRAM比DRAM成本高
    • C、SRAM比DRAM速度快
    • D、SRAM比DRAM散热大

    正确答案:A,B,C,D

  • 第12题：

    单选题
    一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息
    A

    16

    B

    32

    C

    64

    D

    128


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D
    解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

  • 第14题：

    PC机中DRAM内存条的类型有多种，若按存取速度从高到低的顺序排列，正确的是：

    A．SDRAM，RDRAM，EDO DRAM

    B．RDRAM，SDRAM，EDO DRAM

    C．EDO DRAM，RDRAM，SDRAM

    D．RDRAM，EDO DRAM，SDRAM


    正确答案：B
    解析：RDRAM是新一代高速存储器，采用窄通道系统，数据通道只有16位，但是速度很快，可以达到400MHz。SDRAM目前主要遵循PC133规范，它的流行要早于RDRAM，但是晚于EDO DRAM。EDO DRAM是早期的内存存储器，目前已经不大使用。

  • 第15题：

    下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

    Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中正确的叙述是

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

  • 第16题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新;其中正确的是()。

    A、①和②

    B、②和③

    C、③和④

    D、①和④


    参考答案：B

  • 第17题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第18题：

    PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，错误的是( )。

    A．ROM芯片掉电后，存放在芯片中的内容会丢失

    B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般不会丢失

    C．由于SRAM的速度比DRAM快，因此，在PC中，SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成

    D．DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路，SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路，因此，DRAM的集成度比SRAM的集成度高


    正确答案：A

  • 第19题：

    下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是______。

    A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类

    B．SRAM的集成度比DRAM高

    C．DRAM的存取速度比SRAM快

    D．DRAM中存储的数据无须“刷新”


    正确答案：A
    解析：相比较而言，RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类，SRAM存取速度快，常用来做Cache，而DRAM具有较高的集成度。

  • 第20题：

    请选出于CPU外部工作时钟同步的DRAM类型（）

    • A、FPM（Fast Page Mode）DRAM
    • B、EDO（Extended Data Out）DRAM
    • C、SDRAM（SynChronous）DRAM
    • D、BEDO（Burst Exten Ded Data Out）DRAM

    正确答案:C

  • 第21题：

    EDO DRAM是指（）

    • A、快页模式DRAM
    • B、同步DRAM
    • C、视频DRAM
    • D、扩展数据输出DRAM

    正确答案:D

  • 第22题：

    关于SRAM和DRAM，下面说法正确的是（）。

    • A、SRAM需要定时刷新，否则数据会丢失
    • B、DRAM使用内部电容来保存信息
    • C、SRAM的集成度高于DRAM
    • D、只要不掉点，DRAM内的数据不会丢失

    正确答案:B

  • 第23题：

    单选题
    下面哪个不是对传统的DRAM单元进行了优化，改进了访问基本DRAM单元的速度？（）
    A

    快页模式DRAM

    B

    音频RAM

    C

    扩展数据输出DRAM

    D

    同步DRAM


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    EDO DRAM是指（）
    A

    快页模式DRAM

    B

    同步DRAM

    C

    视频DRAM

    D

    扩展数据输出DRAM


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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