GTO是（）型器件。A、全控B、半控

题目

GTO是（）型器件。

  • A、全控
  • B、半控
相似考题

1.SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

2.IGBT是一个复合型的器件,它是( )A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTR&"160;C.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

3.下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

4.GTO是电压驱动型器件。()

更多“GTO是（）型器件。”相关问题

  • 第1题：

    以下哪些为全控型电力电子器件？（）

    • A、晶闸管
    • B、IGBT
    • C、IGCT
    • D、GTO

    正确答案:B,C,D

  • 第2题：

    GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    GTO一种全控型电力电子器件。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第6题：

    下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是（）

    • A、GTO和SCR
    • B、GTR和电力二极管
    • C、GTR和SCR
    • D、GTO和GTR

    正确答案:D

  • 第7题：

    在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。


    正确答案:电力二极管；晶闸管；GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT；电力MOSFET；电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；IGBT；晶闸管；电力MOSFET；电力MOSFET、IGBT；晶闸管、GTO、GTR

  • 第8题：

    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。


    正确答案:SCR；GTO、GTR、MOSFET、IGBT；SCR、GTO、GTR

  • 第9题：

    问答题
    GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件，为什么GTO可以控制其关断，而SCR不行？

    正确答案： 因为SCR等效电路中的两只晶体管的放大系数比1大得多，通过导通时两只等效晶体管的正反馈作用，使SCR的导通饱和很深，无法用门极负信号去关断阳极电流。而GTO的总放大系数近似等于1，处于临界导通或浅饱和状态。因此可以用门极负信号去关断。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    GTO属于双极性器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

    正确答案： 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。

    正确答案： SCR,GTO、GTR、MOSFET、IGBT,SCR、GTO、GTR
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    （）是融合了IGBT与GTO优点的一种新型电力电子器件。


    正确答案:IEGT

  • 第14题：

    下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有（）。

    • A、GTR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET
    • D、达林顿管
    • E、GOT（GTO）

    正确答案:A,D,E

  • 第15题：

    为什么普通晶闸管是半控型器件，而GTO是全控型器件？


    正确答案:普通晶闸管只能通过门极控制其导通不能控制其关断，因此是半控器件。但是GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断，因此是全控器件。

  • 第16题：

    GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件，为什么GTO可以控制其关断，而SCR不行？


    正确答案:因为SCR等效电路中的两只晶体管的放大系数比1大得多，通过导通时两只等效晶体管的正反馈作用，使SCR的导通饱和很深，无法用门极负信号去关断阳极电流。而GTO的总放大系数近似等于1，处于临界导通或浅饱和状态。因此可以用门极负信号去关断。

  • 第17题：

    双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    GTO属于双极性器件。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。


    正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。

  • 第20题：

    门极可关断的晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，属于（）器件。

    • A、不可控型
    • B、半控型
    • C、全控型
    • D、以上答案全错

    正确答案:C

  • 第21题：

    单选题
    GTO是（）型器件。
    A

    全控

    B

    半控


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    为什么普通晶闸管是半控型器件，而GTO是全控型器件？

    正确答案： 普通晶闸管只能通过门极控制其导通不能控制其关断，因此是半控器件。但是GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断，因此是全控器件。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

相关内容