在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

第1题：

第2题：

型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。

• A、1V
• B、0.2V
• C、0.6V

正确答案:C

第3题：

二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。

• A、0.2
• B、0.3
• C、0.5
• D、0.7

正确答案:D

第4题：

常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。

• A、0.1
• B、0.3
• C、0.5
• D、0.7

正确答案:D

第5题：

常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

第6题：

在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。

正确答案:0.7；0.3

第7题：

二极管当正向电压超过U_VD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。

正确答案:0.7V；0.3 V

第8题：

硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为（）伏；其门坎电压V_th约为（）伏。

正确答案:0.7；0.5

第9题：

锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

正确答案:0.2V；0.1V

第10题：

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。

• A、立即导通
• B、到0.3V时才开始导通
• C、超过死区电压时才开始导通
• D、不导通

正确答案:C

第11题：

第12题：

第13题：

第14题：

晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。

• A、正向电压
• B、正向电流
• C、正向电极
• D、正向电路

正确答案:A

第15题：

硅二极管两端加上正向电压时（）。

• A、立即导通
• B、若超过0.3V才导通
• C、若超过死区电才导道

正确答案:C

第16题：

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）

正确答案:0.6～0.8V；0.2～0.4V

第17题：

晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

第18题：

在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。

正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

第19题：

在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

第20题：

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。

正确答案:0.6~0.8；0.7；0.2~0.3；0.2；1~2.5

第21题：

试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

正确答案:若流过PN结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N^-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N^-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。

第22题：

第23题：