一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？

题目

一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？

相似考题

1.用32K×4位的RAM芯片构成256K×32位存储器芯片M，至少需要(20)个RAM芯片。若用构成的芯片M来存储16MB的内容，则至少需要(21)个这样的芯片M。(55)A．4B．32C．64D．8

2.8086系统若用256K×1动态存储器芯片可构成有效存储系统的最小容量是( )。A．256K字节B．512K字节C．640K字节D．1M字节

3.外围电路用ECL电路，使用8K×4bit的sram存储器芯片构成256K×32bit的cache存储器。则需要(5)片存储芯片。A．32B．64C．128D．256

4.外围电路中某电路，使用8K×4位的SRAM存储器芯片构成256K×32位的Cache存储器。(26)片，存储器地址码位数是(27)，单个芯片的地址码位数是(28)。A．256B．128C．512D．255

更多“一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形”相关问题

  • 第1题：

    8086系统若用256KXl动态存储器芯片可构成有效存储系统的最小容量是( )。

    A．256K字节

    B．512K字节

    C．640K字节

    D．1M字节


    正确答案：B

  • 第2题：

    现有容量为256BX4的RAM，回答案：(1)该RAM应有多少条地址线？(2)该RAM含有多少个字？其字长是多少位？( )

    A.8，256，4
    B.8，256，8
    C.4，256，8
    D.8，128

    答案：A
    解析：

  • 第3题：

    若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字（16位）的存储器时，需要该芯片数为（）。

    A.128片
    B.256片
    C.64片
    D.32片

    答案：A
    解析：

  • 第4题：

    组成8K字节的存储器，需要256×4位的存储器芯片（）。

    • A、32片
    • B、64片
    • C、16片
    • D、50片

    正确答案:B

  • 第5题：

    华为系统中，BBU3900的HCPM配置的基带处理芯片为一块CSM6700，信道处理能力为前向（）信道，反向（）信道。

    • A、285、256
    • B、256、285，
    • C、285、285
    • D、256、256

    正确答案:A

  • 第6题：

    若由2K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字的存储器时，需要该芯片数为（）


    正确答案:32

  • 第7题：

    动态RAM的特点是什么？动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么？一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元？


    正确答案: 利用存储电荷的与否来存储信息的RAM。
    或
    需要定时地进行刷新的RAM。
    芯片的RS有效为必要条件，地址引脚上加入地址信息是充分条件。
    每次刷新的总单元数为:128×4=512。

  • 第8题：

    动态RAM芯片2164的容量为64K位（256×256），对2164芯片的刷新方法是（）。

    • A、每次刷新1个单元
    • B、每次刷新256个单元
    • C、每次刷新512个单元
    • D、一次刷新全部单元

    正确答案:C

  • 第9题：

    若想扩展键盘和显示，并希望增加256字节的RAM时，应选择（）芯片。

    • A、8155
    • B、8255
    • C、8253
    • D、8251

    正确答案:A

  • 第10题：

    某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为（）

    • A、8*3
    • B、8K*8
    • C、256*8
    • D、256*256

    正确答案:C

  • 第11题：

    单选题
    NE20的主控板带有最大（）M内存（）MFlash芯片（）KNVRAM。
    A

    512；32；256

    B

    512；32；512

    C

    256；32；256

    D

    256；32；512


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    动态RAM芯片2164的容量为64K位（256×256），对2164芯片的刷新方法是（）。
    A

    每次刷新1个单元

    B

    每次刷新256个单元

    C

    每次刷新512个单元

    D

    一次刷新全部单元


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    要用256×4的RAM扩展成4K×8RAM，需选用此种256×4RAM的片数为（　　）。

    A． 8
    B． 16
    C． 32
    D． 64

    答案：C
    解析：
    4K×8RAM表示8片的随机读写存储器，每片的可存储的容量为4×1024B；选用的256×4的可存储数据容量为1024B。扩展时保证数据存储的总容量大小不变有：8×4096B=1024B×n，解得：n=32。

  • 第14题：

    要用256 x 4的RAM扩展成4K X 8RAM，需选用此种256 X 4RAM的片数为：
    (A) 8 (B) 16
    （C）32 （D）64


    答案：C
    解析：

  • 第15题：

    某256×1位的存储芯片内部结构为16×16的存储元矩阵，且采用“重合法”的译码驱动方式来选择存储元，则该芯片引脚中地址线的数目为()。

    A.256
    B.32
    C.16
    D.8

    答案：D
    解析：
    当采用“重合法”时，存储芯片内行、列各使用16根选择线便可选中16×16矩阵中的任一位；又采用译码器时，4根地址线即可对应16根选择线，故该芯片引脚中地址线数目为4+4=8。注意，当行地址与列地址分两次传送时，可将芯片引脚中地址线数减少到4，但题中未给出相关说明，且无对应选项。

  • 第16题：

    用1024×1位RAM芯片设计一个128KB的存储器系统，问需要（）片芯片组成。

    • A、1024
    • B、2048
    • C、128
    • D、256

    正确答案:A

  • 第17题：

    一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？


    正确答案: 采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1μs=25.6μs
    采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1μs+×0.1μs）=51.2μs
    采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms

  • 第18题：

    若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字（16位）的存储器时，需要该芯片数为（）。

    • A、256片
    • B、128片
    • C、64片
    • D、32片

    正确答案:B

  • 第19题：

    有一个容量为256×4位的RAM，该RAM有（）个基本存储单元，该RAM每次访问（）个基本存储单元，该RAM有（）根地址线。


    正确答案:1024；4；8

  • 第20题：

    89C51的直接寻址方式的寻址空间是（）

    • A、 片内RAM的低128B和SFR
    • B、 片内RAM和ROM的256B
    • C、 片外RAM的低256B
    • D、 片内、片外RAM的00~FFH和SFR

    正确答案:A

  • 第21题：

    NE20的主控板带有最大（）M内存（）MFlash芯片（）KNVRAM。

    • A、512；32；256
    • B、512；32；512
    • C、256；32；256
    • D、256；32；512

    正确答案:B

  • 第22题：

    单选题
    要用256×4的RAM扩展成4K×8RAM，需选用此种256×4RAM的片数为（　　）。[2007年真题]
    A

    8

    B

    16

    C

    32

    D

    64


    正确答案： C
    解析：
    4K×8RAM表示8片的随机读写存储器，每片的可存储的容量为4×1024B，
    选用的256×4的可存储数据容量为1024B，因此扩展时保证数据存储的总容量大小不变，那么就有8×4×1024B=1024B×n，n=32,即需用256×4RAM的数量为32片。

  • 第23题：

    问答题
    一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？

    正确答案： 采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1μs=25.6μs
    采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1μs+×0.1μs）=51.2μs
    采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    组成8K字节的存储器，需要256×4位的存储器芯片（）。
    A

    32片

    B

    64片

    C

    16片

    D

    50片


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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