试说明金属应变片与半导体应变片的相同和不同之处。
题目
试说明金属应变片与半导体应变片的相同和不同之处。
相似考题
参考答案和解析
正确答案:
金属应变片由敏感栅、基片、覆盖层和引线等部分组成。金属电阻应变片的敏感栅有丝式、箔式和薄膜式三种。箔式应变片是利用光刻、腐蚀等工艺制成的一种很薄的金属箔栅，其优点是散热条件好，允许通过的电流较大，便于批量生产，可制成各种所需的形状；缺点是电阻分散性大。薄膜式应变片是采用真空蒸发或真空沉淀等方法在薄的绝缘基片上形成0.1μm以下的金属电阻薄膜的敏感栅，最后再加上保护层。它的优点是应变灵敏度系数大，允许电流密度大，工作范围广。
半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。半导体应变片的突出优点是灵敏度高，比金属丝式应变片高50～80倍，尺寸小，横向效应小，动态响应好。但它有温度系数大，应变时非线性比较严重等缺点。
半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。半导体应变片的突出优点是灵敏度高，比金属丝式应变片高50～80倍，尺寸小，横向效应小，动态响应好。但它有温度系数大，应变时非线性比较严重等缺点。
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第1题：
金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同？
正确答案:金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的，半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随应变所引起的变化产生的。 -
第2题：
（）的工作原理是基于压阻效应。
- A、金属应变片
- B、半导体应变片
- C、变阻器
正确答案:B -
第3题：
金属应变片与半导体应变片在工作原理上有何不同？
正确答案:前者利用金属形变引起电阻的变化；而后者是利用半导体电阻率变化引起电阻的变化（压阻效应）。 -
第4题：
常用的应变片有（）与（） 两大类。对于金属电阻应变片来说：S= （），而对于半导体应变片来说 S＝（）。前一种应变片的灵敏度比后一种 （）。
正确答案:半导体 ； 金属丝；1+2μ；πLE ；低。 -
第5题：
电阻应变片根据材料不同分为金属应变片和半导体应变片。
正确答案:正确 -
第6题：
电阻应片有金属应变片和半导体应变片两种。
正确答案:正确 -
第7题：
试说明金属应变片与半导体应变片的相同和不同之处。
正确答案: 金属应变片由敏感栅、基片、覆盖层和引线等部分组成。金属电阻应变片的敏感栅有丝式、箔式和薄膜式三种。箔式应变片是利用光刻、腐蚀等工艺制成的一种很薄的金属箔栅，其优点是散热条件好，允许通过的电流较大，便于批量生产，可制成各种所需的形状；缺点是电阻分散性大。薄膜式应变片是采用真空蒸发或真空沉淀等方法在薄的绝缘基片上形成0.1&mu；m以下的金属电阻薄膜的敏感栅，最后再加上保护层。它的优点是应变灵敏度系数大，允许电流密度大，工作范围广。
半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。半导体应变片的突出优点是灵敏度高，比金属丝式应变片高50～80倍，尺寸小，横向效应小，动态响应好。但它有温度系数大，应变时非线性比较严重等缺点。 -
第8题：
单选题电阻应变片主要有（）两大类。A金属应变片和半导体应变片
B丝式应变片和箔式应变片
C金属应变片和薄膜式应变片
D箔式应变片和薄膜式应变片
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题金属应变片与半导体应变片的工作原理有何区别，各有何优点。正确答案： 电阻应变式测力传感器是将力作用在弹性元件上，弹性元件在力作用下产生应变，利用贴在弹性元件上的应变片将应变转换成电阻的变化。半导体应变片的工作原理是基于压阻效应。半导体应变片横向效应小，其横向灵敏度几乎为零；机械滞后小，可制作成小型和超小型片子，这对测量局部应变很有作用。半导体应变片的缺点是应变灵敏系数的离散性大，机械强度低，非线性误差大温度系数大。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题说明电阻丝应变片和半导体应变片的异同点，各有何优点？正确答案： 相同之处在于：都是将被测量的变化转换为电阻的变化，且dR/R=（1+2H）ε+λEε，其中H为材料的泊桑比，E为材料的弹性模量，（1+2H）ε是由几何尺寸变化引起的阻值变化，λEε是由电阻率的变化引起的阻值变化。
不同的是，电阻应变片是利用导体形变引起的阻值变化，所以dR/R≈（1+2H）ε，S≈1+2H；而半导体应变片是利用半导体材料的压阻效应使电阻率发生变化引起电阻变化。所以dR/R=λEε，S≈λE。
各自的优点分别为：
电阻丝应变片具有相当高的适应性；半导体应变片的灵敏度高，一般为电阻丝应变片的50-70倍。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题试说明金属应变片与半导体应变片的相同和不同之处。正确答案： 金属应变片由敏感栅、基片、覆盖层和引线等部分组成。金属电阻应变片的敏感栅有丝式、箔式和薄膜式三种。箔式应变片是利用光刻、腐蚀等工艺制成的一种很薄的金属箔栅，其优点是散热条件好，允许通过的电流较大，便于批量生产，可制成各种所需的形状；缺点是电阻分散性大。薄膜式应变片是采用真空蒸发或真空沉淀等方法在薄的绝缘基片上形成0.1μm以下的金属电阻薄膜的敏感栅，最后再加上保护层。它的优点是应变灵敏度系数大，允许电流密度大，工作范围广。
半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。半导体应变片的突出优点是灵敏度高，比金属丝式应变片高50～80倍，尺寸小，横向效应小，动态响应好。但它有温度系数大，应变时非线性比较严重等缺点。解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题常用的应变片有（）与（） 两大类。对于金属电阻应变片来说：S= （），而对于半导体应变片来说 S＝（）。前一种应变片的灵敏度比后一种 （）。正确答案： 半导体 , 金属丝,1+2μ,πLE ,低。解析： 暂无解析 -
第13题：
金属电阻应变片与半导体应变片的区别有哪些？
正确答案: 工作原理不同：金属电阻应变片基于机械变形引起电阻的变化；半导体应变片基于电阻率变化引起电阻的变化。
灵敏度不同：金属电阻应变片的灵敏度取决于泊松比的大小；半导体应变片的灵敏度取决于压阻系数和弹性模量的大小。 -
第14题：
金属电阻应变片的工作原理是（）。半导体应变片的工作原理是（）。
正确答案:应变效应；压阻效应 -
第15题：
金属电阻应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别？
正确答案:金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于：金属电阻应变片是基于电阻应变效应工作的；半导体应变片则是基于压阻效应工作的。 -
第16题：
说明电阻丝应变片和半导体应变片的异同点，各有何优点？
正确答案: 相同之处在于：都是将被测量的变化转换为电阻的变化，且dR/R=（1+2H）ε+λEε，其中H为材料的泊桑比，E为材料的弹性模量，（1+2H）ε是由几何尺寸变化引起的阻值变化，λEε是由电阻率的变化引起的阻值变化。
不同的是，电阻应变片是利用导体形变引起的阻值变化，所以dR/R≈（1+2H）ε，S≈1+2H；而半导体应变片是利用半导体材料的压阻效应使电阻率发生变化引起电阻变化。所以dR/R=λEε，S≈λE。
各自的优点分别为：
电阻丝应变片具有相当高的适应性；半导体应变片的灵敏度高，一般为电阻丝应变片的50-70倍。 -
第17题：
金属应变片工作原理是利用（）效应；半导体应变片工作原理是利用（）效应。二者灵敏系数主要区别是：金属应变片的电阻变化主要由（）引起的，半导体应变片的电阻变化主要由（）引起的。
正确答案:机械形变产生的应变；半导体材料的压阻；机械形变；载流子迁移率变化 -
第18题：
试述金属电阻应变片与半导体电阻应变片的应变效应有什么不同？
正确答案:金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的，半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随应变所引起的变化产生的。 -
第19题：
金属应变计与半导体应变计在工作原理上有何异同？试比较应变计各种灵敏系数（指材料的和应变片的）概念的不同物理意义。
正确答案: 相同点，两者都由外力作用产生形变而使得电阻变化。不同点，金属材料的应变效应以机械形变为主；而半导体材料的应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主。
对于金属材料，灵敏系数Ko=Km=（1+2μ）+C（1-2μ）。前部分为受力后金属几何尺寸变化，一般μ≈0.3，因此（1+2μ）=1.6；后部分为电阻率随应变而变的部分。对于半导体材料，灵敏系数Ko=Ks=（1+2μ）+ πE。前部分同样为尺寸变化，后部分为半导体材料的压阻效应所致，而πE ≥（1+2μ），因此Ko=Ks=πE。 -
第20题：
问答题金属应变计与半导体应变计在工作原理上有何异同？试比较应变计各种灵敏系数（指材料的和应变片的）概念的不同物理意义。正确答案： 相同点，两者都由外力作用产生形变而使得电阻变化。不同点，金属材料的应变效应以机械形变为主；而半导体材料的应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主。
对于金属材料，灵敏系数Ko=Km=（1+2μ）+C（1-2μ）。前部分为受力后金属几何尺寸变化，一般μ≈0.3，因此（1+2μ）=1.6；后部分为电阻率随应变而变的部分。对于半导体材料，灵敏系数Ko=Ks=（1+2μ）+ πE。前部分同样为尺寸变化，后部分为半导体材料的压阻效应所致，而πE ≥（1+2μ），因此Ko=Ks=πE。解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题应变片式压力传感器的电阻应变效应的关键元件是电阻应变片。电阻应变片有金属应变片和（）应变片两类。A导体
B非金属
C半导体
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）A金属应变片主要利用压阻效应
B金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化
C半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化
D半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同？正确答案： 金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的，半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随应变所引起的变化产生的。解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题金属导体应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别？正确答案： 对于金属应变片，电阻值的变化是主要由机械变形而产生的电阻应变效应，电阻率几乎不变化；而对半导体应变片，电阻值的变化主要是由电阻材料受到载荷作用产生应力时电阻率发生变化引起的。解析： 暂无解析