压敏电阻它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对（）十分敏感。

题目

压敏电阻它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对（）十分敏感。

相似考题

1.()的基本工作原理是基于压阻效应。A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、光敏电阻

2.金属氧化物避雷器主要组成元件为金属氧化物非线性电阻片。

3.压敏电阻具有非线性伏安特性，当电压超过转折电压时，其阻值增大。

4.常用的浪涌抑制器件包括()。A、气体放电管B、硅雪崩二极管C、金属氧化物压敏电阻D、以上全对

更多“压敏电阻它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作”相关问题

  • 第1题：

    下列哪种情况可以判断C级防雷器中压敏电阻已损坏？（）

    • A、压敏电阻窗口变绿
    • B、压敏电阻窗口变红
    • C、用万用表测量压敏电阻片两金属端电阻非常大
    • D、监控模块显示防雷器故障

    正确答案:B

  • 第2题：

    对于ZnO压敏电阻的劣化预防，可以采用（）的方法进行处理。

    • A、机械保护
    • B、热学处理
    • C、化学处理
    • D、合理设计

    正确答案:B,C

  • 第3题：

    ZnO压敏电阻的失效模式有（）。

    • A、电气击穿
    • B、过期老化
    • C、机械破坏
    • D、热破坏

    正确答案:A,C,D

  • 第4题：

    电涌器的实质为半导体压敏电阻器件，电阻大小依赖于电涌器的（）。

    • A、额定电压
    • B、端电压
    • C、击穿电压
    • D、以上答案都对

    正确答案:B

  • 第5题：

    解释什么是ZnO压敏电阻的晶界效应。


    正确答案:ZnO中添加了Bi2O3, Bi在晶界偏析，Bi3+置换固溶Zn2+,在晶界具有受主能级，从而形成相对于晶界面对称的双肖特基势垒。当电压较低时，由于热激励电子，必须越过肖持基势垒而流过。电压到某一值以上，界面上所捕获的电子，由于隧道效应通过势垒，造成电流急剧增大，从而呈现出异常的非线性关系。

  • 第6题：

    由非线性金属氧化物电阻片串联和（或）并联组成且无并联或串联放电间隙的避雷器叫做无间隙金属氧化物避雷器。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    （）的基本工作原理是基于压阻效应。

    • A、金属应变片
    • B、半导体应变片
    • C、压敏电阻
    • D、压电陶瓷

    正确答案:B

  • 第8题：

    判断题
    由非线性金属氧化物电阻片串联和（或）并联组成且无并联或串联放电间隙的避雷器叫做无间隙金属氧化物避雷器。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    利用半导体材料在某一方向上承受压力时，它的电阻率发生显著变化的现象制成压敏电阻，用压敏电阻制成的传感器称（）压力传感器。
    A

    电阻应变式

    B

    压阻式

    C

    压电式

    D

    电位器式


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    多选题
    ZnO压敏电阻的失效模式有（）。
    A

    电气击穿

    B

    过期老化

    C

    机械破坏

    D

    热破坏


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    压敏电阻就是对电压敏感的非线性电阻元件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    下列传感器中（）是基于压阻效应的。
    A

    金属应变片

    B

    半导体应变片

    C

    压敏电阻


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    ZnO压敏电阻片的全电压—电流特性曲线可划分为哪几个区段：（）。

    • A、小电流区
    • B、中电流区
    • C、截止区
    • D、大电流区

    正确答案:A,B,D

  • 第14题：

    下列对压敏电阻的描述不正确的是（）。

    • A、压敏电阻自身寄生电容较小
    • B、压敏电阻动作响应速度快
    • C、压敏电阻通流容易比较大
    • D、压敏电阻特性非线性程度高

    正确答案:A

  • 第15题：

    半导体热敏电阻的材料大多数是（）。

    • A、金属
    • B、非金属
    • C、金属氧化物
    • D、碳

    正确答案:C

  • 第16题：

    半导体热敏电阻材料大多数是（）。

    • A、金属
    • B、非金属
    • C、金属氧化物
    • D、碳

    正确答案:C

  • 第17题：

    压敏电阻就是对电压敏感的非线性电阻元件。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    下列传感器中哪个是基于压阻效应的？（）

    • A、金属应变片
    • B、半导体应变片
    • C、压敏电阻
    • D、磁敏电阻

    正确答案:B

  • 第19题：

    单选题
    下列对压敏电阻的描述不正确的是（）。
    A

    压敏电阻自身寄生电容较小

    B

    压敏电阻动作响应速度快

    C

    压敏电阻通流容易比较大

    D

    压敏电阻特性非线性程度高


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）
    A

    金属应变片主要利用压阻效应

    B

    金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化

    C

    半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化

    D

    半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    半导体压敏电阻式压力传感器是利用半导体的（）效应制成的。

    正确答案： 压敏
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    下列传感器中哪个是基于压阻效应的？（）
    A

    金属应变片

    B

    半导体应变片

    C

    压敏电阻

    D

    磁敏电阻


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    对于ZnO压敏电阻的劣化预防，可以采用（）的方法进行处理。
    A

    机械保护

    B

    热学处理

    C

    化学处理

    D

    合理设计


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

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