TTL与非门电压传输特性曲线可分为（）、（）、（）及饱和区四个区域。

第1题：

第2题：

三极管的输出特性曲线可分为三个区（）。

• A、饱和区
• B、截止区
• C、放大区
• D、工作区

正确答案:A,B,C

第3题：

要用与非门电路实现对小信号的放大作用，该与非门应工作在电压传输特性曲线区域是（）。

• A、截止区
• B、线性区
• C、饱和区
• D、转折区

正确答案:B

第4题：

在输出特性曲线上，满足IC=HFEIB关系的区域是：（）.

• A、放大区
• B、截止区
• C、饱和区
• D、击穿区

正确答案:A

第5题：

TTL与非门电压传输特性曲线可分为（）、（）、（）及（）四个区域。

正确答案:截止区；放大区；过渡区；饱和区

第6题：

晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应（）

• A、饱和区
• B、截止区
• C、放大区
• D、击穿区

正确答案:C

第7题：

结型场效应管的输出特性曲线可分为（）几部分。

• A、放大区
• B、饱和区
• C、截止区
• D、可变电阻区
• E、击穿区

正确答案:B,D,E

第8题：

TTL门电路的电压传输特性曲线上可以反映出数字电路的哪些主要技术参数？

正确答案:门电路的电压传输特性曲线描述了逻辑门在空载条件下的输出电压和输入电压之间的对应关系，曲线上可以反映出数字电路的标准高低逻辑电平值V_H和V_L，关门电平V_OFF、开门电平V_ON和阈值电压V_T，输入信号噪声容限V_NL和V_NH。

第9题：

TTL与非门电压传输特性曲线分为（）

• A、饱和区
• B、转折区
• C、线性区
• D、截止区

正确答案:A,B,C,D

第10题：

下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。

• A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。
• B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。
• C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。
• D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

正确答案:A,B,C

第11题：

第12题：

第13题：

第14题：

三极管有输入、输出两个特性曲线，而在输出曲线中分为放大区、饱和区和（）。

• A、工作区
• B、导通区
• C、调整区
• D、截止区

正确答案:D

第15题：

MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）

正确答案:雪崩区

第16题：

结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。

• A、可变电阻区和饱和区
• B、可变电阻区和击穿区
• C、饱和区和击穿区
• D、可变电阻区、饱和区和击穿区

正确答案:D

第17题：

根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为（）、饱和区、截止区和击穿区。

正确答案:非饱和区

第18题：

在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的（）区。

正确答案:放大；饱和

第19题：

TTL与非门电压传输特性曲线分为（）区、（）区、（）区、（）区。

正确答案:饱和；转折；线性；截止

第20题：

利用TTL与非门实现输出线与应采用（）门，实现总线传输应采用（）门。

正确答案:OC；三态

第21题：

场效应管用作α信号放大时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的（）

• A、非饱和区
• B、饱和区
• C、截止区
• D、击穿区

正确答案:B

第22题：

三极管的输出特性曲线可分成三个区域即（）。

• A、放大区、饱和区、截止区
• B、放大区、饱和区、短路区
• C、放大区、导通区、截止区
• D、放大区、饱和区、断路区

正确答案:A

第23题：