西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线

题目

西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

  • A、正接线
  • B、反接线
  • C、交叉接线
相似考题

1.QSl型西林电桥正接线适用于被试品一端接地的情况。( )

2.西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错

3.当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错

4.当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错

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  • 第1题：

    西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。

    A对

    B错


    错
    略

  • 第2题：

    西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）

    • A、把电桥移到磁场以外去测量
    • B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的tanØ值和电容值，取两次的平均值为tanØ值
    • C、提高试验电压
    • D、在被试设备上加装屏蔽罩

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？


    正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
    由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

  • 第7题：

    用电桥法测量直流电阻，当被试电阻在10Ω以上时，一般采用（）测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥

    正确答案:A

  • 第8题：

    用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥
    • D、以上都不对

    正确答案:A

  • 第9题：

    判断题
    西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离时的测量。

  • 第11题：

    填空题
    西林电桥测试ta118时采用（）时适用于试品整体与地隔离时的测量。

    正确答案： 正接线
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥

    正确答案:A

  • 第14题：

    当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    西林电桥采用正接线时，电桥处于低电压，操作比较安全，电桥内部不受（）影响，但被试品对地必须绝缘。

    • A、大电流
    • B、高电压
    • C、强电场
    • D、磁场

    正确答案:C

  • 第17题：

    适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）

    • A、电场干扰
    • B、温度影响
    • C、被试设备局部绝缘缺陷的影响
    • D、测量电压的影响

    正确答案:A,B,C,D

  • 第19题：

    用电桥法测量直流电阻，当被试电阻在10以上时，一般采用（）测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥
    • D、兆欧表

    正确答案:A

  • 第20题：

    用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥
    • D、都不对

    正确答案:A

  • 第21题：

    单选题
    用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法（）。
    A

    可以试品一端接地

    B

    试品设在高压端

    C

    不适用于现场试验

    D

    操作方便


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用正接法（）。
    A

    需要试品两端对地绝缘

    B

    试品设在低压端

    C

    适用于现场试验

    D

    需要注意操作人员安全


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
    A

    正接线

    B

    反接线

    C

    交叉接线


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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