通常硅材料二极管的导通电压约为（）。A、0.1~0.3伏B、0.6~0.8伏C、1.2~1.5伏D、1~2伏

题目

通常硅材料二极管的导通电压约为（）。

  • A、0.1~0.3伏
  • B、0.6~0.8伏
  • C、1.2~1.5伏
  • D、1~2伏
相似考题

1.导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V

2.二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

3.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通

4.硅二极管的死区电压约为()伏。A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5

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  • 第1题：

    二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。

    A、0.2

    B、0.3

    C、0.5

    D、0.7


    正确答案:D

  • 第2题：

    常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。

    A.0.1

    B.0.3

    C.0.5

    D.0.7


    参考答案：D

  • 第3题：

    型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。

    • A、1V
    • B、0.2V
    • C、0.6V

    正确答案:C

  • 第4题：

    硅二极管的正向导通电压约为（）

    • A、0.1-0.3伏
    • B、0.6-0.7伏
    • C、1.2-1.5伏
    • D、1-2伏

    正确答案:B

  • 第5题：

    常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。

    • A、0.1
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第6题：

    硅二极管的工作电压为（）。

    • A、0.5～0.8V
    • B、0.1～0.3V
    • C、0.9～1V
    • D、1～1.2V

    正确答案:A

  • 第7题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第8题：

    在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V

  • 第9题：

    二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。


    正确答案:0.7V；0.3 V

  • 第10题：

    导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。

    • A、0.5V
    • B、0.7V
    • C、0.3V
    • D、0.1V

    正确答案:B

  • 第11题：

    当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。

    • A、超过死区电压时才开始导通
    • B、到0.3才开始导通
    • C、立即导通

    正确答案:A

  • 第12题：

    单选题
    型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。
    A

    1V

    B

    0.2V

    C

    0.6V


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。


    参考答案：正向 反向 0.7V 0.3V

  • 第14题：

    二极管导通状态描述错误的是（）

    • A、锗二极管的导通电压为0.3V左右
    • B、硅二极管的导通电压为0.6V左右
    • C、二极管导通后，其导通电流不变
    • D、二极管导通后，其导通电压不变

    正确答案:D

  • 第15题：

    硅材料二极管的正向导通电压约为（）。

    • A、0.1-0.3伏
    • B、0.6-0.7伏
    • C、1.2-1.5伏
    • D、1-2伏

    正确答案:B

  • 第16题：

    二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。

    • A、0.1；0.2
    • B、0.2；0.3
    • C、0.5；0.1
    • D、0.5；0.4

    正确答案:C

  • 第17题：

    在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。

    • A、0.1～0.3V
    • B、0.4～0.5V
    • C、0.6～0.8V
    • D、0.9～1.0V

    正确答案:C

  • 第18题：

    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。


    正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

  • 第19题：

    硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。


    正确答案:0.6V；0.2V

  • 第20题：

    硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）

    • A、0.6V；0.6V
    • B、0.6V；0.1V
    • C、0.1V；0.6V
    • D、0.1V；0.1V

    正确答案:B

  • 第21题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第22题：

    当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。

    • A、立即导通
    • B、到0.3V时才开始导通
    • C、超过死区电压时才开始导通
    • D、不导通

    正确答案:C

  • 第23题：

    单选题
    常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。
    A

    0.1

    B

    0.3

    C

    0.5

    D

    0.7


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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