参考答案和解析
正确答案:A,B,C
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  • 第1题:

    发光二极管是一种将电能转变成光能的半导体器件,是由()组成。

    A.2个PN结

    B.3个PN结

    C.1个PN结

    D.4个PN结


    参考答案:C

  • 第2题:

    利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。


    正确答案:正确

  • 第3题:

    整流电路主要是利用()实现的。

    • A、半导体器件的单向导电性
    • B、半导体器件的电容效应
    • C、半导体器件的击穿特性
    • D、半导体器件的温度敏感性

    正确答案:A

  • 第4题:

    只要把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起,就构成一个PN结。


    正确答案:错误

  • 第5题:

    一般晶体二极管是由两个PN结构成的一种半导体器件。


    正确答案:错误

  • 第6题:

    GTR是由三层半导体、两个PN结构成的三端器件,所以可分为()两种形式。


    正确答案:PNP型和NPN型

  • 第7题:

    半导体三极管是由()极()极()极三个电极,()结()结两个PN结构成。


    正确答案:发射极;基极;集电极;发射结;集电结

  • 第8题:

    晶体二极管是最简单的半导体器件,它是由()组成。

    • A、PN结
    • B、电子
    • C、空穴
    • D、原子

    正确答案:A

  • 第9题:

    构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有()和()特性。


    正确答案:单向导电;反向击穿

  • 第10题:

    二极管是由()、电极引线以及外壳封装构成的。

    • A、一个PN结
    • B、P型半导体
    • C、N型半导体
    • D、本征半导体

    正确答案:A

  • 第11题:

    单选题
    半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要的特性是()。
    A

    具有单向导电性

    B

    具有放大性

    C

    具有改变电压特性

    D

    以上都不对


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    半导体色敏器件是一个双结光电二极管,由两个()不同的PN结构成。

    正确答案: 深浅
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    晶体二极管是最简单的半导体器件,它是由()组成。

    A.PN结

    B.电子

    C.空穴

    D.原子


    参考答案:A

  • 第14题:

    晶体三极管是由()个PN结构成的半导体器件。

    • A、1
    • B、2
    • C、3
    • D、4

    正确答案:B

  • 第15题:

    GTR是由三层半导体、两个PN结构成的三端器件,所以可分为型()和()型两种形式。


    正确答案:PNP;NPN

  • 第16题:

    LED是半导体PN结发光器件,试述其发光机理。


    正确答案: LED是半导体PN结发光器件,其发光机理是:在施加正向电压的情况下,PN结N区自由电子向P区运动,而P区的空穴则向N区运动,在有源层内电子由导带跃迁到价带与空穴复合,产生光子,即电能转化成了光能。

  • 第17题:

    三极管是由3个PN结构成的一种半导体器件。()


    正确答案:错误

  • 第18题:

    在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

    • A、提高半导体的导电能力 
    • B、降低半导体的导电能力 
    • C、制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件 
    • D、产生PN结

    正确答案:A

  • 第19题:

    半导体三极管是具有()PN结的器件。

    • A、1个
    • B、2个
    • C、3个
    • D、4个

    正确答案:B

  • 第20题:

    构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。


    正确答案:正确

  • 第21题:

    半导体二级管是用一个PN结制成的半导体器件,它的最基本性质是双向导电性。


    正确答案:错误

  • 第22题:

    晶闸管是具有3个PN结、()极的硅半导体器件。

    • A、放大
    • B、阴
    • C、阳
    • D、控制

    正确答案:B,C,D

  • 第23题:

    单选题
    PN结是构成各种半导体器件的基础,其主要特性是()。
    A

    具有放大特性

    B

    具有单向导电性

    C

    具有改变电压特性

    D

    具有增强内电场特性


    正确答案: C
    解析: 暂无解析