在涡流探伤中,试件中的涡流方向().A、增加激励磁场的变化B、阻碍激励磁场的变化C、与激励磁场变化无关D、只与激励场强绝对值有关

题目

在涡流探伤中,试件中的涡流方向().

  • A、增加激励磁场的变化
  • B、阻碍激励磁场的变化
  • C、与激励磁场变化无关
  • D、只与激励场强绝对值有关

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  • 第1题:

    在涡流探伤中,在试件上感生的电流方向().

    • A、与激励电流的方向相同
    • B、与激励电流的方向相反
    • C、与激励电流的方向无关
    • D、取决于激励电流是直流还是交流

    正确答案:B

  • 第2题:

    如涡流探伤的激励频率增加,而场强不变,则试件表面的涡流密度会().

    • A、增加
    • B、减小
    • C、不变
    • D、等于0

    正确答案:A

  • 第3题:

    激励绕组的功能是()。

    • A、发现试件中涡流变化
    • B、在试件中激励出涡流
    • C、发现试件中的分子磁矩
    • D、激励出试件磁畴

    正确答案:B

  • 第4题:

    在探伤中采用多通道涡流探伤仪的目的是()


    正确答案:加快检测速度

  • 第5题:

    涡流探伤仪检测试件时,引起漏报的原因是什么?


    正确答案:1、信噪比不够。
    2、探伤装置工作不稳定;
    3、涡流仪灵敏度下降;
    4、机械传送速度减慢。

  • 第6题:

    涡流探伤中,试件和检测线圈不同心,造成距线圈较远的缺陷()


    正确答案:漏检

  • 第7题:

    在涡流探伤中,缺陷是通过改变涡流的分布及流动状态来影响检测线圈电参数的。


    正确答案:正确

  • 第8题:

    填空题
    涡流探伤仪在测试漏、误报率时,要将标准试件连续测试()次。

    正确答案: 25
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    单选题
    如涡流探伤的激励频率增加,而场强不变,则试件表面的涡流密度会().
    A

    增加

    B

    减小

    C

    不变

    D

    等于0


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    在涡流探伤中,在试件上感生的电流方向().
    A

    与激励电流的方向相同

    B

    与激励电流的方向相反

    C

    与激励电流的方向无关

    D

    取决于激励电流是直流还是交流


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    在涡流探伤中,试件中感生出的涡流方向是()。
    A

    增加激励磁场的变化

    B

    阻碍激励磁场变化

    C

    与激励磁场变化无关

    D

    与激励场强绝对值有关


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    激励绕组的功能是()。
    A

    发现试件中涡流变化

    B

    在试件中激励出涡流

    C

    发现试件中的分子磁矩

    D

    激励出试件磁畴


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    为了探出所需深度中的缺陷,在涡流探伤中可选用的条件是()。

    • A、试件电导率
    • B、激励频率
    • C、试件导磁率
    • D、试件尺寸

    正确答案:B

  • 第14题:

    涡流探伤用对比试件上的人工缺陷的用途是什么?


    正确答案:1.调整仪器设备;
    2.测定仪器性能指标;
    3.产品验收标准。

  • 第15题:

    在涡流探伤中,试件中感生出的涡流方向是()。

    • A、增加激励磁场的变化
    • B、阻碍激励磁场变化
    • C、与激励磁场变化无关
    • D、与激励场强绝对值有关

    正确答案:B

  • 第16题:

    涡流探伤时,试件中涡流产生的磁场总是强化激励电流所产生的磁场。


    正确答案:错误

  • 第17题:

    涡流探伤仪在测试漏、误报率时,要将标准试件连续测试()次。


    正确答案:25

  • 第18题:

    涡流探伤仪中功率放大器的作用是将涡流信号进行()


    正确答案:功率放大

  • 第19题:

    单选题
    在涡流探伤时,试件中的涡流将()。
    A

    集中于试件中心

    B

    在试件中均匀分布

    C

    主要集中于试件表面

    D

    以上全不对


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    单选题
    为了探出所需深度中的缺陷,在涡流探伤中可选用的条件是()。
    A

    试件电导率

    B

    激励频率

    C

    试件导磁率

    D

    试件尺寸


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    在涡流探伤中,试件中的涡流方向().
    A

    增加激励磁场的变化

    B

    阻碍激励磁场的变化

    C

    与激励磁场变化无关

    D

    只与激励场强绝对值有关


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    判断题
    涡流探伤时,试件中涡流产生的磁场总是强化激励电流所产生的磁场。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    填空题
    涡流探伤中,试件和检测线圈不同心,造成距线圈较远的缺陷()

    正确答案: 漏检
    解析: 暂无解析