硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
第1题:
第2题:
第3题:
今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为4V、3.4V和9V,说明这个晶体三极管是NPN型硅管。
第4题:
常温下,硅晶体三极管的UBE 约为0.7V,且随温度升高而减小。()
第5题:
晶体三极管的穿透电流Iceo是指在基极开路时,集电极与发射极之间的()电流。
第6题:
晶体三极管电流放大的实质是以小电流去控制大电流。
第7题:
晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
第8题:
在选择晶体三极管时,通常要求选用管子的穿透电流()越好。
第9题:
工作在放大状态的晶体三极管,流过发射结的电流主要是()
第10题:
关于晶体三极管的漏电流。相同功率的着管漏电流大于硅管。
第11题:
穿透电流也越大,三极管的性能越稳定
穿透电流也越大,三极管的性能不稳定
穿透电流也越小,三极管的性能越稳定
穿透电流也越小,三极管的性能不稳定
第12题:
高频小功率NPN型硅三极管
高频大功率NPN型硅三极管
高频小功率PNP型锗三极管
高频大功率PNP型锗三极管
第13题:
A.越大
B.越小
C.无穷大为好
D.为零为好
第14题:
三极管的穿透电流与温度有关。
第15题:
晶体三极管穿透电流的大小不随温度变化。()
第16题:
下列()不是晶体三极管的主要参数。
第17题:
晶体三极管按制造材料不同分为硅三极管和()三极管两大类。
第18题:
晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
第19题:
常用晶体三极管有硅管和()。
第20题:
晶体三极管的穿透电流越大说明管子的温度稳定性越差。
第21题:
晶体三极管的主要参数有(),集电极最大允许耗散功率。
第22题:
下列中()不是晶体三极管的主要参数。
第23题:
PNP型,锗材料
NPN型,锗材料
PNP型,硅材料
NPN型,硅材料