QS1电桥反接线时（）都处于高电位情况。

题目

QS1电桥反接线时（）都处于高电位情况。

相似考题

1.QSl型西林电桥反接线时电桥桥体处于高电位。( )

2.采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错

3.采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A对B错

4.采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。A对B错

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  • 第1题：

    采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。


    正确答案:正确

  • 第2题：

    QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）

    • A、提高试验电压
    • B、采用正接线方法
    • C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰
    • D、在被试设备上加装屏蔽罩

    正确答案:A,B,C,D

  • 第4题：

    QS1电桥包括升压试验设备QS1电桥桥体及（）。

    • A、标准电容器
    • B、标准电感
    • C、标准电阻

    正确答案:A

  • 第5题：

    采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。

    • A、低
    • B、高
    • C、相等

    正确答案:B

  • 第6题：

    QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法，是使被试设备（）接地。测量时电桥上于（），试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电流不易消除，抗干扰性差。

    • A、两端、高电位
    • B、两端、低电位
    • C、一端、低电位
    • D、一端、高电位

    正确答案:D

  • 第7题：

    测试介质损失角正切时，QS1型西林电桥有（）种接线方式。

    • A、二
    • B、三
    • C、四
    • D、五

    正确答案:B

  • 第8题：

    测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？


    正确答案: ①在使用电桥过程中，若分流电阻选择不当，很可能损坏R3的各电阻元件，②因为通过被试品的全部电流要由分流电阻和R3分别承担。

  • 第9题：

    用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？


    正确答案: 应采用反接线。
    测量时非被试绕组应短路接地，被试绕组三相要短接。

  • 第10题：

    判断题
    采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    QS1型交流电桥在使用时采用正接线方法，是使被试设备（）对地绝缘，电桥处于（），试验电压不受电桥绝缘水平限制，易于排除高压端对地杂散电流对实际测量结果的影响，抗干扰性强，被广泛使用.

    • A、两端、高电位
    • B、两端、低电位
    • C、一端、低电位
    • D、一端、高电位

    正确答案:B

  • 第15题：

    采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？


    正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
    由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

  • 第18题：

    QS1型交流电桥在使用时有通常有以下（）接线方法

    • A、正接线
    • B、反接线
    • C、侧接线
    • D、低压接线

    正确答案:A,B,C,D

  • 第19题：

    如果QS1交流电桥的工作电压高于10kv，只能采用（）接线法，并配用（）标准电容器．


    正确答案:正；相应电压的

  • 第20题：

    变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。


    正确答案: 被测线圈接地部位
    ①低压外壳、高压和中压线圈
    ②中压外壳、高压和低压线圈
    ③高压外壳、中压和低压线圈
    ④高压和中压外壳和低压线圈
    ⑤高压、中压和低压外壳

  • 第21题：

    判断题
    采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。
    A

    低

    B

    高

    C

    相等


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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