NAND表示（）。A、与B、或C、与非D、或非

题目

NAND表示（）。

  • A、与
  • B、或
  • C、与非
  • D、或非
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1.进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(13)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

2.给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试）

3.为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知）

4.画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔试

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  • 第1题：

    进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。

    A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些

    B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些

    C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些

    D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

    A．

    B．

    C．

    D．


    正确答案：A

  • 第2题：

    以下哪个结果是正确的?( )var a=100,b=" 100.56",c="80";alert(Math.max(a , b ,c));

    A.100

    B. 100.56

    C.NaN

    D.80


    正确答案：B

  • 第3题：

    NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是()

    A.NOR的读速度比NAND稍慢一些

    B.NAND的写入速度比NOR慢很多

    C.NAND的擦除速度远比NOR的慢

    D.大多数写入操作需要先进行擦除操作


    参考答案：D

  • 第4题：

    NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）

    • A、NOR的读速度比NAND稍慢一些
    • B、NAND的写入速度比NOR慢很多
    • C、NAND的擦除速度远比NOR的慢
    • D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

    正确答案:D

  • 第5题：

    混合硬盘的NAND闪存容量是可见的


    正确答案:错误

  • 第6题：

    用于平板电脑的内存是（）。

    • A、Nand flash
    • B、Mobile RAM
    • C、DDR
    • D、DDRII

    正确答案:A,B

  • 第7题：

    Nand Flash比Nor Flash成本高，可靠性差。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    简述NAND技术的特点


    正确答案:NAND技术Flash Memory具有以下特点：
    （1）以页为单位进行读和编程操作，具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；
    （2）数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程；
    （3）芯片尺寸小，引脚少，是位成本（bit cost）最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制
    （4）芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块，失效块不会影响有效块的性能。

  • 第9题：

    以下表达式的值结果为True的是？（）

    • A、undefined==null
    • B、undefined===null
    • C、NaN==NaN
    • D、true==1

    正确答案:A,D

  • 第10题：

    在Flash中，对未定义值进行toString（）转换的结果是（）。

    • A、空字符串
    • B、undefined
    • C、NaN
    • D、null

    正确答案:B

  • 第11题：

    单选题
    NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）
    A

    NOR的读速度比NAND稍慢一些

    B

    NAND的写入速度比NOR慢很多

    C

    NAND的擦除速度远比NOR的慢

    D

    大多数写入操作需要先进行擦除操作


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    Nand Flash比Nor Flash成本高，可靠性差。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是：（）。

    A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术

    B.NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势

    C.NOR Flash写入和擦除速度较慢

    D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash


    正确答案：D

  • 第14题：

    嵌入式存储器系统设计中，一般使用．三种存储器接口电路：NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路，以下叙述中错误的是(27) 。

    A.系统引导程序可以放在NORFlash中，也可以放在NAND Flash中

    B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行

    C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行

    D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性，其访问速度要大于Flash存储器


    正确答案：C
    本题考查嵌入式系统存储硬件设计的基础知识。在嵌入式系统的存储硬件设计中，一般采用三种存储器接口即NORFlash存储器、NandFlash存储器和SDRAM存储器。NORFlash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。NORFlash的特点是芯片内执行(XIP，eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。如uboot中的只读段可以直接在NORFlash上运行。NANDFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂，所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NANDFlash没有挂接在地址总线上，所以如果想用NANDFlash作为系统的启动盘，就需要CPU具备特殊的功能，如s3c2410在被选择为NANDFlash启动方式时会在上电时自动读取NANDFlash的4kb数据到地址0得SRAM中。如果CPU不具备这种特殊功能，用户不能直接运行NANDFlash上的代冯，那可以采取其他方式，比如好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlaslI以外，还用一块小的NORFlash来运行启动代码。任何Flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。SDRAM是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。相对于NORFlash和NandFlash，SDRAM的访问读写速度要快得多。

  • 第15题：

    下列哪些是混合硬盘的特点？（）

    • A、闪存模块直接整合到硬盘
    • B、具有8GB-16GB等较大SLC闪存
    • C、通常使用的闪存是NAND闪存
    • D、内置NAND容量不可见

    正确答案:A,B,C,D

  • 第16题：

    固态硬盘SSD的存储介质包括（）

    • A、磁介质盘片
    • B、磁带介质
    • C、DRAM
    • D、NAND型Flash颗粒

    正确答案:C,D

  • 第17题：

    NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是（）

    • A、NOR的读速度比NAND稍慢一些
    • B、NAND的写入速度比NOR慢很多
    • C、NAND的擦除速度远比NOR的慢
    • D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

    正确答案:D

  • 第18题：

    NAND型闪存的基本存储单元是（）。

    • A、MB
    • B、Page
    • C、Bit
    • D、Byte

    正确答案:B

  • 第19题：

    简述S3C2410A NAND Flash控制器的基本特性。


    正确答案:NAND Flash模式：支持读／擦除／编程NAND Flash存储器。
    自动启动模式：复位后，启动代码被传送到Steppingstone中。传送完毕后，启动代码在Steppingstone中执行。
    具有硬件ECC产生模块（硬件生成校验码和通过软件校验）。
    在NAND Flash启动后，Steppingstone4KB内部SRAM缓冲器可以作为其他用途使用。
    NAND Flash控制器不能通过DMA访问，可以使用LDM/STM指令来代替DMA操作。

  • 第20题：

    下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。

    • A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术
    • B、NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势
    • C、NOR Flash写入和擦除速度较慢
    • D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

    正确答案:D

  • 第21题：

    数码照相机的存储卡一般是使用（）存储器

    • A、ZIP
    • B、NAND型闪存
    • C、NOR型闪存
    • D、LS-120

    正确答案:B

  • 第22题：

    函数如果没有传递所需的参数，则空的参数将被指定为：（）

    • A、null
    • B、NaN
    • C、NAN
    • D、Undefined

    正确答案:D

  • 第23题：

    问答题
    简述NAND技术的特点

    正确答案： NAND技术Flash Memory具有以下特点：
    （1）以页为单位进行读和编程操作，具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；
    （2）数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程；
    （3）芯片尺寸小，引脚少，是位成本（bit cost）最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制
    （4）芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块，失效块不会影响有效块的性能。
    解析： 暂无解析

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