霍尔电压与基片的厚度（）。A、成反比B、成正比C、无关D、成倍数增长

题目

霍尔电压与基片的厚度（）。

  • A、成反比
  • B、成正比
  • C、无关
  • D、成倍数增长
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1.霍尔电压与产生此电压的电流和磁感应强度成反比。

2.用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）A、与霍尔材料的性质无关；B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比；C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比；D、与霍尔片的厚度成正比

3.霍尔电压与流过基片的电流成（）。A、反比B、正比C、倒数

4.霍尔电压与通过霍尔元件的电流和磁感应强度成反比。

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  • 第1题：

    霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。


    正确答案:错误

  • 第2题：

    在霍尔效应中，霍尔电压的大小：（）

    • A、与励磁电流无关
    • B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比
    • C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比
    • D、与霍尔材料的性质无关

    正确答案:B

  • 第3题：

    霍尔电压产生的条件是（）。

    • A、电流与磁场垂直
    • B、电流与磁场平行
    • C、电流与电压垂直

    正确答案:A

  • 第4题：

    霍尔效应或霍尔电压


    正确答案:将霍尔元件（半导体基片）置于磁场中，并通入电流，电流的方向与磁场的方向互相垂直，在垂直与电流和磁场的霍尔元件的横向两侧会产生一个与电流和磁感应强度成正比的电压。这种现象称之为霍尔效应，这个电压称之为霍尔电压。

  • 第5题：

    当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时，在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压，这个电压叫做霍尔电压。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    关于霍尔电势下列说法正确的是（）。

    • A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度
    • B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比
    • C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比
    • D、以上说法都对

    正确答案:D

  • 第7题：

    霍尔电动势正比于激励电流及磁感应强度，其灵敏度与霍尔系数成（）而与霍尔片厚度成（），为了提高灵敏度霍尔元件常做成（）形状。


    正确答案:正比；反比；薄片

  • 第8题：

    霍尔电压大小与材料的性质有关。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。

    • A、电流
    • B、电压
    • C、电感
    • D、电场

    正确答案:B

  • 第10题：

    霍尔传感器产生的霍尔电压大小，与（）有关。

    • A、磁场方向
    • B、磁场的强弱
    • C、输入电压
    • D、磁场内导线的长度

    正确答案:B

  • 第11题：

    单选题
    霍尔分电器由（）集成电路组成。
    A

    霍尔触发器片和霍尔电流产生器

    B

    霍尔感应器片和霍尔电压产生器

    C

    霍尔电压器片和霍尔电压产生器

    D

    霍尔触发器片和霍尔电压产生器


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    霍尔效应中，霍尔电势与（）
    A

    霍尔常数成正比

    B

    霍尔常数成反比

    C

    霍尔元件的厚度成正比


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）

    • A、与霍尔材料的性质无关
    • B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比
    • C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比
    • D、与霍尔片的厚度d成正比

    正确答案:B

  • 第15题：

    霍尔电压UH与（）成正比。

    • A、控制电流I
    • B、霍尔元件的面积S
    • C、磁感应强度B
    • D、以上三者

    正确答案:A,C

  • 第16题：

    霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体基片，且电流方向与磁场方向垂直上，电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移，在（）电流与磁场的半导体基片的横向侧面上，将产生一个（）。

    • A、平行；电流
    • B、垂直；电压
    • C、平行；电压
    • D、垂直；电流

    正确答案:B

  • 第17题：

    霍尔式曲轴位置传感器是利用霍尔效应原理，产生与曲轴转角相对应的电压脉冲信号的。（）


    正确答案:正确

  • 第18题：

    太阳能电池基片的厚度GaAs为（），a-Si为（）。


    正确答案:2μm；1μm

  • 第19题：

    霍尔电压大小与霍尔元件的尺寸有关。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    霍尔电压的大小与电流和磁感应的乘积成正比，与（）成反比。


    正确答案:导体沿磁场方向的厚度

  • 第21题：

    霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。

    • A、线性变化的电流
    • B、线性变化的电压
    • C、矩形波电压
    • D、尖峰波电流

    正确答案:C

  • 第22题：

    单选题
    霍尔电压与流过基片的电流成（）。
    A

    反比

    B

    正比

    C

    倒数


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    霍尔电压产生的条件是（）。
    A

    电流与磁场垂直

    B

    电流与磁场平行

    C

    电流与电压垂直


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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