将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是（）A、四氯化硅法B、三氯氢硅法C、氯化钾法D、硅烷法

题目

将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是（）

  • A、四氯化硅法
  • B、三氯氢硅法
  • C、氯化钾法
  • D、硅烷法
相似考题

1.硅提纯及制备工艺流程正确的是()。A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

2.大型铸钢件为防止粘砂，可用（）作面砂。A、硅砂B、锆砂C、镁砂

3.多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅

4. 能够从上述资料中推出的是：A.2015年1月多晶硅进口价格约为200美元/千克 B.2015年多晶硅进口金额超过25亿美元 C.2015年多晶硅进口量曾连续3个月环比下降 D.2015年有一半的月份多晶硅进口量高于1万吨

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  • 第1题：

    简述低温多晶硅技术的挑战。


    正确答案:1）存在小尺寸效应；
    2）关态电流大；
    3）低温大面积制作困难；
    4）设计和研发成本高。

  • 第2题：

    青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）

    • A、一
    • B、二
    • C、三
    • D、四

    正确答案:A

  • 第3题：

    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。


    正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
    刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。

  • 第4题：

    （）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。

    • A、直拉法
    • B、铸锭法
    • C、西门子法
    • D、三氯氢硅还原法

    正确答案:A

  • 第5题：

    铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。


    正确答案: 提纯材料：
    1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象，使杂质富集在多晶硅锭的两端。
    2.在真空中熔化，凝固，原料中杂质在表面挥发。
    3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体，是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程：装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
    直培法描述：硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶，再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升，使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素：纯度高，不产生杂质玷污；不与晶体粘连；热膨胀系数小；热导率小；坩埚形状（方形，内壁涂高纯氧化硅/氮化硅）

  • 第6题：

    晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论？


    正确答案: 增加太阳电池表面光吸收是太阳电池生产过程中的一个重要环节在合适的反应条件下，用酸腐蚀法可以在硅片上制备出减反射效果良好的绒面，并且工艺简单、成本低，适合于实际应用。如果能解决好与太阳电池生产后续工艺的兼容问题，这种方法将会有很好的工业应用前景。

  • 第7题：

    含硅量≥99.9999999%的多晶硅废


    正确答案:2804619011

  • 第8题：

    问答题
    什么是多晶硅？

    正确答案： 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）
    A

    一

    B

    二

    C

    三

    D

    四


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

    正确答案： 多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）
    A

    整个多晶硅的长度

    B

    多晶硅中两个引线孔中心点的距离

    C

    多晶硅中两个引线孔内侧的距离

    D

    多晶硅中两个引线孔外侧的距离


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是（）
    A

    四氯化硅法

    B

    三氯氢硅法

    C

    氯化钾法

    D

    硅烷法


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。


    正确答案: （1）使用电炉用炭将硅砂还原为冶金级硅；
    （2）冶金级硅提纯为半导体级硅：西门子法和ASiMi法（硅烷法）；
    （3）半导体级多晶硅原材料转变成单晶硅和多晶硅：单晶硅的制备主要有直拉单晶法（CZ法）和浮融（FZ-FloatZonE.法。铸造多晶硅有三种主要的方法有Bridgman法、铸锭法和电磁铸造法（MEC.。

  • 第14题：

    以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、非晶硅
    • D、微晶硅

    正确答案:A,B,C,D

  • 第15题：

    在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。


    正确答案:聚光镜聚光

  • 第16题：

    原材料用硅砂，先将其还原为纯度为97％-98％的（），为了进一步提高纯度，将金属硅与（）反应，生成（），再将其还原，热分解得到纯度为99.99999％以上的多晶硅。


    正确答案:金属硅；盐酸；三氯氢硅

  • 第17题：

    太阳能电池产业链由以下五个环节组成，其中进入壁垒最高的是（）。

    • A、高纯多晶硅原料生产
    • B、单晶硅拉制或多晶硅定向浇铸
    • C、硅片切割
    • D、电池芯片生产

    正确答案:A

  • 第18题：

    最早用于制造太阳能电池的半导体材料是（）。

    • A、单晶硅
    • B、晶体硅
    • C、多晶硅

    正确答案:B

  • 第19题：

    问答题
    单晶硅与多晶硅的区别？

    正确答案： 多晶硅是由多个单晶单元随机堆积形成的，多晶硅没有单晶所特有的特征，如各向异性、短程有序等。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？

    正确答案： 栅极、源极与漏极（或双极器件的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄PN结的扩散源、高值电阻等
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    多选题
    以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）
    A

    单晶硅

    B

    多晶硅

    C

    非晶硅

    D

    微晶硅


    正确答案： C,D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？

    正确答案： 轻掺杂
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）
    A

    第一层多晶硅的面积

    B

    第二层多晶硅的面积

    C

    二层多晶硅重叠后的面积


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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